JPS58202450A - 長波長光用電子写真感光体 - Google Patents
長波長光用電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS58202450A JPS58202450A JP57086189A JP8618982A JPS58202450A JP S58202450 A JPS58202450 A JP S58202450A JP 57086189 A JP57086189 A JP 57086189A JP 8618982 A JP8618982 A JP 8618982A JP S58202450 A JPS58202450 A JP S58202450A
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- JP
- Japan
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- layer
- light
- long wavelength
- photoconductive
- thick
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、長波長領域で高感度を示す長波長光用電子写
真感光体に関する。
真感光体に関する。
電子写真用感光体としては、アルミニウムなどの導電性
基体上にセレン系合金全真空蒸着してMA″yt層を設
は比ものが従来から広く用いられていtにれはセレン感
光体が十分な受容電位小さな暗減衰、比較的速い感度な
どで総合的に優れ7′P−a性を有するからである。
基体上にセレン系合金全真空蒸着してMA″yt層を設
は比ものが従来から広く用いられていtにれはセレン感
光体が十分な受容電位小さな暗減衰、比較的速い感度な
どで総合的に優れ7′P−a性を有するからである。
一方、゛電子写真記録方式のうち、ノンインパクトプリ
ンター等でレーザー元を、用いる方法が最近注目され技
術開発も盛んであるが、一般にレーザープリンター川の
光源は長波長光が多く、感光体は800rrn近傍にお
ける光感度が優れていなければならない。
ンター等でレーザー元を、用いる方法が最近注目され技
術開発も盛んであるが、一般にレーザープリンター川の
光源は長波長光が多く、感光体は800rrn近傍にお
ける光感度が優れていなければならない。
しかしながら、セレンは400〜500 nmの短波長
側にしか感度を有しないという欠点があつ定。
側にしか感度を有しないという欠点があつ定。
長波長側にW&度をもたせ几感光体として。
As25elに代表されるアモルファスのS e A
s感光層全役けt感光体が知られている〃・、長波長
増、・6にも限界があり、800nm付近の光に対する
光感度が不十分であつt、又、将にAs2Se3を長波
長光用(LD用)感光体として約800nmに1固有感
1f’にもtせ工うとすると、エネルギーギャップとし
てばfll、 6 e U程度全要求され。
s感光層全役けt感光体が知られている〃・、長波長
増、・6にも限界があり、800nm付近の光に対する
光感度が不十分であつt、又、将にAs2Se3を長波
長光用(LD用)感光体として約800nmに1固有感
1f’にもtせ工うとすると、エネルギーギャップとし
てばfll、 6 e U程度全要求され。
必然的に個有′電気抵抗の低下をきt丁ことが矧られで
いる。
いる。
「ノン−インパクトプリンディングテクノロジー(SP
SE81Jコンフ了レンスでは次に示すような感光体が
提案されto l) 叉愕本上にA 82 ’ S e3−Z・Tez
なる感光層を設は之もの。χ=0.3の組成において、
λ=800nmに対しo−6μJ/7(800Vから4
00Vまでth、減衰させるのに必要とされる元エネル
ギー)の感度を示す・ 2)叉待体上に−841J彌(a厚60A)、5eto
”Te5o II (−a厚0.3μ) 、 Aas
SewIjj (rty%厚0、2〜3μ)t;順次積
層しtもの。これは。
SE81Jコンフ了レンスでは次に示すような感光体が
提案されto l) 叉愕本上にA 82 ’ S e3−Z・Tez
なる感光層を設は之もの。χ=0.3の組成において、
λ=800nmに対しo−6μJ/7(800Vから4
00Vまでth、減衰させるのに必要とされる元エネル
ギー)の感度を示す・ 2)叉待体上に−841J彌(a厚60A)、5eto
”Te5o II (−a厚0.3μ) 、 Aas
SewIjj (rty%厚0、2〜3μ)t;順次積
層しtもの。これは。
λ=825nmに対し−5μJ/C4(800Vから2
00 V’iで光減衰させるのに必要とされる元エネル
ギー〕の感度を示す。
00 V’iで光減衰させるのに必要とされる元エネル
ギー〕の感度を示す。
3)叉待体上に、5eeTe−を設けたもの。
TelJ度は不明であるがλ=800nmに対し、3〜
4μJ/−の感度を示す。
4μJ/−の感度を示す。
上記1ノのAs2 Se31c Te ′fI:3 a
tm%もドープしm系では個有抵抗として1011Ω画
、全層60μとして層全体の抵抗が6 X 18’Ωと
非常に小さい値となる。通常の電子写真プロセス上感光
体の抵抗として必要とされる値は最低約IQIOΩのオ
ーダーとされて居り、上記の毎(10SΩのオーダーで
はa像形底過程での暗減衰が大き(システムのコントロ
ールが容易ではない。
tm%もドープしm系では個有抵抗として1011Ω画
、全層60μとして層全体の抵抗が6 X 18’Ωと
非常に小さい値となる。通常の電子写真プロセス上感光
体の抵抗として必要とされる値は最低約IQIOΩのオ
ーダーとされて居り、上記の毎(10SΩのオーダーで
はa像形底過程での暗減衰が大き(システムのコントロ
ールが容易ではない。
一方、上記2)、3)の様にSeにTet高J度にドー
プし、8QOnm近傍に感度tも之せる為にはTea度
として約30at4程波が必要とされる口しかしこの様
に高濃度のTeをドープしt系は構造的に非常に不安定
でめり、衆礪ストレス温度上昇によって容易に結晶化し
、耐久性の点で非常に問題がある。傅に、ノン・インパ
クトプリンター用感元本の寿命は、従来の復写懺用の1
0万枚のオーダーと比較し一行アツブが要求されている
ことから、上記5o−T e系では構造的に不安が残る
。又表面のS e −A s、5s−T@膚はヴイツカ
ス硬度50〜60程度シカナくペーパージャムに工って
容易にキズを発生する丸め、この意味でも耐久性に乏し
い。
プし、8QOnm近傍に感度tも之せる為にはTea度
として約30at4程波が必要とされる口しかしこの様
に高濃度のTeをドープしt系は構造的に非常に不安定
でめり、衆礪ストレス温度上昇によって容易に結晶化し
、耐久性の点で非常に問題がある。傅に、ノン・インパ
クトプリンター用感元本の寿命は、従来の復写懺用の1
0万枚のオーダーと比較し一行アツブが要求されている
ことから、上記5o−T e系では構造的に不安が残る
。又表面のS e −A s、5s−T@膚はヴイツカ
ス硬度50〜60程度シカナくペーパージャムに工って
容易にキズを発生する丸め、この意味でも耐久性に乏し
い。
不発明の目的は800nm付近のLD発光帯域に高#4
度を有する上、繰り返し使用による帯電特性の劣化が殆
んどなく、従って実用上、光疲労がムめて少ない長波長
光用電子写真感光体を提供することである。
度を有する上、繰り返し使用による帯電特性の劣化が殆
んどなく、従って実用上、光疲労がムめて少ない長波長
光用電子写真感光体を提供することである。
即ち、本発明の感光体は導亀性叉狩体上に第−光導邂噛
として八3を30〜45 atm僑含むアモルファス構
造でAJ130〜60μの5e−As層、第二元導電層
として 八8 ・Se −−Ry Z t z−y (式中、χ= 0.3−0.4であり、 Rf’iT
e 、S bBiから選ばれる原子のいずれか一つを示
し。
として八3を30〜45 atm僑含むアモルファス構
造でAJ130〜60μの5e−As層、第二元導電層
として 八8 ・Se −−Ry Z t z−y (式中、χ= 0.3−0.4であり、 Rf’iT
e 、S bBiから選ばれる原子のいずれか一つを示
し。
RがTeの場合はy=Q、35〜0.12 、 Rがs
bの場合はy=o、os〜0.lO,RがBiの場合は
y = o、 o a〜0.07である。)で示される
アモルファス構造で膜JilO〜30μのAs Se
−前記R層、第二元導電層としてA s f 3 Q〜
45atm4含むアモルファス構造で膜厚が0.5〜3
. OAのSe−Asm’!z順次積層してなることを
待機とするものである。
bの場合はy=o、os〜0.lO,RがBiの場合は
y = o、 o a〜0.07である。)で示される
アモルファス構造で膜JilO〜30μのAs Se
−前記R層、第二元導電層としてA s f 3 Q〜
45atm4含むアモルファス構造で膜厚が0.5〜3
. OAのSe−Asm’!z順次積層してなることを
待機とするものである。
本発明は、第1図に示し友ように導電性支持体4上に第
一光導を層1.第二元導電層2.第三元導亀層3からな
る三層構造の光導電1曽を設け、構造的に安定なAs2
Se3近傍組取からの展開としtものであるが、次にq
+層の役割1組既。
一光導を層1.第二元導電層2.第三元導亀層3からな
る三層構造の光導電1曽を設け、構造的に安定なAs2
Se3近傍組取からの展開としtものであるが、次にq
+層の役割1組既。
膜厚等について詳述する。
イ〕 第二元導電層
表面ブロッキング層としての役割を有し。
A s f 30〜45atm9&含むアモルファス構
造のS*As1−であり、膜厚は0.5〜3.OAであ
る。
造のS*As1−であり、膜厚は0.5〜3.OAであ
る。
As30幅以下では、構造、上の不安定性が増し、キャ
リアトラップM度が壇■し、45易以上では姶晶化しゃ
すい。又、膜厚が0.5μ以下ではペーパージャム等の
キズに工9第二元4五1−が露出される之め帯1ムラ2
志度ムラ?発生する。3μ以上では第二″yt、導五層
で発生したキャリアの内′電子が自由表面まで到達する
のに時間を要し、感度低下をひきおこし好ましくない。
リアトラップM度が壇■し、45易以上では姶晶化しゃ
すい。又、膜厚が0.5μ以下ではペーパージャム等の
キズに工9第二元4五1−が露出される之め帯1ムラ2
志度ムラ?発生する。3μ以上では第二″yt、導五層
で発生したキャリアの内′電子が自由表面まで到達する
のに時間を要し、感度低下をひきおこし好ましくない。
なお、第三光導域層内での電子移動度は非常に小さい。
口)第二光導゛電層
キャリア発生層としての役割を有し。
Asz*5e1−z、*Ry。
(式中−Z=0.3〜0.4であり、R14To。
Sb、13iから選ばれる原子のいずれが一つを示し、
RがTeの場合はy=Q、Q5〜0.12−Rがsbo
場合はy=o、os〜0110 、RがBiの場合a7
=0.03〜0.07である。) で示されるアモルファス構造OA s −S e −前
7記R1−であり、膜厚はIQ〜30μである。
RがTeの場合はy=Q、Q5〜0.12−Rがsbo
場合はy=o、os〜0110 、RがBiの場合a7
=0.03〜0.07である。) で示されるアモルファス構造OA s −S e −前
7記R1−であり、膜厚はIQ〜30μである。
A s ’744度は第一、第三元4邂順との界面での
構造不整をさけるためできるだけ同−j度とすることが
必要なことから30%〜40%とした。
構造不整をさけるためできるだけ同−j度とすることが
必要なことから30%〜40%とした。
Rで示したTo、Sb、Biの禰要ハ、エネルギーギャ
ップが約L 6 e V近傍か達成できるように決定し
た。但し、Te、Sb、Biの各々の#度(y)が各々
の場合について前記しt値を越えると固有抵抗低下が著
しくなり実用的ではない。
ップが約L 6 e V近傍か達成できるように決定し
た。但し、Te、Sb、Biの各々の#度(y)が各々
の場合について前記しt値を越えると固有抵抗低下が著
しくなり実用的ではない。
又800 nmでの吸収係数は約losM〜1であり光
の99壬が吸収される深さは約30μとなる。このtめ
固有抵抗低下と光利用効率から膜厚の適正範囲は10〜
30μとし友。
の99壬が吸収される深さは約30μとなる。このtめ
固有抵抗低下と光利用効率から膜厚の適正範囲は10〜
30μとし友。
ハブ 第−尤4電膚
キャリア輸送層(藏荷保持鳴)としての役目を有し2組
波は第三光導底j僧と同じでアモルファス構造の5e−
As層であり、、換ah30〜60μである。この組既
七選んだ理由は第二九4′a層と同様であり、膜厚は電
荷保持能力(静亀容孟)からみて30μは必要とされる
。逆に、余り厚tさると7@中のキャリアトラップにホ
ールが[ラッグされる確率が渭し残留1位をひき2こし
やすぐなる友め。
波は第三光導底j僧と同じでアモルファス構造の5e−
As層であり、、換ah30〜60μである。この組既
七選んだ理由は第二九4′a層と同様であり、膜厚は電
荷保持能力(静亀容孟)からみて30μは必要とされる
。逆に、余り厚tさると7@中のキャリアトラップにホ
ールが[ラッグされる確率が渭し残留1位をひき2こし
やすぐなる友め。
60μ全上限とし友。
以上述べtような光導諷4を有する本発明の感光体は+
800nm近傍の長波長域で十分な感度を有し、か
つ耐久性にも浸れているため、レーザー元による高速ノ
ン争インノ?クトプリンター等に十分対応でさるもので
ある。
800nm近傍の長波長域で十分な感度を有し、か
つ耐久性にも浸れているため、レーザー元による高速ノ
ン争インノ?クトプリンター等に十分対応でさるもので
ある。
なお不発明の長波長光用1子写真感元体を実際に形反す
るKは、真空蒸着にエリ各層を順次形成させればよい。
るKは、真空蒸着にエリ各層を順次形成させればよい。
以下、実施列金示す。
実施例
叉待体温度: 21J O’C
蒸発源温度:410℃
叉侍体回転淑: 20 rpm
真 突f : 10−’Torr
上記条件にて、Aノドラム状叉待体上Vc真窒蒸看にエ
リ第一九導1層として、膜厚が約50μの−As2Se
3舊(As4Qatm%)i形成し、次いで第二光導成
層として膜厚が約20μのA32S e2,6 TeO
,4層を形成し、最後に第三光導4.層として膜厚が約
1μのAs2 Se3層を形成して不発明の感光体(サ
ンプルA)を得fc0他に、第二光導遡rf# f A
s Se3 Sb、、2.11としたサンプル1.7
4 B及びA 8 □、75 S I!3 B ! 0.2
5 層とじtサンプルc1作裏した。(他の条件はサン
プルAと全ぐ同じ。)これらの感光体について800
Vカラ200Vまで光減衰させるのに必要とされる光エ
ネルギー(Sλ(μJ/ctA):lを求め友ところ、
第2図に示すような結果が得られ足。比較の友めに光導
電パ曽が単一のAs2Se3層(膜厚70μ)である場
合も示しto この図から明らかなように、実施例のサンプル(サンプ
ルA、B、c)u、 λ=780nmに2いてSλは
2〜3μJ/−である。
リ第一九導1層として、膜厚が約50μの−As2Se
3舊(As4Qatm%)i形成し、次いで第二光導成
層として膜厚が約20μのA32S e2,6 TeO
,4層を形成し、最後に第三光導4.層として膜厚が約
1μのAs2 Se3層を形成して不発明の感光体(サ
ンプルA)を得fc0他に、第二光導遡rf# f A
s Se3 Sb、、2.11としたサンプル1.7
4 B及びA 8 □、75 S I!3 B ! 0.2
5 層とじtサンプルc1作裏した。(他の条件はサン
プルAと全ぐ同じ。)これらの感光体について800
Vカラ200Vまで光減衰させるのに必要とされる光エ
ネルギー(Sλ(μJ/ctA):lを求め友ところ、
第2図に示すような結果が得られ足。比較の友めに光導
電パ曽が単一のAs2Se3層(膜厚70μ)である場
合も示しto この図から明らかなように、実施例のサンプル(サンプ
ルA、B、c)u、 λ=780nmに2いてSλは
2〜3μJ/−である。
矢に、実施例サンプルを通常の4子写真複写サイクル(
帝4→露元→現療→転写→残澹4立の除去)にて操り返
し反出しtところ、いずれのサンプルも100万回便用
しても感光体の性匪イ氏下は殆んどなかった。
帝4→露元→現療→転写→残澹4立の除去)にて操り返
し反出しtところ、いずれのサンプルも100万回便用
しても感光体の性匪イ氏下は殆んどなかった。
第1図は不発明の!式元体の説明1菌であり、第2図は
実施例のSλと波長との関係?示したものである。 1・・・第−光導電層 2・−第二光導電層3・−第
三光導電層 4・・−導電性叉待体第 1図 飛2図 波長λ(nm)
実施例のSλと波長との関係?示したものである。 1・・・第−光導電層 2・−第二光導電層3・−第
三光導電層 4・・−導電性叉待体第 1図 飛2図 波長λ(nm)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 導1性支得体上に第−光導を層としてA3を30
〜+satm%含tr了モルファス構造で膜厚30〜6
0aの5s−Aslil、第二光導電r@として As 118e@R7 1−X−y (式中−X=0.3〜0.4であり、RはTe+Sb*
Biから選ばれる原子のいずれか一つを示し。 RがToの場合はy==Q、Q 5〜0.12 、 R
がsbの場合はy = o、 o s〜0.10.Rが
Biの場合は7 = o、 03〜0.07である。)
で示されるγモルフ了ス構造で膜厚10〜30AのAs
−3s−前記R@、g三元導t光導としてAs f 3
0〜45 atm %含む7モルフ了ス構造で遍厚が0
.5〜3.0μのSs −As i* f 11重積層
してなることを特徴とする長波長光用電子写真W7A元
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57086189A JPS58202450A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 長波長光用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57086189A JPS58202450A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 長波長光用電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58202450A true JPS58202450A (ja) | 1983-11-25 |
Family
ID=13879818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57086189A Pending JPS58202450A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 長波長光用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58202450A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63279258A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57086189A patent/JPS58202450A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63279258A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
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