JPS58145954A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明Ｆｉ、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視
光線、赤外光線、Ｘ纏、ｒ線等を示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮ｇＩＩ装置２、或いは像形成分野における電子写
真用像形成部材やｊ［＃４銃取鋏置における光導電層を
形成する光導電材料としては、關扉阪で、ＳＮ比〔光電
Ｉｔ　（Ｉｐ）　／暗電ｆｉ（Ｉｄ））が高く、照射す
る電磁波のスペクトル特性にマツチングし友吸収スペク
トル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗
値を有すること、使用時において人体に対して無公害で
あること、更には固体撮像装置くおいては、残置を所定
時で使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用
像形成部材の場合には、上記の使用時における無公害性
はム要な点でおる。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコ７（以後ａ−８ｌと表配す）があや
、例えば、独１公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用僧形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

内生ら、従来のａ　−Ｓ　ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光Ｌ１、答性等
の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の
点、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々
、個々には特性の向ヒが計られているが総合的な特性向
上を計る上で更に改良される余地が存するのが実情であ
る。

例えば、電子写真用僧形成部材に適用した場合に、＾光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留１１Ｌ位が残る場合かに々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し便用による疲労の蓄積が起って、装置が
生ずる所−ゴースト現象を発する様になる等の不都合な
点が少なくなかった。

又、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計る丸めに、水素原子或
いは弗素原子や塩ｌＡ原子等のハロゲン原子、及び電気
伝４１Ｍの制御のために硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ轡の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性ｊ！Ｋｌ、耐久性等に問題が生ずる場
合があうえ。

即ち、例えば電子写真用偉形成部材として使用した場合
、形成し走光導電層中に光照射によって発生し九フォト
キャリアの該層中での寿命が充分でないことや暗部にお
いて、支持体側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこ
と或いは、転写紙に転写された１ｌｉｉ倫に惨に「白ヌ
ケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると思われ
る１ｌｉ４ａ欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレー
ドを用いるとその摺ＩＩＫよると思われる、惨Ｋ「白ス
ジ」と云われている所＊＊＊欠陥が生じたりしていた。

父、多湿雰８気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に云うｊ儂のボケが
生ずる場合が少なくなかっ九。

史には、層厚が十数μ以上になると層形成用の★空堆檀
室よ１０出し死後、空気中での放置時間の経過と共に、
支持体表面からの層の浮き゛や剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ’−８＋
に就て電子写真用僧形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子を母体とし、水Ｒ原子（Ｈ）又はハロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所謂水素化アモルファスノリコン。

ハロゲン化アモルファスシリコン、ｃｉ、いはハロゲン
官有水本化アモルファスシリコン〔以後これ等の纒称的
表紀として［ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ　）　Ｊを使用する〕
から構成される光導電層を有する光導電部材の層構成を
以後に説明される様な待だ化の下に設−ｆされて作成さ
れた光導電部材は来月上着しく優れ走時性を示すばかり
でなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点に
おいて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材
として著しく優れた特性を有していることを見出した点
に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時を定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化ＪＡ象を起さず耐
久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測さ
れない光導電部材を提供することを生死る目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられるノーと支持
体との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ
、構造配列、的に緻密で安定的であり、層品質の高い光
導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用傷形成部材として適用
させた場合、静電傷形成のための帯電処理の際の電性保
持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真特性を有する光−電部材を提
供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が扁く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の扁い、萬品實１１１１ｉｊＩＩ
を得ることが容易にできる電子写真用の光導電部材を提
供することである。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子を母体とし、窒素原子を構成原子として含有する
非１質材料で構成されだ補助層と、シリコン原子を母体
とし、周期律表第Ｖ族に属する原子を構成原子として含
有する非晶質材料で構成された電荷注入防止層と、シリ
コン原子を母体とする非晶質材料で構成され、光導電性
を示す第一の非晶質層と、該非晶質層上に設けられ、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子として含
む非晶質材料で構成された第二の非晶質層と、を有し、
前記電荷注入防止層の層厚ｔが３０Ｘ以上でα３μ未満
であり且つ電荷注入防止層中に含有されるｖＩ記周期律
表第■族に属する原子の量Ｃ閏が３０　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍ以上であるか、又は前記ｔが３０Å以上で且つ前記
ｃ（ｙ）が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐＰｎ１以上で１００
　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｍ未満である事を％徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ良電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に１電子４真用ｇＩ形成部材として適用させた場合に
は、爾儂形成への残留電位の影醤が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労。

繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画壇を安定して
繰返し得ることができる。

父、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に著
しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て呼線に
ｈ発明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導〔に部材の
層構成を説明するために模式的に示した偵式的構成図で
ある。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用と１７
での支持体１０１の上に、補助層１０２．電位注入防止
層１０３、光導電性を有する第一の非晶質Ｉｎ　（１１
１０４、シリコン原子と炭素原子と水素原Ｆとを構成原
子とする非晶質材料（以鎌［龜−（ＳｔｘＣｌ　、）、
Ｈｌ　、ｊと記す）で構成される第二の非晶質層（ＩＩ
）１０５を具備し、非晶質層（１１１１０５は自由表面
１０６を有している。

補助層１０２は主に、支持体１０１と電荷注入防止層１
０３との間の密着性を計る目的の為に設けられ、支持体
１０１と電荷注入防止層１０３の円方と親和性がある様
に、後述する材質で構成される。

電荷注入防止層１０３は、支持体１０１１Ｌ１１より非
晶質層１０４中へ電荷が注入されるのを効果的に防止す
る機能を主に有する。

非晶質層（１）　１０４は、感受性の光の照射を受けて
＃層１０４中でフォトキャリアを発生し、所定方向に咳
フォトキャリアを輸送する機能を主に有する。

非晶質層（ＩＩ）　１０５は、主に耐湿性、連続繰返し
使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本発
明の目的を達成する為に設けられる。

本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子を
母体とし、構成原子としてｉ１本原子と必要に応じて水
素原子（Ｈ）、／・ロゲン原子■とを含有する非晶質材
料（以後ｒａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）　Ｊとｍｌす）で構成
される。

ａ　−８ｉＮ　（Ｈ，Ｘ　）としては、シリコン原子（
Ｓｔ）を母体とし窒素原子（Ｎ）を構成原子とする非晶
質材料（以後１’　ａ　　Ｓ　ｉ　＠Ｎ１−　＠　ｊと
記す）、シリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、水嵩原子（
Ｎ）と水素原ｆ　（Ｈ）を構成原子とする非晶質材料（
以後ｒａ−（５ｉｂＮ＋　　６）（Ｈｔ−（Ｊと記す）
、シリコン原子（Ｓｉ）を母体と、＆／１素原子Ｎとハ
ロゲン原子（Ｘ）と必吠にに６じて水嵩原子（Ｈ）とを
構成原子とする非晶質材＃＋（以後ｒａ　　（Ｓｉ、Ｉ
Ｎ＋−ａ）ｅ（Ｈ，Ｘ）ｔ　−Ｊと記す）と倉挙げるこ
とが出来る。

本発明において、必要に応じて補助層中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、＃ｉ素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材料で構成する場合のｊ−形成法
としてはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイ
ンブランチ−シロン法、イオンブレーティング法、エレ
クトロンビーム法等が挙げられる。これ等の製造法は、
Ｉｎ条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によって適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する光導電
部材を製造する為の作＃粂件の制−が比較的容易である
、シリコン原子と共に窒素原子、必要に応じて水素原子
やハロゲン原子を作製する補助層中に導入するのが容易
に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッターリ
ング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。

グロー放電法によって、ａ−８ＩＮ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる補助層を形成するには、基本的にはシリコン原子（
Ｓｔ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと、ｉ１嵩原
子（Ｎ）導入用の原料ガスと、必ｌＰＫ応じて水嵩原子
（Ｈ）４人用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上Ｋ　ａ−８ＩＮ（Ｈ，
Ｘ）からなる補助層を形成させれば良い。

父、スパッタリング法で補助層を形成する場ばには、例
えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、′４卓原子
（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスと共にスパツタリングを行う真空堆積室内に導入し
てやれば良い。

第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ３
Ｎ、で構成され九ターゲットか、或いは別で構成され丸
ターゲットとＳ　ｉ　、Ｎ、で構成されたターゲットの
二枚か又は８ｉと８１　ｓ　Ｎ４とで構成されたターゲ
ットを使用することで形成される補助層中へ＊ＩＡ原子
（Ｎ）を導入することが出来る。この際、前記の窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスを併せて使用すればその流量
を制御することで補助層中に導入される窒素原子（へ）
の瞳を任意に制御することが容易である。

補助層中へ導゛入される窒素原子（Ｎ）の含有蓋は、窒
素原子（Ｎ）導入用の原料ガスが堆積室中へ導入される
際の流量を制御するか、又は窒素原子（Ｎ）導入用のタ
ーゲット中に含有される窒素原子（Ｎ）の割合を、該タ
ーゲットを作成する際Ｋｖ４整するか、或いは、この両
者を行うことによって、所望に従って任意に制御するこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、ｂ　ｔ　Ｌ　＊　Ｓ　ｉｔ　Ｌ　＋
　Ｓ　ｔ　ｓ　）［ａＳ　ｉ　４　Ｈｔ・等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に％層作威作巣の扱い
易さ、ｓ量供給効率の良さ等の点でＳｉＬ　、　Ｓｉｍ
＆が好ましいものとして挙げられる。

これ勢の出発物質を使用すれば１層形成条件を適切に選
択することによって、形成される補助層中にＳｉと具に
Ｈも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発中質と１、て１
１１Ｆ記の水素化硅素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含
む硅素化合物、所饋、ハロゲン原子Ｃｌ１１Ｍ換された
シラン誘導体、具体的には例えばＳｉＦ’４．５ｉｘＦ
’ｇ、　５ｉ（Ｊｉ、　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げることが出来る。

史にＱま、　　ＳｉＨ＊Ｆｘ、　　ＳｉＨｍｈ、　　Ｓ
ｉＨ＊Ｃｊ＊＋　　ＳＩＨ（１ｍ　　＊５ｒＦｉｘ　Ｂ
　ｒｚ　＋　Ｓ　ｉＨＢ　ｒｓ等のハロゲン置換水素化
硅素。

寺々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原ｆを構成
要素の１つとするハロゲン化物も有効な補助１−形成の
為のＳｔ供給用の出発物質として埜げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（Ｘ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に、層形成条件の通切な選択によ
って形成される補助層中に８１と共にＸを導入すること
が出来名。

ヒ紀した出発＊寅の中水ＩＬ原子を含むハロゲン化硅素
化合−は、補助層形成の際に層中にハロゲン原子（Ｘ）
の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて
有効な水ｌＬ原子（Ｈ）本導入されるので１本発明にお
いては好適なハロゲン原子（Ｘ）導入用の出発物質とし
て使用される。

本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
／ＩＩＡ子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な出発物
質としては、上記し喪ものの他に、例えば、フッ素、塩
素、臭素、フッ素のハロゲンガスｓ　ＢｒＦ、　ＣＩＦ
　＊　（−”Ｆ”ｓ＋　ＢｒＦ３．　ＢｒＦｍ　＋　Ｉ
Ｆｓ　＋　Ｉｈ　＋Ｉ（Ｊ、　ＩＢｒ等のハロゲン間化
合物度＋　Ｈｅ’　＋　ＨＢｒ　＋ＨＩ等のハロゲン化
水素を挙げることが出来る。

補助層を形成する際に使用される窒ｌＬ原子軸導入用の
原料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発物
質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨとを構成原子と
する例えば％１１１（Ｎ、）アンモニア（１％）、ヒド
ラジン（ＨｓＮＮｈ　）　、アジ化水嵩（ＨＮＩ）、ア
ジ化アンモニウム（ＮＨ４ＮＳ）等のｊス状の又はガス
化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙
げることが出来る。この他に％窒素原子（Ｎ）の導入に
加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行えるという点か
ら、二弗化窒素（ＦｓＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎり等の
）・ロゲン化１ｌｌＩ本化合物を挙げることが出来る。

本′＠明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッタ
ーリング法で形成する際に使用される剛軟ガスとしては
、所−５希ガス、例えばＨ・。

Ｎｅ、Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来本発
明の補助層を構成するａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）なる非晶質
材料は、補助層の機能が、支持体と電荷吐入防正層との
間の密着を強固にし加えてそれ寺の間に於ける電気的接
触性を均一にするものであるから、補助層に要求される
特性が所望通りに与えられる様にその作成条件の選択が
厳密に成されて、注意深く作成される。

本発明の目的に適した特性を有するａ−８ＩＮ（Ｈ，Ｘ
）から成る補助層が形成される為の層作成希件の中の電
要素として、鳩作成時の支持体温鍵を等ける事が出来る
。

即ち、支持体の表面にｈ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）から成る補
助層を形成する除、層形成中の支持体一度は、形成され
る層の構造及び特性を左右する亀壷な因子であって１本
発明に於いては、目的とする特性を有するａ−８ｉＮ（
Ｈ，Ｘ）が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持
体−芙が厳かに制御される。

本発明に於ける目的が幼果的に達成さｒＬる為の補助層
を形成する際の支持体温度としてＱま補助層の形成法に
併せて適宜最適範囲が趨択σれて、補助層の形成が実行
されるが、通常の場合、５０″Ｃ〜３５σＣ１好適には
、１００°Ｃ〜２５０’Ｃとされるのが望ましいもので
ある。補助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注
入防止層、非晶質層、更には必要に応じて非晶質層上に
形成される他の層まで連続的に形成する事が出来る。

各Ｉ−を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制
御が他の方法に比べて比較的容易である事等の為に、グ
ロー放電法やスパッターリング法の採用が有利であるが
、これ等の層形成法で補助層を形成する場合ｔ／Ｃｄ、
前記の支持体温度と同＋４Ｋｍ形成の際の放電パワー、
ガス圧が、作成される補助層の特性を左右する重要な因
子と（７て挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を・ｂする補
助層が生産性よく効果的に作成される洞ｑ’）放電パワ
ー条件としては、通常１〜３００　Ｗ好適には２〜１５
０　Ｗである。又、堆積室内のガス圧は通常３　ｘ　１
０　”　〜５　Ｔｏｒｒ、好適には８Ｘ１０−１〜（１
，５Ｔｏｒｒ程差とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子の量及び必要に応じて含有される水素原子、ハロゲン
原子の量は、補助層の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される＊＊
な因子である。

補助層中に含有されるＩＩ水素原子Ｎ）の量、水素原子
（Ｈ）の着、ハロゲン原子の量の夫々は、本＃３明の目
的が効果的に達成される様に上記の−作成乗ｔ４−を考
慮し乍ら所望に従って任意に決定される。

補助層をａ　　Ｓ　ｉ　＠Ｎ１−　＠で構成する場合に
は、窒素原子の補助層中の含有量は好ましく１ｉｌＸ１
０−’〜６０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には１〜５
０　ａｔｏｒｎｉｃ　％、ａの表示では好ましくはα４
〜α９９９９９、より好適にはα４〜α９９とされるの
が望ましい。

ａ　　（５ｌｂＮｓ−ｂ）ｃＨｔ−ｅで構成する場合に
は、窒素原子（Ｎ）の含有量としては、好ましくは１ｘ
１０→〜５５　ａｔｏｍｉｃ　％　、より好適には１〜
５５　ａｔｏｒｎｉｃチ、水素原子の含有量としては、
好オしくけ２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　−１よ抄好適には
５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、ｂ＋　ｃで表示す
れば、ｂとしては通常０４３〜α９９９９９、よ抄好適
にはα４３〜０．９９、Ｃとしては通常０．６５〜へ９
８、好適には０７〜０，９５とされ、ａ　−（５ｉｄＮ
ｔ　−４）６　（Ｈ＊　Ｘ　）ｔ−ｅで構成する場合に
は窒素原子の含有量は、好ましくはｌＸｌ０−３〜６０
ａｔｏｒｎｉｅ　％　、より好適−は１〜６０　ａｔｏ
ｍｉｅ　＊、７％ロゲン原子の含有量、又は、ノ・ロゲ
ン原子と水素原子とを併せ死金有量は、好ましくは１〜
２０ａｔｏｍｉｃ　慢、より好適には２〜１５　ａｔｏ
ｍｉｃ　’ｌｒとされ、この場合の水素原子の含有量は
好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ　ｆｂ以Ｆ１　より好適に
は１３　ａｔｏｍｉｃ　＊以下とされるのが望ましい。

ｄ、ｅｌ、／）＆示で示せば、ｄとしては、好ましくは
０４３〜０．９９９９９、より好ましくは、α４３〜０
．９龜Ｃとしては、好ましくは、０．８〜０．９９、よ
り好ましくは、０８５〜０．９８とされるのが望ましい
。

本発明に於ける光導電部材を構成する補助層の１−厚と
しては、該補助層上に設けられる電荷α人１）ｈ止層の
層厚及び電荷注入防止層の特性に応じて、轡埴に従って
適宜決定される。

本発明に於いて、補助層の層厚としては、通・ｄは３０
人〜２μ、好ましくは、４０１〜１．５μ、坂道には５
０人〜１５μとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材を構成する電荷注入防止層は、ンリ
コン原子（Ｓｉ）を母体とし、周期律表小Ｖ欣に属する
原子（第■珠原子）と、好ましくは、水素原子（１））
又はノ・ロゲン原子（Ｘ）、或い＆」この両者とを構成
原子とする非晶質材料（以ｍｌ　ａ−８ｔ（Ｖ、　Ｈ，
Ｘ）　Ｊと配す）で構成され、その層厚を及び層中Ｏ縞
■族原子の含有量Ｃ（Ｖ）は、前記し九範囲内の値とさ
れる。

本発明に於ける電荷注入防止層の層厚を及び第■族原子
の含有量Ｃ（Ｖ）としては、より好ましくは、ｎｏＸｄ
ａｔ＜α３ｓで且つＣ（ｖ）が４０　ａｔｏｒｎｉｅｐ
ｐｒａ以上であるか又は４０　ａｔｏｎａｉｅ　ｐｐｒ
ｎ　（−Ｃ（Ｖ）　＜１００１００ａｔｏ　ｐｐｍで且
つｔが４０Ｘ以上、最適には、５０大≦ｔ〈０３μで且
つＣ（Ｖ）が５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｎｉ以上である
か、又は５０　ａｔｏｔｎｉｅ　ｐｐｍ　にａ　ＣＭ、
　（１００１００ａｔｏ　ｐｐｍで且つｔが５０λ以上
であるのが１マしい。

本発明において、電荷注入防止層中に含有される周期律
表第■族に属する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）
、Ａｓ　（砒、素）、Ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｔ（ビ
スマス）等であり、殊に好適に用いられるのはＰ、Ａｓ
である。

ａ−８１（Ｖ　、　Ｈ、Ｘ　）で構球される電荷注入防
止層の形成には、補助層の形成の場合と同様に、例えば
グロー放電法、スパッタリング法、或いはイオングレー
ティング法等の放電境象を本発明に於いては電荷注入防
止特性を与える為に’ｉｉｉ荷社人防止層中に含有され
る第Ｖ族原子は、電荷注入防止層の層厚方向に実質的に
平行な面（支持軍の表面に平行な面）内及び層厚方向に
於いては、実質的に均一に分布されるのが良いものであ
る。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第■族
原子の含有量は、堆積室中に流入される第■族原子導入
用の出発物質のガス流量、ガス流皺比、放電パワー、支
持体温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任
意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に必要に応じて含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては１、補助層の説明の
際に記したのと同様のものが挙げられる。

本＠明において、畠−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される縞−
の非晶質層中を形成するには例えばグロー放１１ｔ法、
スパッタリング法、或いはイオンプレーディング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー原電法によって、ａ−８ｉ　（）（、Ｘ　）
で構成される非晶質層を形成するには、基本的にはシリ
コン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスと
共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−
８１（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させれば良い、又、ス
パッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガ
スの雰囲気中でＳｔで構成され九ターゲットをスパッタ
リングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積ｍＫ導入
してやれば良い。

本発明において、必要に応じて非晶質層（置）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、補助層の場合に挙
は九のと同様のものを挙げることが出来る。

本発明において非晶質層（１）を形成するのに使用され
るＳｉ供給用Ｏ鳳料ガスとしては、補助層や電荷注入防
止層に就いて説明する際に挙げ九８ｉＨ４、８ｉ１Ｈ４
、８ｉＢＨ１、Ｓｉ番Ｈゆ勢のガス状■Ｏ又はガス化し
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業の扱い墨さ、８１供給
効率の曳さ勢Ｏ点でＳｉＨ４，Ｓｉ、Ｈ，が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において非晶質層（１）を形成する際に使用され
るハｐゲン鳳子導入用の原料ガスとして有効なのは、補
助＋１１１０場合と同様に多くのハロゲン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロダンガス。

ハロゲン化物、ハロゲン−、化合物、ハロゲンで置換さ
れ丸シラン誘導体勢Ｏガス状態の又はガス化し得るノ・
ロダン化合物が好ましく挙げられる０ 又、更には、シリコン原子（８ｉ）とハロゲン原子（Ｘ
）とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得ゐハロ
ゲン原子を含む硅素化合物も有効１に一〇として本発明
に於ては挙げることが出来る０ 本発明Ｋｌｋいては、非晶質ｊ１（１）Ｋは、伝導特性
を制御する物質を含有させることにより、鋏層の伝導特
性を所望に従って任意に制御することが出来る。

こＯ様な物質としては、所麟、半導体分野で宏われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
ゐ非晶質層（１）を構成する−１（Ｈ，Ｘ）Ｋ対して、
Ｐ！１伝導特性を与えるＰ蓋不純物、具体的には、周期
律表謳鳳族に属する原子（第１１％原子）、例えばＢ（
硼素）。

ムｊ（アルミニウム）、ＧＩ（ガリウム）ｔ”（インジ
ウム）、Ｔｊ（タリウム）等があに、殊に好適に用いら
れ為には、Ｂ、Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層（１）Ｋ含有される伝導特性
を制御する物質Ｏ含有量は、皺非晶質層（１）ＫＷ求さ
れる伝導特性、或いは骸層（１）に直に接触して設けら
れる他の層Ｃ＞＠性や、骸他の嗜との接触界面に於ける
特性と０閤係勢。

有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、非晶質層（Ｏ中に含有されａｔｏｍｉ
ｃｐＰｍとされるＯが望ましいものである。

非晶質層中に伝導特性を制御する物質、例えば第厘族原
子を構造的に導入するに社、ＩＩｌ形成の際に第璽族原
子導入用Ｏ出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質層
を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い
。この様亀第菖ｔｓ原子導入用の出発物質と成シ得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形
成条件下で容晶にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その４１１な第璽族原子導入用Ｏ出発物質とし
て具体的には硼素原子導入用としては、賜Ｈ・、　Ｂ４
Ｈｍ　、　ＢＩＨ＠　、　ＢｓＨｔｔ　−＆Ｈｍ　−Ｂ
ｓＨｕ　。

Ｂ＠Ｈ１４等Ｏ水素化硼素ｂ　ＢＦｓ　、　Ｔ３ＣＩｓ
　ｓ　ＢＢｒｍ　’ＩＯ／％ロダン化硼素等が挙げられ
る。この弛ｓ　ｋｌｃｌｓ　！ＧａＣｊｍ　＃　Ｇａ（
１Ｂ）ａ　ｔ　ＩｎＣ４ｓ　Ｔｊ（Ｊｓ　’ＩＩも挙け
ることが出来る。

本発明において、形成される光導電部材の電荷注入防止
層及び非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）　
０量又はノ・ロダン原子（Ｘ）　０量又は水素原子（Ｈ
）と７％　Ｅｌゲン鳳子（Ｘ）　０量の和（Ｈ＋Ｘ）は
通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ、好適には５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるＯが望ましい。

電荷注入防止層又は非晶質層（１）中に含有される水嵩
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御す
るには、例えば支持体Ｉｌｆ又は／及び水素原子（Ｈ）
、或いはノ・ロダン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質Ｏ堆積装置、幕内へ導入する量、腋電々力
等を制御してやれば棗い〇 本発明において、非晶質１１（１）をグロー放電法で形
成するＩＩＩＫ使用される稀釈Ｂｘ、或いはス・くツタ
リング渋で形成される際ＫＷ用されるスパッターリング
用のガスとしては、所謂稀ガスを例えばＨｅ　、　Ｎｅ
　、　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発ＩＪＪＫ於いて、非晶質層（１）の層厚としては、
作成される光導電部材に要求される特性に応じて適宜法
められるものであるが通常は、１〜１００μ、好ましく
は１〜８０声、最適ＫＨ２〜５０μとされるのが望まし
いものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の非晶質ｍ　（１
）上に設けられる第二の非晶質層（１）　Ｆ′ｉ、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶質材
料（ｍ−（８ｉｘＣ，−、）Ｆ）ＩＩ−ｙｔ但し０〈菫
。

ｙ＜１）で形成されるので非晶質層（１）を構成する第
一の非晶質層（１）と第二の非晶質層（璽）とを形成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要
素を有してけるので、積層界１ｉｉｉＫ於いて化学的な
安定性の確保が充分成されている。

ａ　（ＳＩＩＩＣＩ　−Ｘ）ＰＨ１−ｙで構成される第
二の非晶質層（１）　ｔ）形成はグロー放電法、スパッ
ターリング法、イオンインプランテーション決、イオン
ブレーティング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負ＩＩＩｍ度、製造規模９作製される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容品である。シリコン原子と共に
庚嵩鳳子及び水嵩原子を作製する第二〇非晶質ｌｌ０）
中に導入するが容墨に行える郷の利点からグロー放電法
或いはスパッターリング法が好適に採用される。

更に２本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同−装置幕内で併用して第二の非晶質層（璽
）を形成して４１１Ｌい。

グロー放電法によって第二の非晶質層（１）を形成する
には、ｍ−（８１ｉＣ１−ｘ）ｙｎ、　＋７形成用の原
料ガスを、必ＩＦＫ応じ−て権釈ガスと所定量の温合比
で温合して、支持体１０１の設置しである真空堆積用の
堆積１１に導入し、導入され九ガスをグルー款電を生起
させることでガスプラズマ化して１記支持体１０１上に
既に形成されである第一の非晶質ｊｌｌ　（１）上ｐｃ
　ａ　−（８ｉｘＣ’Ｉ−Ｘ）？Ｈ１−ｙを堆積させれ
ば良い。

本発明に於いてａ　−（８ｉｘＣ＋　−ｘ）、Ｈ＋−ｙ
形成用０原料ガスとしては、ｓｉ、ｃ、ｎの中の少なく
、とも１つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化しえもＯｅ、　ｌ？　Ｏ大概〇−のが
使用され得る。

８ｉ、Ｃ，Ｈの中の１つとして８ｉを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は例えばＳ工を構成原子とするＩ
ｌ［１４ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で温合して使
用するか、又社ｓ　８ｔを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望
の温合比で混合するか、或いは、　８ｉを構成原子とす
る原料ガスと、８ｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする
原料ガスとを温合して使用することが出来る０又、別、
にＢｓ　８ｔとＨとを構成原子とする！ＩＡ＄４＃スに
Ｃを構成原子とするｊＩＩＩスを混合して使・坩して４
１い。

本発明に於いて、謳二の非晶質層（１）形成用Ｏ龜料β
スとして有効に使用されるＯは、８ｉとＨとを構成原子
とする８　ｉ＠Ｈ＠　、　Ｓ　１ｌＨ６，Ｓ市４　ｓ　
５ＩＪＬ＊等のシラン（８ｉ１ａｎｅ）ＩＩ等の水素化
硅素ガス、ＣとＨとを構成息子とする０例えば炭ｌＡ数
１〜４の飽和縦化水嵩、炭素数２〜４のエチレン系嶽化
水素、縦素数２〜３０ア竜チレンｌｈ縦化水嵩勢が挙け
られる。

具体的には、飽和膨化水嵩としては、メタン（ＣＨ４）
　、　１　ｆｉ　ン（（４Ｈ＠）、　７’ａ　ハフ　（
ＣＨ龜）　、　ｎ　−ブタン（ｎ　Ｃ４ＨＩ＠）　＊ペ
ンタｙ　（Ｃ，Ｈ，、）　、　ｘチＶ７系炭化水素とし
ては、エチレン（ＣＩＨ４）、プロピレン（ＣｍＬ）−
ブデンー１　（Ｃ４Ｈａ）　＊プデンー２（ＣａＨａ）
＊イソブチレン（Ｃ４Ｈ１）　ｅペンテン（ＣｓＨｔ＊
Ｌアセチレン系縦化水素としては、アセチレン（Ｃｍ）
１ｍ　）　ｔメチルアセチレン（ＣｍＨ４）−ブチン（
ＣａＨａ）’ｌが挙けられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしテハ、Ｓ
ｉ（（５１ｍ＞　、　８ｉ（Ｃ＊Ｉ（％　’ｌ！　０　
’ｒ　４　化７　＃　’ｒ　ｋを挙げることが出来る。

これ勢の原料ガスＯ他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿
論Ｈ，も有効なものとして使用される。

スパッターリング法によって第二の非晶質層（厘）を形
成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハー又Ｆｉ
Ｃウエーハー又はＳｒとＣが温合されて含鳴されている
ウェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰
囲気中でスパッターリングすることＫよって行えば良い
。

例えばｓ　８ｉウエーハーをターゲラＦとして使用すれ
ば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記８ｉウエー
ハーをスパック−リングすれば良い。

、父、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、
又は８１とＣの１合し九一枚のターゲラＦを使用すると
とによって、少なくと４水素原子を含有するガス雰囲気
中でスパッターリングすることによって成されるＯ Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述し九グロー放
電の例で示し九原料ガスが、スパッターリングの場合に
も有効々ガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（１）をグロー放電法
又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所−・希ガス。

例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ等が好適な屯のとして
挙げることかで色る。

本発明に於ける第二の非晶質ＩＩ　（１）は、その要求
される特性が所望過動に与えられる様に注意深く形成さ
れる。

即ち、８ｉ、Ｃ及び）Ｉを構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの
形態を取に、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を。

又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いてｔｉ％目的に応じ友所望
ｅｔ４性を有する＠　−（８４ｘｃ＊　−、））Ｈ，−
ｙが形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択
が厳重に成される〇 例えば、第二〇非晶質層（１）を耐圧性の向上を主な目
的として設けゐには、ト（出ｍｃ１−．）ｙＨｌ−ｙは
使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性中便用響境ｑ＃性の向上を主た
る目的として第二〇非晶質層（璽）が設けられる場合に
は、上記の電気絶縁性Ｏ度合はある程度緩和され、照射
される光に対しである８１度の感度を有する非晶質材料
としてｍ−（８ｉＪ、　−、）ｙＨｌ−７が作成される
。

第一の非晶質層（Ｏｏｌｌｍにｍ−（８ｊｘＣ１−、）
ｙＨ，−７から成る第二〇非晶質層（１）を形成する１
１１層形成中の支持体温度は、形成される畷の構造及び
特性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては
、目的とする特性を有するト（岨１１ｃＩ　−Ｘ）ｙＨ
８−１が所望通郵に作成され得る様に層作成時の支持体
温度が厳重に制御されるＯが望ましい。

本実＠に於ける目的が効果的に達成される為の請二〇非
晶質層（璽）を形成するＩＩＯ支持体温度としては第二
〇非晶質ｊｌ　（１）　０形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、Ｗ４二〇非晶質鳩（厘）の形成が実行さ
れるが、通常Ｏ場合、５０℃〜３５０℃、好適には１０
０℃〜２５０℃とされるのが望ましいものである。第二
〇非晶質層（１）　０形成には１層を構成する原子Ｏ組
成比の鎗妙な制御中層厚０１１制御が倫Ｏ方法に較べて
比較的害鳥である事勢の為に、ダーー放電法中スノくツ
ーーリング？Ｉ＆Ｏ採用が有利であるが、これ郷の層形
成法で第二〇非晶質層（璽）を形成する場合には、１記
Ｏ支持体温度と同様に層形成０９Ｃ）＠電パワー、ガス
圧が作成されるト（８１鵜−、）ｙｎ、−。

０４１性を左右する重ｌ！な因子０１つである０本発明
に於轄る目的が達成される為Ｏ特性を有す４　ｍ−（８
ｉ冨Ｃｔ−、）ｙｎ、−７が生産性良く一効果的に作成
される為０１に電パワー条件としては、通電、１０〜３
０Ｑｗ、好適には２０〜ｚｏｏｗとされるＯが望ましい
。堆積室内Ｏ崖ス圧祉通當αＯ１〜ＩＴｏｒｒ。

好適には０．１−ａ５Ｔｏｒｒ　９度とされるＯが望ま
しい０ 本発明に於いては、第二〇非晶質層（０を作成する為の
支持体ｉｉｔ、＊電パワーＯ望ましい数値範咄としてＩ
ＩＩ配し九範囲の値が挙げられるが、これ尋の層外威し
アクターは、独立的に別々に決められるものでは表く、
所望特性Ｏａ　−（８１ＸＣＩ　−ｘ　）ｙＨ＋−ｙか
ら威る第二〇非晶質層（■）が形成される様に相互的有
機的関連性に基いて、各鳩作晟フ＋クターの最適値が決
められるＯが望ましい。

未発明の光導電部材に於ける第二〇非晶質層（１）　Ｋ
含有される縦索原子及び水素原子Ｏ量は。

第二の非晶質層（璽）の作製条件と同様、本発明の目的
を達成する所望の特性が得られる第二〇非晶質層（厘）
が形成される重畳な因子である。

本発明に於社る第二〇非晶質層（１）　Ｋ含有される縦
索原子Ｏ貴は通常は１Ｘ１０九９０ａｔｓｎｉｃ％とさ
れ゛、好ましく゛は１〜９０ｍｔｍｉｃＸ、最適には１
　（１−８０ａｔａｎｉｃＸとされるＯが望ましいもの
である。水素原子Ｏ含有量としては、通常の場合１〜４
４）ａｔｏｒａｉｃ％　、好ましくは２〜３　Ｓ　ａ　
ｔ　ａｍ　ｉ　ｃ％、最適に社Ｓ〜３０ａｔ幡ｉｃ％と
されるＯが望ましく、これ勢ＯＩＩ囲に水素含有量があ
る場合に形成される光導電部材は、実際面に於いて優れ
九４０として充分適用させ得る４のである。

即ち、先□　ａ−（８ｉｘＣ１−ｘ）ｙ）（、−ｙの表
示で行えば翼が通常は（Ｌｌ−Ｑ、９９９９９　、好適
には０．１〜０．９９゜最適には（Ｌｌ５−６９　、　
ｙが通常α６〜α９９．好適には０．６５〜０．９１１
．最適にはα７〜α９５であるのが望ましい。

本発明に於ける第二〇非晶質層（１）　０層厚の数値範
囲は、本発明Ｏ目的を効果的に達成する為の重要な因子
の１つである。

本発明に於ける第二〇非晶質層（璽）の増厚Ｏ数値ｌ１
ｆｉは、本発明Ｏ目的を効果的に達成する様に所期Ｏ目
的に応じ１．１遣宣屑望に従って決められる。

又、第二の非晶質Ｉｌｌ　（１）の層厚は、該層（１）
中に含有される炭素原子中水素原子の量、第一の非晶質
層（１）０層厚勢と０ＦＩＪｌｋＫ於いても１各々の層
領域Ｅｌｌ求される特性に応じえ有機的な関連性Ｏ下に
所望に従って適宜決定される必要がある。ＩＫ加え得る
に、生産性ヤ量童性を加味し友経済性Ｏ点に於いても考
慮されるＯが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）　０層厚としては
、通常０．００３〜３０μ、好適に祉０００４−２０μ
。

最適に社０．００５−１０Ｊ１とされるのが望ましいも
Ｏである。

本発明に於いて使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

ＡＩ　、Ｃｒ　　、Ｍｅ、Ａｕ、Ｎｂ、？ａ、Ｖ、Ｔｉ
　　、Ｐｉ　　、Ｐｄ　　等の金属又はこれ郷の合金が
挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セル臣−ズ。

、７−に？−）、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ボ９ｔｌ化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

竜うオツタ９紙郷が通常使用されるＯこれ等の電気絶縁
性支持体は、好適−には少なくと本その一方０１１勇を
導電処理され、誼導電処理され九表面側に他の層が設け
られる０が望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

人ｊ　　、ｃｒ　　、Ｍｏ、Ａｍ、Ｉｒ　　、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ　　、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｌａ１０Ｂ　、　８ａ０１　、　ＩＴＯ（Ｉ　ｎ、０３
　＋　８ｒｈ０１）等から成る＊ａを般社ることによっ
て導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の
合成樹脂フィルムであれば％ＮｉＣｒ、Ａｊ、Ａｇ、Ｐ
ｂ、Ｚｍ、Ｎｉ　、Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ岬の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スノ（ツタリン
グ時でその表面に設け、又は前記金属でその表面を′）
オネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては、円筒状。

ベルト状、板状等任意Ｏ形状とし得、所望によって、そ
の形状は決定されるが、例えば、Ｍ　１図の光導電部材
１００を電子写真剛健形成部材として使用するのてあれ
ば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状と
するのか留壕しい。支持体の厚場は、所望退勢０光導電
郵材か形成される様に適宜決定されるが、光導電部材と
して可柳性が要求される場合には、支持体としての機能
が充分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる
。丙午ら、この様な場合支持体の１１？Ｉ上及び堰扱い
上、機械的強度等の点から、通常はｓ　　ｌｏｓ以上と
される。

第２図には、本発明の光導を部材の他の好適な夾施轡様
例の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１図１示され
る光導電部材１００と異なるところは、電荷注入防止層
２０３と光導電性を示す非晶質層２０５との間に上部補
助層２０４を有することである０ 即ち％光導電部材２００は、支持体２０１％該支持体２
０１上に順に積層された。下部補助ｊｌ　２０２、′ｗ
ｌＬ荷注入荷出入防止層２０３補助層２０４、第−Ｏ非
晶質智（１）　２０５及び第二〇非晶質層（１）　２０
６とを風情し、非晶質層（■）２０６は自由表ＷＪ２０
７を有する。上部補助層２０４は、電荷注入防止層２０
３と弄晶質層（１）２０５との間の重着を強固にし、＾
層Ｏ瞭触昇面に於ける電気的接触を均一にしてい為と同
時に、電荷注入防止層２０３０上に直に毅けることによ
って電荷注入防止層２０３の膚質を強＠ｔｋ４ｔ）とし
ている。

第２ＩｇｌＫ示される光導電部材２００を構成する下部
補助層２０２及び上部補助層２０４は、第１図に示し九
党導電部材１００を構成する補助層１０２０場合とｆｉ
ｉｌｌｌｃ１非晶質材料を使用して、同様の４１１性が
与えられる様に同様な層作成手顧を条件によって形成さ
れる。電荷注入防止層２０３及び非晶質層（ｔ）！ＯＬ
非晶質層（１）２０４４夫々、第１−に示す電荷注入防
止層１０３及び非晶質層（り１０４　、非晶質層（１）
１Ｇ！＄と同様０４１性及び機能を有し、第１図Ｏ場合
と同様な層作成手順と条件によって形成゛される。

次にグロー放電、分解法によって形成される光導電部材
Ｏ皺造方法について説明する。

１４３図にグー−放電分解法による光導電部材ＯＩＩ造
装置を示す。

図中０３０２，３０３，３０４．ＳＯ５，３０６０＃　
Ｘボア　ヘに１よ１本発明の夫々の層を形成するえめ０
１料メスが密対されてお）、七〇−例として、えとえげ
％　３０２は）（ｅで稀釈堪れ九引曳ガス（純度９Ｌｆ
ｌ＊會％、以下８　ｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、３
ｏ３はＨｅで一釈されえＰＨ，ガス（純１［９９，９９
９Ｎ　　、以下ＰＨ３／ｌｉｅと略す。）ボンベ、３ｏ
４はＮＨ，ｐ　ｘ　（＠度９９９九）ボンベ、３０５社
Ｈｅで稀釈された８１Ｆ番ガス（純度９９．９９９％、
以下８ｉＦ、／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０６はＣ，Ｈ
４ガス（純度９９！１９９Ｎ）ボンベである。

これ等のボンベ中に充填されるガスの種類状、形成され
る層０種１１１に併せて、適宜代えることは云うまでも
ない。

これらのガスを反応１１３０１　Ｋ流入させるに社ガス
ボンベ３０２〜３０６のパルプ３２２〜３２６、リ−９
／（ルフ３３５が閉じられていることをＩＩＩＩＬ又、
流入パルプ３１２〜３１６、流出パルプ３１７〜３２１
、補助パルプ３３２　、３３３が開かれていることを確
認して先ずメインバ慶ブ３３４を開いて反応室３０１％
及びガス配管内を排気する。次に真空針３３６の読みが
約５Ｘ１０　　ｔｏｒｒＫなった時点で、補助パルプ３
３２　、３３３　、流出パルプ３１７〜３２１を閉じる
。

その後、反応室３０１内に導入すべきガスＯボンベＫＩ
＆綬されているガス配管のパルプを所定通）操作して、
所望するガスを反応ｉｉ　３０１内に導入する。

次に、第１図に示す構成Ｏ光導電部材を作成する場合の
一例０ｗｔ１ＩＩを述べる。

ガスボンベ３０２よ）　８ｉＨ，／Ｈｅガスを、ガスボ
ンベ３０４より団、ガスを夫々、パルプ３２２，３２４
、を闘いて出口圧ゲージ３２７．３２９０圧がそれぞれ
ｌ峰讐になる様に調整し１次いで流入パルプ３１２゜３
１４を夫々徐々Ｋｌｌけて、！スフ０−コン）ローラ３
０フ、３０９内に夫々流入させる。引き綬いて流出パル
プ３１７，３１９、補助ノリブ３３２を讐；１に−いて
夫々のガスを反応＠　３０１内に流入させる。

この時８ｉＨ４／Ｈｅガス流量とＮＨ，−Ｊ　ｘ　Ｒ量
との比が所望Ｏ値になる様ＫＩ／ｌ出パルプ３２６，３
２９０開口を調整し、又、反応室内の圧力が所望０１１
になる様に真空計３３６０１１４を見ながらメインパル
プ３３４の開口を調整する。

そしてｔ支持体３３７０温度が加熱ヒータ３３８によシ
５０〜４００℃の範８０温度に設定されていることを確
認され先後、電源３４０を所望０電力に設定して反応室
３０１内にグロー放電を生起させ、所望時間このグロー
放電を維持して、所望層厚の補助層を支持体上に作成す
る。

補助層上に電荷注入防止層を作成するには、例えば次の
様に成される。

補助層の形成終了後、電源３４０をＯＦＦにして放電を
中止し一旦装置Ｏガス導入用の配管Ｏ全系のパルプを閉
じ１反応＠　３０１内に残存するガスを反応室３０１外
に排出し゛て所定の真空度にする。その後、ガスボンベ
３０２より８ｉＨ４／Ｈｅ　、ｆＦスを、ガスボンベ３
０３よｊ　Ｐ！（、／Ｈｅガスを＊★パルプ３２２，３
２３を開いて出口圧ゲージ３２７．３１１　Ｏ圧を夫々
１φ−に調整し、流入パルプ３１２゜３１３を夫々徐々
に開けて、マスフロコントａ　−ラ３０７，３０８内に
夫々流入させる。引き綬いて流出パルプ３１７，３１８
補助パルプ３３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室３
０１に流入させる。このときのＳｉＨ，／ＨｅＨｅガス
流量Ｈ，／Ｈｅガス流量との比が所望の値になるように
流出パルプ３２７゜３２８を調整し、又、反応室内の圧
力が所望の値になるように真空計３３６の読みを見なが
らメインパルプ３３４の開口を調整する。そして支持体
３３７の温度が加熱ヒーター３３８によシ５０〜４０（
ＦＣの範囲Ｏ温度に設定されていることをｉｉｇされた
後、電源３４０を所望の電力に設定して反応室３０１内
にグロー放電を生起させ、所定時間グロー放電を維持し
て、所望層厚の電荷注入防止層を補助層上に形成する。

第一〇非晶質層（１）の形成は、例えばボンベ３０２内
に充填されている８ｉＨ，／Ｈｅガスを使用し、自弓記
し九補助層や電荷注入防止層Ｏ場合と同様の手１ｉＫよ
って行うことが出来る。第一の非晶質層（りの形成０ｉ
ＩＫ使用する原料ガス種としては、８ｉＨ４／Ｈｅ　ｎ
スＯ他に、殊に８　ｊＪＬ　／Ｈｅ　ｐスが層形成速度
Ｏ向上を針る為に有効であるＯ第一の非晶質層０）上に
第二〇非晶質層（璽）を形成するには、例えば、ボンベ
３０２内に充填されている８ｉＨ４／Ｈｅガスと、ボン
ベ３０６内に充填されているＣ、Ｏ４ガスを使用し、自
１記し九補助層や電荷注入防止＠（Ｄ場合と同様の手順
によって行うことが出来る０ 補助層、を荷注入防止層、第一の非晶質ｍ１（１）中に
ハロゲン原子（Ｘ）を含有させる場合Ｉｈ的記した各層
を形成する為に使用されるｊスＫ。

例えばＳ　ｉＦ４　／）ｌｅを、更に付加して反応＠　
２０１内に送り込むことによって成される。

実施例１ 第３図に示し友製造装置によや、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った０ こうして得られ丸感光ドラム（電子写真用像形成部材）
を複写装置に設置し、　０５Ｋｖで０．２式間コロナ帯
電を行い、光量を照射しえ。光源はタングステンランプ
を用い、光量ｉＬ　Ｏ，１ｔｕｘ・ｗｃとし丸。Ｓ儂は
■荷電性の現俸剤（トナーとキャリヤを含む）によって
勇健され、通常の紙に転写されたが、転写画惨は、極め
て良好なものであった。転写されないで感光ドラム上に
残ったトナーは、ゴムブレードによってクリーニングさ
れ、次の複写工程に移る。このような工程を繰や返し１
５万回以上行っても、画像の劣化は見られなかった。

１擺８ｕ５８−１４５９５４（１４） 実施例２ 縞３図に示した製造装置により、ドラム状況基板上に以
下の条件で層形成を行った。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた感光ドラムを複写装置ｔＣ設置し、０
５ＫＶで０．２厩間コロナ！電を行い、光量を照射した
。光源はタングステンランプを用い、光量は１．０１ｕ
Ｘ−ｓｔｒ、とした。潜像は■荷電性の現像剤（トナー
とキャリヤを含む）によって現像され１通常の紙に転写
されたが、転写ｔｈ儂は、極めて良好なものであった。

転写されないで感光ドラム上に残ったトナーは、ゴムブ
レードによってクリーニングされ、次の複写工程に移る
。このような工程ｔ−１ｉｂ返しｌＯ万回以上行っても
、画倫の劣化は見られなかった。

実施例３ 第３図に示した装置により、ドラム状Ｍ　基板上に以下
の条件で層形成を行った。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた感光ドラムを複写装置に設置し、０５
　ＫＶで０．２　ｓａ：間コロナ帯電を行い、光像を照
射した。光源はタングステンランプを用い、光量は１．
０１ｕｘ＊ｓｇとした。潜像は■荷電性の現像剤（トナ
ーとキャリヤを含む）によって現像され、通常の紙に転
写されたが、転写−像は極めて濃度が＾〈良好なもので
あった。

転写されないで感光ドラム上に残ったトナーは、ゴムブ
レードによってクリーニングされ、次の複写工程に緑る
。このような工程を縁シ返し１５万同以上行って一一像
の劣化は見られなかった。

１幡ｅｇ５８−１４５９５４０５） 実施例４ 非晶質層（厘）以外の層の形成方法を第４表の如く変え
ること、並びに非晶質層（璽）の形成時、８ｊＨ４ガス
とＣｌＨ４ガスの流量比を変えて、非晶質層（１）　Ｋ
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
こと以外は実施例１と全く同様な方法によって層形成を
行った。こうして得られた感光ドラムにつき、実施例１
に述べ九如き方法で転写までのニーを約５万回繰り返し
た後、両会評価を行つ九ところ＠５１１の如き結果を得
友。

実施例５ 非晶質層（厘）の層厚を下表の如く変える以外は、実施
例１と全く同様な方法によって層形成を行った。評価の
結果は下表の如くである。

第　　６　　表 実施例６ 補助層、電荷注入防止層、非晶質層（りの形成方法を下
表の如く変える以外は実施例１と同様な方法で層形成を
行い、評価をしたところ喪好な結果が得られえ。

実施例７ 非晶＊１（１）以外ｏ＠６形成方法を下表０如く賛える
以外は実施例１と同様な方法で層形成を行い１絆価した
ところ嵐好な結果が得られ友。

実施例８ 実施例１，２，３．４に於いて、非晶質層（１）の形成
を以下の表の条件にした以外は、各実施例に於ける条件
及び手順に従って像形成部材を作成し、各実施例に於け
るのとｐｉｉｌｌｌの評価を行ったところ、良好な結果
が得られえ。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材の好適な
実施態様例の層構造を模式的に示した楔式的會構成図、
第３図は、本発明の光導電部材を製造する為の装置の一
例を示す模式的な説明図である。 １００　、２００・・・光導電部材 １０１　、２０１・・支持体 １０２　、２０２　、２０４・・・補助！−１０４、２
０５・・・第一の非晶質層（１）１０５　、２０６・・
・第二の非晶質ｌ１ｌ（薦）１０％　、　２０７・・自
由赤面 出願人　キャノン株式会社 ００ Ｏ０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、Ｖ
   ｉ１嵩腺子原子成原子として含有する葬具質材料で構成
   された補助層と、シリコン原子と母体とし、周期律表第
   ■族に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料
   で構成され九電荷注入防止層と、シリコン原子を母体と
   する非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一〇ル晶
   貞Ｊ−と、該非晶質層上に設けられ、シリコン原子と畿
   嵩原子と水素原子とを構成原子としてぼむ非晶質材料で
   構成されｆｃ第二の非晶質層と、を有し、前記電荷注入
   防止層の層厚ｔが３０人以上で０．３μ未洒であり且つ
   電荷注入防止層中に謬Ｍされる１ＩｌＴｆ！、ｓ期律表
   第■族に属する原ｆの一〇　（Ｖ）が３０　ａｔｏｍｉ
   ｃ　ｐｐｍ以上であるか、又はＩＩＩＩＩ紀ｔが３０Å
   以上で且つ咄記Ｃ（Ｖ）が３０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以
   上で１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ未満である事を特徴
   とする光導電部材。