JPS59223430A - X線感光体 - Google Patents
X線感光体Info
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- JPS59223430A JPS59223430A JP9881683A JP9881683A JPS59223430A JP S59223430 A JPS59223430 A JP S59223430A JP 9881683 A JP9881683 A JP 9881683A JP 9881683 A JP9881683 A JP 9881683A JP S59223430 A JPS59223430 A JP S59223430A
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- photoreceptor
- ray
- substrate
- photosensitive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、X線感光体に関し、特に、蛍光体層を有した
X線感光体に関するものである。
X線感光体に関するものである。
従来技術
従来、X線感光体表面に一様帯電を行い、再生像パター
ンに応じて感光体表面にX線露光を行い静電潜像を形成
した後、現像剤を静電潜像、4ターンに応じて選択的に
付着させ現像を行い、しかる後記録紙あるいは記録フィ
ルムに転写する装置が知られている。
ンに応じて感光体表面にX線露光を行い静電潜像を形成
した後、現像剤を静電潜像、4ターンに応じて選択的に
付着させ現像を行い、しかる後記録紙あるいは記録フィ
ルムに転写する装置が知られている。
添付図面の第1図は、従来のX線感光体の一例の構成を
示す概略図でアシ、この従来のX線感光体は、導電性基
板1上にセレン層である感光層2を設けたものである。
示す概略図でアシ、この従来のX線感光体は、導電性基
板1上にセレン層である感光層2を設けたものである。
このX線感光体の表面に露光による静電潜像を形成する
には、先ず、感光層2上に正電荷の一様帯電を施した後
、前述の露光操作を行なう。露光によシ感光層2中で光
キャリアが発生し、このΦヤリアの中、正電荷は感光体
表面の正の帯電電荷の静電気力によシ導電性基板1側へ
移動する。他方光キャリアの中食電荷は感光層2中を移
動し、この表面正帯電電荷と結合するため、帯電電荷密
度が低下し、露光ノやターンに応じた電荷密度分布、つ
まり静電潜像が形成される。この従来の感光体では光キ
ヤリア発生層としてセレン層を用いているので、X線露
光による光キヤリア発生効率は低く鮮明な再生画を得る
ことができなかった。
には、先ず、感光層2上に正電荷の一様帯電を施した後
、前述の露光操作を行なう。露光によシ感光層2中で光
キャリアが発生し、このΦヤリアの中、正電荷は感光体
表面の正の帯電電荷の静電気力によシ導電性基板1側へ
移動する。他方光キャリアの中食電荷は感光層2中を移
動し、この表面正帯電電荷と結合するため、帯電電荷密
度が低下し、露光ノやターンに応じた電荷密度分布、つ
まり静電潜像が形成される。この従来の感光体では光キ
ヤリア発生層としてセレン層を用いているので、X線露
光による光キヤリア発生効率は低く鮮明な再生画を得る
ことができなかった。
更に、このような感光体を改善してX線露光に対する感
度を増大させるようなX線感光体並びにそのための潜像
形成方法も従来から知られている。
度を増大させるようなX線感光体並びにそのための潜像
形成方法も従来から知られている。
その種の従来のX線感光体の一例の構成をKk J図に
概略的に示している。この従来のX線感光体は第一図に
示されるように、支持体3、蛍光体層4導電層5、透光
性絶縁層6、感光層7及び表面絶縁層8を積層してなっ
ている。このX線感光体の表面にX@露光による静電潜
像を形成するには、先ず、第3図力に示すように、表面
絶縁層8の表面に一次帯電と同時に可視光による一様露
光を行ない、その後、第3図0に示すように、−次帯電
とは逆極性若しくは交流帯電をX線露光と同時に加える
操作を行なう。このX線露光は、支持体3の感光層7と
は反対の側から、間にX線遮蔽被写体1Bを置いてX線
管1TからX線を照射することKよって行なわれる。最
後に、第3図0に示すように、表面絶縁層8に対して可
視光による全面露光を行なうことによ゛クーて、X線露
光パターンに応じた静電潜像が形成される。
概略的に示している。この従来のX線感光体は第一図に
示されるように、支持体3、蛍光体層4導電層5、透光
性絶縁層6、感光層7及び表面絶縁層8を積層してなっ
ている。このX線感光体の表面にX@露光による静電潜
像を形成するには、先ず、第3図力に示すように、表面
絶縁層8の表面に一次帯電と同時に可視光による一様露
光を行ない、その後、第3図0に示すように、−次帯電
とは逆極性若しくは交流帯電をX線露光と同時に加える
操作を行なう。このX線露光は、支持体3の感光層7と
は反対の側から、間にX線遮蔽被写体1Bを置いてX線
管1TからX線を照射することKよって行なわれる。最
後に、第3図0に示すように、表面絶縁層8に対して可
視光による全面露光を行なうことによ゛クーて、X線露
光パターンに応じた静電潜像が形成される。
このような静電潜像形成プロセスに用いられるX線感光
体においては、X線のエネルギーは、蛍光体層4によシ
可視光に変換され、また蛍光体層4を透過したエネルギ
ーは、感光層Tを励起するので、X線露光による光キヤ
リア発生効率は良くなる。しかしながら、この従来のX
線感光体ではX線露光側からみて、感光層Tの前に蛍光
体層4が位置しているので、キャリア発生効率に限界が
ある。その上、一般に製造される蛍光体層は分散塗布系
であるから、実際に現像転写した際の画像が粒状性で低
品位な画像となってしまうという問題もある。更に、仁
の従来の潜像形成プロゝ・、セスでは、X線照射時に一
次帯電と逆極性の電荷を加えるという複雑な装置が必要
とされるという問題もある。
体においては、X線のエネルギーは、蛍光体層4によシ
可視光に変換され、また蛍光体層4を透過したエネルギ
ーは、感光層Tを励起するので、X線露光による光キヤ
リア発生効率は良くなる。しかしながら、この従来のX
線感光体ではX線露光側からみて、感光層Tの前に蛍光
体層4が位置しているので、キャリア発生効率に限界が
ある。その上、一般に製造される蛍光体層は分散塗布系
であるから、実際に現像転写した際の画像が粒状性で低
品位な画像となってしまうという問題もある。更に、仁
の従来の潜像形成プロゝ・、セスでは、X線照射時に一
次帯電と逆極性の電荷を加えるという複雑な装置が必要
とされるという問題もある。
発明の目的
本発明の目的は、前述したような従来の問題点を解消し
、容易に静電潜像を形成できしかも高い露光感度及び解
像力を有したX線感光体を提供することである。
、容易に静電潜像を形成できしかも高い露光感度及び解
像力を有したX線感光体を提供することである。
発明の構成
本発明によれば、感光体層表面に一様に帯電された帯電
電荷密度をX線照射によシ得られ7し光キャリアによシ
低減せしめて静電潜像を形成するようにしたX線感光体
において、支持体上に、少なくとも蛍光体層、1liE
層及び感光層が、X約照射側の方へ向ってこの順序で積
層される。
電荷密度をX線照射によシ得られ7し光キャリアによシ
低減せしめて静電潜像を形成するようにしたX線感光体
において、支持体上に、少なくとも蛍光体層、1liE
層及び感光層が、X約照射側の方へ向ってこの順序で積
層される。
実施例
次に、添付図面の第ダ図、第3図及び第6図を参照して
本発明の実施例について本発明をよシ詳細に説明する。
本発明の実施例について本発明をよシ詳細に説明する。
第q図は、本発明の一実施例としてのxぶν感光体の構
成を概略的に示してhる。この実施例のX線感光体は、
支持体9上に、X線照射側のノア′へ向って、蛍光体層
10、導電層11及び感光fit 12を仁の順に積層
してなってbる。
成を概略的に示してhる。この実施例のX線感光体は、
支持体9上に、X線照射側のノア′へ向って、蛍光体層
10、導電層11及び感光fit 12を仁の順に積層
してなってbる。
支持体9は、ステンレス、Al、Mo、Au等の金属又
はこれらの合金等の導電性支持体で4.)ってよく、ま
た、アクリル、スチレン、テフロン′、ナイロン、紙、
ガラス等の絶縁性支持体であってもよい。
はこれらの合金等の導電性支持体で4.)ってよく、ま
た、アクリル、スチレン、テフロン′、ナイロン、紙、
ガラス等の絶縁性支持体であってもよい。
蛍光体層10は、例えば、支持体90表面に、CaWo
、、ZnSJAg、 Zn5iCu、 GaO,5IT
b等ノ/〜±θμ:好ましくは3〜/θμ径の微粒子を
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ、ウレタン、
ポリビニルアセテート等油性有機樹脂結着剤の他ポリビ
ニルアルコール、ポリビニル♂ロリドン、メチルセルロ
ース等水溶性有機樹脂結着剤を主成分とする溶液中に分
散し、それをSθ〜/、0θ0・μ厚にディッピング、
ブレード法、スプレー法、沈降法等に、l塗布すること
によって形成される。
、、ZnSJAg、 Zn5iCu、 GaO,5IT
b等ノ/〜±θμ:好ましくは3〜/θμ径の微粒子を
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ、ウレタン、
ポリビニルアセテート等油性有機樹脂結着剤の他ポリビ
ニルアルコール、ポリビニル♂ロリドン、メチルセルロ
ース等水溶性有機樹脂結着剤を主成分とする溶液中に分
散し、それをSθ〜/、0θ0・μ厚にディッピング、
ブレード法、スプレー法、沈降法等に、l塗布すること
によって形成される。
また、蛍光体層10は、使用する蛍光体材料によっては
、例えば、Csl、T、6では、蒸着;スノ臂ツタリン
グ法によっても形成されうる。また1支持体9の上面に
蛍光体層10を形成することについて説明したが、蛍光
体層10の裏面に支持体9を形成することも考えられ、
本発明は、その製造工程の順に限定されるもので表<、
とのととは、以下に述べる他の各層の形成についても同
様である。
、例えば、Csl、T、6では、蒸着;スノ臂ツタリン
グ法によっても形成されうる。また1支持体9の上面に
蛍光体層10を形成することについて説明したが、蛍光
体層10の裏面に支持体9を形成することも考えられ、
本発明は、その製造工程の順に限定されるもので表<、
とのととは、以下に述べる他の各層の形成についても同
様である。
導電層11は、X線露光側に対して後側に位置する蛍光
体層10と感光層12との間に位置するため、この導電
層11は、感光層12を透過したX線エネルギーに、1
発光した蛍光体層1Qの可視光エネルギーを感光層12
に効率よく与える必要性がアシ、蛍光体層1oの発光ス
ペクトルに対して透明である事が要求される。その上、
この導電層11は、感光層120表面との間に電気力線
を形成する働きを持ち自由電子の移動を可能とする程度
の面積抵抗を有していて、1011 Ω/1]以下の抵
抗値を有していることが必要である。この導電層11は
、例えば、Cul、I n、O,、S n O,、TI
O。
体層10と感光層12との間に位置するため、この導電
層11は、感光層12を透過したX線エネルギーに、1
発光した蛍光体層1Qの可視光エネルギーを感光層12
に効率よく与える必要性がアシ、蛍光体層1oの発光ス
ペクトルに対して透明である事が要求される。その上、
この導電層11は、感光層120表面との間に電気力線
を形成する働きを持ち自由電子の移動を可能とする程度
の面積抵抗を有していて、1011 Ω/1]以下の抵
抗値を有していることが必要である。この導電層11は
、例えば、Cul、I n、O,、S n O,、TI
O。
の他、A7. Ag、 Pb、 Zn、旧、Au、 C
u、 Mo、 I n。
u、 Mo、 I n。
Nb、 Ta、 V、 T I、Pt、Ul等又はこれ
らの付合を真空蒸着、グロー放電ス/母ツタリング等す
ることによシ膜状に形成されたものでよく、まえ、この
ような膜をラミネー°トシて形成されたものでもよく、
更にまた、低抵抗金属若しくは金属酸化物を結着剤中に
分散してディッピング、プレー−法、スプレー法等で層
状に形成されたものでもコい。
らの付合を真空蒸着、グロー放電ス/母ツタリング等す
ることによシ膜状に形成されたものでよく、まえ、この
ような膜をラミネー°トシて形成されたものでもよく、
更にまた、低抵抗金属若しくは金属酸化物を結着剤中に
分散してディッピング、プレー−法、スプレー法等で層
状に形成されたものでもコい。
感光層12は、例えば、支持体9−蛍光体層1〇−導電
層11からなる基−板上に、SeメはSe系合金の膜を
蒸着して形成されてもよい。叔光層12を形成する材料
としては、Se単体、5eTcXSeAs、5eTcA
s 等の合金系及びこれらSe合金にBi、Sb、S
の他、Ga1n等をドーピングして用いてよく、更に
、ハロゲノ等の不純物を添加して用いてもよい。X線感
光体用の前述のSe系感光体は、支持体製−蛍光体層1
0−導電層11からなる基板上で20〜300μ、好ま
しくは、gθ〜−〇θμの厚さに形成される。また、こ
の感光層12は、単層に限定されるものでなく、積層さ
れたものであってもよい。積層型の感光層としては、蛍
光体層くよってX線エネルギーが可視光変換された側(
支持体側)に蛍光体層の発光スペクトルに感光層分光感
度を合致させるような増感剤をドーグした増感層を設け
てもよいし、あるいは、電荷捕獲層、表面層を具備した
二層若しくはそれ以上の層で形成されていてもよい。ま
た、感光層12を形成する材料は、X線の励起が通常の
複写機用の感光体のように表面近傍だけの場合と
i異なり、感光層断面方向全域に受ける都合上、感光
体表面を正負倒れに帯電しても正負両極性の易動度の大
きいことが有利で、例えば、seをp、光層に用いた場
合、酸素含有量が少ないと思われるSeを用いるのが有
効である。
層11からなる基−板上に、SeメはSe系合金の膜を
蒸着して形成されてもよい。叔光層12を形成する材料
としては、Se単体、5eTcXSeAs、5eTcA
s 等の合金系及びこれらSe合金にBi、Sb、S
の他、Ga1n等をドーピングして用いてよく、更に
、ハロゲノ等の不純物を添加して用いてもよい。X線感
光体用の前述のSe系感光体は、支持体製−蛍光体層1
0−導電層11からなる基板上で20〜300μ、好ま
しくは、gθ〜−〇θμの厚さに形成される。また、こ
の感光層12は、単層に限定されるものでなく、積層さ
れたものであってもよい。積層型の感光層としては、蛍
光体層くよってX線エネルギーが可視光変換された側(
支持体側)に蛍光体層の発光スペクトルに感光層分光感
度を合致させるような増感剤をドーグした増感層を設け
てもよいし、あるいは、電荷捕獲層、表面層を具備した
二層若しくはそれ以上の層で形成されていてもよい。ま
た、感光層12を形成する材料は、X線の励起が通常の
複写機用の感光体のように表面近傍だけの場合と
i異なり、感光層断面方向全域に受ける都合上、感光
体表面を正負倒れに帯電しても正負両極性の易動度の大
きいことが有利で、例えば、seをp、光層に用いた場
合、酸素含有量が少ないと思われるSeを用いるのが有
効である。
第3図は、本発明の別の実施例としての〉−純然光体の
構成を概略的に示している。この実へi例のX線感光体
は、支持体B上に、X線照射側の方へ向って、蛍光体層
1G、導電層11及び感オニ層12をこの順に積層して
いる点において、第9図の実施例のものと同じであるが
、蛍光体層1oは支持体保護層13及び反射層14を介
して支持体9上に形成され−Cおシ、導電層11は、目
止め層15を介して蛍光体層1o上に形成されており、
更に、感光層12上には、表面層16が設り°られてい
る。
構成を概略的に示している。この実へi例のX線感光体
は、支持体B上に、X線照射側の方へ向って、蛍光体層
1G、導電層11及び感オニ層12をこの順に積層して
いる点において、第9図の実施例のものと同じであるが
、蛍光体層1oは支持体保護層13及び反射層14を介
して支持体9上に形成され−Cおシ、導電層11は、目
止め層15を介して蛍光体層1o上に形成されており、
更に、感光層12上には、表面層16が設り°られてい
る。
第に図の実施例において、支持体保護層13は支持体9
上に蛍光体層10′t−塗布するときにその溶剤に対し
て支持体9を保護したシ、またト、支持体9の表面の凹
凸を吸収して平滑化する[」的で設けられる。反射、1
14U、蛍光体層1oが発光した光を効率よく感光層1
2の方へ与えるために設けられる。
上に蛍光体層10′t−塗布するときにその溶剤に対し
て支持体9を保護したシ、またト、支持体9の表面の凹
凸を吸収して平滑化する[」的で設けられる。反射、1
14U、蛍光体層1oが発光した光を効率よく感光層1
2の方へ与えるために設けられる。
また目止め層15は次のような目的で設けられる。すな
わち、蛍光体層1oが分散塗布系で形成された場合、蛍
光体層1oの表面は蛍光体粒子径の増大に伴ないX線励
起に対する蛍光体層面発光効率が増大する性格上、大粒
子の蛍光体を用い凹凸が著しい事が多い。このため、導
電層11が理想通シに形成できなくなることがあるばか
シでなく、この凹凸の影響で後に形成する感光層12の
表面にまで凹凸が影響する場合は現像転写工8による画
像品位の低下のみならず一様帯電[行密度若しくは前記
電荷密度による電気力線の乱れにょシ潜像品位を低下さ
せる等の問題を生じてしまう。
わち、蛍光体層1oが分散塗布系で形成された場合、蛍
光体層1oの表面は蛍光体粒子径の増大に伴ないX線励
起に対する蛍光体層面発光効率が増大する性格上、大粒
子の蛍光体を用い凹凸が著しい事が多い。このため、導
電層11が理想通シに形成できなくなることがあるばか
シでなく、この凹凸の影響で後に形成する感光層12の
表面にまで凹凸が影響する場合は現像転写工8による画
像品位の低下のみならず一様帯電[行密度若しくは前記
電荷密度による電気力線の乱れにょシ潜像品位を低下さ
せる等の問題を生じてしまう。
この場合には、導電層11を形成する前に、蛍光体層1
0の表面を平滑化する処理が必要で、例えば、研摩、パ
フェ例でその処理を行なってもよいが、蛍光体層1oの
表面に目止め層15として熱硬化性樹脂を平滑にコーテ
ィングすることも有効である。
0の表面を平滑化する処理が必要で、例えば、研摩、パ
フェ例でその処理を行なってもよいが、蛍光体層1oの
表面に目止め層15として熱硬化性樹脂を平滑にコーテ
ィングすることも有効である。
感光層12の表面に積層される表面層16は、励起X線
に対して透光性のものであって感光体の帯電能、感光ノ
ー保護の点から有効である。C1の表面#16は /(
711Ω・m以下の抵抗を有し、その電気伝導の形態は
イオン伝導性であって−J電子伝導性であってもよい。
に対して透光性のものであって感光体の帯電能、感光ノ
ー保護の点から有効である。C1の表面#16は /(
711Ω・m以下の抵抗を有し、その電気伝導の形態は
イオン伝導性であって−J電子伝導性であってもよい。
次に、本発明の構成によるX@感光体の効果を確認する
ため具体的に実験してみた結果について以下の〔実施例
〕、〔比較例/〕、〔比較t4!1.2)としてまとめ
て説明する。
ため具体的に実験してみた結果について以下の〔実施例
〕、〔比較例/〕、〔比較t4!1.2)としてまとめ
て説明する。
、2割厚のフェノール樹脂基板上にシクロ・°・キサノ
ン/θOX、−X部、ポリエステル樹脂107h量部と
サラン樹脂70重を部中にlOμ径のz r+ 3 i
Agの蛍光体10θ重量部と、分散補助剤として7ツ
素系昇面活性剤/重景部を分散したペーストをブレード
塗布乾燥し500μ厚の蛍光体層を形成した。次に、熱
可塑性樹脂(ポリブタジェンゴム)を再びブレード塗布
乾燥し目止め層を形成し、次に蒸着槽に装填し、スーン
ジTiを蒸着した後酸化処理しTie、透明電極を形成
し、導電層で一形成し、次に、Seを/3θμ厚蒸着積
層し、感光体とした。この感光体表面に表面電位が+/
1,0θ■になるようにコロナ帯電を施し、次に3m厚
のVp アクリル板を介し100 .20mAのX線を感光体
表面側から連続照射し電位の変化を記録した。また、同
様に、感光体表面電位が一ノロθθ■になるようにコロ
ナ帯電を施した場合に関しても電位の変化を記録した。
ン/θOX、−X部、ポリエステル樹脂107h量部と
サラン樹脂70重を部中にlOμ径のz r+ 3 i
Agの蛍光体10θ重量部と、分散補助剤として7ツ
素系昇面活性剤/重景部を分散したペーストをブレード
塗布乾燥し500μ厚の蛍光体層を形成した。次に、熱
可塑性樹脂(ポリブタジェンゴム)を再びブレード塗布
乾燥し目止め層を形成し、次に蒸着槽に装填し、スーン
ジTiを蒸着した後酸化処理しTie、透明電極を形成
し、導電層で一形成し、次に、Seを/3θμ厚蒸着積
層し、感光体とした。この感光体表面に表面電位が+/
1,0θ■になるようにコロナ帯電を施し、次に3m厚
のVp アクリル板を介し100 .20mAのX線を感光体
表面側から連続照射し電位の変化を記録した。また、同
様に、感光体表面電位が一ノロθθ■になるようにコロ
ナ帯電を施した場合に関しても電位の変化を記録した。
次に、蛍光体層が感光層に対してフロント側に位置する
場合の比較例と−して、3餌厚のアクリル板上に実施例
と同組成の蛍光体層、目止め層、導電層、感光層を積層
し感光体表面に表面電位が+1toovになるようにコ
四す帯電を施した後、にVp 感光体裏面側から100 、.20mAのX線を連続
照射し電位の変化を記録した。即ち、実施例本比較例共
、感光体に入射するX線エネルギーはJw+厚のアクリ
ル板を透過するようにした。
場合の比較例と−して、3餌厚のアクリル板上に実施例
と同組成の蛍光体層、目止め層、導電層、感光層を積層
し感光体表面に表面電位が+1toovになるようにコ
四す帯電を施した後、にVp 感光体裏面側から100 、.20mAのX線を連続
照射し電位の変化を記録した。即ち、実施例本比較例共
、感光体に入射するX線エネルギーはJw+厚のアクリ
ル板を透過するようにした。
次に、蛍光体層がない場合の比較例としてコ■厚のA7
板上に実施例と同じ感光層を形成し感光体とし実施例と
同様の操作で電位の変化を記録した。
板上に実施例と同じ感光層を形成し感光体とし実施例と
同様の操作で電位の変化を記録した。
第6図のグラフは、前述の〔実施例〕、〔比較例1〕、
〔比較例コ〕にてそれぞれ得られフコ感光体表面の電位
の変化を示している。
〔比較例コ〕にてそれぞれ得られフコ感光体表面の電位
の変化を示している。
次に、前述の〔実施例〕、〔比較例/〕、〔比較例コ〕
の感光体を用い、解像カフアントノ・、ウェッジ7アン
トムを介し夫々の感光体に適正の露光量を照射し、複写
機(ゼpツクスジステム/コj機)を用い現像、転写し
た所、比較例/の感光体は解像力と低露光域の画像品位
に難点を示し、たが実施例の感光体は、解像力、画像品
位共に片較例コの感光体と同等若しくはそれ以上の画像
が得られた。
の感光体を用い、解像カフアントノ・、ウェッジ7アン
トムを介し夫々の感光体に適正の露光量を照射し、複写
機(ゼpツクスジステム/コj機)を用い現像、転写し
た所、比較例/の感光体は解像力と低露光域の画像品位
に難点を示し、たが実施例の感光体は、解像力、画像品
位共に片較例コの感光体と同等若しくはそれ以上の画像
が得られた。
発明の効果
本発明によるX線感光体は、第6図のグ:57における
比較例/、2との比較からも明らかなように、従来のも
のと較べて、露光感度が高い、その上、従来のものに比
して容易に静電潜像を形成でき、解像力が高く良質の再
生画像を得ることができる。
比較例/、2との比較からも明らかなように、従来のも
のと較べて、露光感度が高い、その上、従来のものに比
して容易に静電潜像を形成でき、解像力が高く良質の再
生画像を得ることができる。
第7図は従来のX線感光体の一例の構成を示す概略断面
図、第一図は従来のX線感光体の別の例の構成を示す概
略断面図、第3図は第2図のX線感光体を用いた場合の
潜像形成工程を説明するための図、第を図は本発明の一
実施例としてのX線感光体の構成を示す概略断面図、第
S図は本発明の別の実施例としてのX線感光体の構成を
示す概略断面図、第6図は本発明によるX線感光体と従
来のX線感光体との露光感度の相違を示すため各感光体
の表面の電位の変化を示す図である。
図、第一図は従来のX線感光体の別の例の構成を示す概
略断面図、第3図は第2図のX線感光体を用いた場合の
潜像形成工程を説明するための図、第を図は本発明の一
実施例としてのX線感光体の構成を示す概略断面図、第
S図は本発明の別の実施例としてのX線感光体の構成を
示す概略断面図、第6図は本発明によるX線感光体と従
来のX線感光体との露光感度の相違を示すため各感光体
の表面の電位の変化を示す図である。
Claims (1)
- 感光体層表面に一様に帯電された帯電電荷密度をX線照
射によシ得られた光キャリアによシ低減せしめて静電潜
像を形成するようKしたx島感光体において、支持体上
に、少女くとも蛍光体層、導電層及び感光層が、X線照
射側の方へ向ってこの順序で積層されている仁とを特徴
とするX線感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9881683A JPS59223430A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | X線感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9881683A JPS59223430A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | X線感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59223430A true JPS59223430A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14229841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9881683A Pending JPS59223430A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | X線感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59223430A (ja) |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP9881683A patent/JPS59223430A/ja active Pending
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