JPH01197762A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01197762A JPH01197762A JP2223288A JP2223288A JPH01197762A JP H01197762 A JPH01197762 A JP H01197762A JP 2223288 A JP2223288 A JP 2223288A JP 2223288 A JP2223288 A JP 2223288A JP H01197762 A JPH01197762 A JP H01197762A
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- Japan
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- layer
- alloy
- oxide film
- photosensitive
- vapor deposition
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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-
- G—PHYSICS
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- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セレン系材料の多層感光層を有する機能分離
型の複写機あるいはプリンタに用いられる電子写真感光
体に関する。
型の複写機あるいはプリンタに用いられる電子写真感光
体に関する。
セレン系材料の蒸着により感光層を積層する機能分離型
電子写真感光体においては、従来導電性基体上の電荷輸
送層に純Se、その上の電荷発生層に5e−Te合金、
表面保護層に5e−As合金または5e−Te合金を使
用したもの、もしくは電荷輸送層にAs、Se3等の高
ひ素濃度5e−As合金、電荷発生層に5e−Te合金
、表面保護層にAszSes等の高ひ素濃度Se−^S
合金を用いたものが知られている。
電子写真感光体においては、従来導電性基体上の電荷輸
送層に純Se、その上の電荷発生層に5e−Te合金、
表面保護層に5e−As合金または5e−Te合金を使
用したもの、もしくは電荷輸送層にAs、Se3等の高
ひ素濃度5e−As合金、電荷発生層に5e−Te合金
、表面保護層にAszSes等の高ひ素濃度Se−^S
合金を用いたものが知られている。
しかし、これらの層構成の電子写真感光体は、電荷発生
層より露光によらないで熱励起等により発生したキャリ
アが表面保護層に注入するため帯電後の暗減衰が大きく
、電荷保持率が低いという欠点があった。この点に関し
て電荷発生層と表面保護層の間にバンドギャップの大き
い純Se、高濃度Seの5e−TeあるいはSe−As
合金の層を設け、暗減衰特性の改善を図ろうとする努力
はなされているが、これだけでは充分な暗減衰特性が得
られない、特に表面保護層に高耐刷性を目的としてAs
zSe+または高ひ素濃度5e−As合金を用いた電子
写真感光体に関しては充分な暗減衰特性が得られていな
いのが現状であった。
層より露光によらないで熱励起等により発生したキャリ
アが表面保護層に注入するため帯電後の暗減衰が大きく
、電荷保持率が低いという欠点があった。この点に関し
て電荷発生層と表面保護層の間にバンドギャップの大き
い純Se、高濃度Seの5e−TeあるいはSe−As
合金の層を設け、暗減衰特性の改善を図ろうとする努力
はなされているが、これだけでは充分な暗減衰特性が得
られない、特に表面保護層に高耐刷性を目的としてAs
zSe+または高ひ素濃度5e−As合金を用いた電子
写真感光体に関しては充分な暗減衰特性が得られていな
いのが現状であった。
本発明の課題は、Se系材料の蒸着層の積層からなる機
能分離型のものにおいて、電荷発生層より露光によらな
いで発生したキャリアの注入による帯電後の暗減衰を低
減し、帯電・現像間に時間を要する電子写真プロセスに
おいても露光部と非露光部のコントラスト電位が充分大
きい電子写真感光体を提供することにある。
能分離型のものにおいて、電荷発生層より露光によらな
いで発生したキャリアの注入による帯電後の暗減衰を低
減し、帯電・現像間に時間を要する電子写真プロセスに
おいても露光部と非露光部のコントラスト電位が充分大
きい電子写真感光体を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明は、導電性基体上
に表面に向けて電荷輸送層、電荷発生層および表面保護
層が順に積層される電子写真感光体において、電荷発生
層の表面側に電荷発生層ある。いは表面保護層の成分元
素の少なくとも一つの酸化膜が介在するものとする。
に表面に向けて電荷輸送層、電荷発生層および表面保護
層が順に積層される電子写真感光体において、電荷発生
層の表面側に電荷発生層ある。いは表面保護層の成分元
素の少なくとも一つの酸化膜が介在するものとする。
電荷発生層の表面側に介在する酸化膜は、電荷発生層で
露光によらないで熱励起等で発生したキャリアの表面保
護層の表面層への注入を防ぐため、帯電後の暗減衰特性
を改善する。
露光によらないで熱励起等で発生したキャリアの表面保
護層の表面層への注入を防ぐため、帯電後の暗減衰特性
を改善する。
第1図は本発明の一実施例の断面構造を示し、アルミニ
ウム管を用いる導電性基体1の上に純SeあるいはAs
zSe3などの高ひ素濃度5s−As合金からなる電荷
輸送層2を蒸着で形成する。この上に5e−Te合金の
電荷発生層3をフラッシュ蒸着する。
ウム管を用いる導電性基体1の上に純SeあるいはAs
zSe3などの高ひ素濃度5s−As合金からなる電荷
輸送層2を蒸着で形成する。この上に5e−Te合金の
電荷発生層3をフラッシュ蒸着する。
これをオゾン気流中、酸素気流中または乾燥空気中に放
置することで表面にSeまたはTeの酸化被膜を形成さ
せる。放置する環境の気体は、電荷発生層3の表面に吸
着して電子写真感光体の特性を悪化させるハロゲンガス
等の活性ガスを含まなければオゾンまたは酸素を含むガ
スのいずれでもよい。
置することで表面にSeまたはTeの酸化被膜を形成さ
せる。放置する環境の気体は、電荷発生層3の表面に吸
着して電子写真感光体の特性を悪化させるハロゲンガス
等の活性ガスを含まなければオゾンまたは酸素を含むガ
スのいずれでもよい。
これら気体中に放置する事で形成した酸化膜による電子
注入抑制層4上に、俸テルル濃度5e−Te合金、純S
e、ひ素濃度5重量%以下の5e−As合金、ひ素濃度
30〜40重畳%の5e−As合金の各々を蒸着し、表
面保護IW5を形成した。
注入抑制層4上に、俸テルル濃度5e−Te合金、純S
e、ひ素濃度5重量%以下の5e−As合金、ひ素濃度
30〜40重畳%の5e−As合金の各々を蒸着し、表
面保護IW5を形成した。
第2図は本発明の別の実施例の断面構造を示すものであ
る。アルミニウム基体1.電荷輸送層2゜電荷発生層3
は上記の実施例と同様であるが、その上に低テルル濃度
5s−Te合金、純Ss、ひ素濃度5重量%以下の5e
−As合金、ひ素濃度30〜40重量%の5e−As合
金の各々を蒸着し表面保護層の下層51を形成する。こ
の状態で上記実施例と同様にオゾン、酸素または空気中
に放置する事でSe、 TeまたはAsの酸化被膜の電
子注入抑制層4を形成した。
る。アルミニウム基体1.電荷輸送層2゜電荷発生層3
は上記の実施例と同様であるが、その上に低テルル濃度
5s−Te合金、純Ss、ひ素濃度5重量%以下の5e
−As合金、ひ素濃度30〜40重量%の5e−As合
金の各々を蒸着し表面保護層の下層51を形成する。こ
の状態で上記実施例と同様にオゾン、酸素または空気中
に放置する事でSe、 TeまたはAsの酸化被膜の電
子注入抑制層4を形成した。
この上に先に形成した表面保ms下層51と同一組成の
表面保護層上層52を蒸着により形成した。
表面保護層上層52を蒸着により形成した。
以上の二つの実施例でいずれの材料の表面保護層を有す
る場合の感光体も暗減衰は平均80Vであった。これに
対し、酸化膜の電子注入抑制層4を設けない従来構造の
感光体では暗減衰が平均120Vであり、暗減衰特性の
著しい改善が認められた。
る場合の感光体も暗減衰は平均80Vであった。これに
対し、酸化膜の電子注入抑制層4を設けない従来構造の
感光体では暗減衰が平均120Vであり、暗減衰特性の
著しい改善が認められた。
本発明によれば、機能分離型電子写真感光体の感光層積
層の過程中にすでに形成された層の表面を酸化性雰囲気
にさらすことによって電荷発生層と感光層表面との間に
酸化膜を介在させることにより、露光によらないで発生
するキャリアの感光層表面層への注入を抑制することが
でき、暗減衰を低減することが可能になった。
層の過程中にすでに形成された層の表面を酸化性雰囲気
にさらすことによって電荷発生層と感光層表面との間に
酸化膜を介在させることにより、露光によらないで発生
するキャリアの感光層表面層への注入を抑制することが
でき、暗減衰を低減することが可能になった。
第1図は本発明の一実施例の構造を概念的に示す断面図
、第2図は別の実施例の構造を概念的に示す断面図であ
る。
、第2図は別の実施例の構造を概念的に示す断面図であ
る。
Claims (1)
- 1)導電性基体上に表面に向けて電荷輸送層、電荷発生
層および表面保護層が順に積層されるものにおいて、電
荷発生層の表面側に電荷発生層あるいは表面保護層の成
分元素の少なくとも一つの酸化膜が介在することを特徴
とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2223288A JPH01197762A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2223288A JPH01197762A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01197762A true JPH01197762A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12077049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2223288A Pending JPH01197762A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01197762A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149563A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP2223288A patent/JPH01197762A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03149563A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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