JPS6043663A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
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- JPS6043663A JPS6043663A JP15119783A JP15119783A JPS6043663A JP S6043663 A JPS6043663 A JP S6043663A JP 15119783 A JP15119783 A JP 15119783A JP 15119783 A JP15119783 A JP 15119783A JP S6043663 A JPS6043663 A JP S6043663A
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- layer
- photoreceptor
- cgl
- bonding layer
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はキャリア伝搬層（以下ＣＴＬと記す）およびキ
ャリア発生層（以下ＣＧＬと記す）を有する機能分離型
電子写真用セレン感光体に関する。
ャリア発生層（以下ＣＧＬと記す）を有する機能分離型
電子写真用セレン感光体に関する。
機能分離型感光体において、ＣＴＬとＣＧＬの界面にお
いてはテルルなどの成分元素の濃度に差があるため、Ｃ
ＴＬとＣＧＬの間のキャリアの移動が困難である。その
ためにＣＴＬとＣＧＬの間に接合層を介在させ、キャリ
アの移動を容易にすることが知られている。この種の機
能分離型感光体の接合層としては、例えば日本応用物理
学会英文誌（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ）第頷巻、第１号（
１９８１年）、ｐｐ １１９〜１２４に記載されている
ように実験室レベルでは純セレンを用いたものが知られ
ているが、まだ十分なものとは言えない。特に低電界に
於ては（１〜５ Ｖ／ｐｍ以下）、光照射に依り発生し
たキャリアが接合部に於てシＷットキバリアー型の注入
を示す事から、感度がこの注入性能に依って左右される
と言う現象が起こり、結局限られた露光時間では、光減
衰しきれない極めて残留電位の高い感光体となる事が知
られている。この例の様な感光体では、繰返し複写時の
残留電位が更らに増加する傾向にある事は言うまでもな
い。
いてはテルルなどの成分元素の濃度に差があるため、Ｃ
ＴＬとＣＧＬの間のキャリアの移動が困難である。その
ためにＣＴＬとＣＧＬの間に接合層を介在させ、キャリ
アの移動を容易にすることが知られている。この種の機
能分離型感光体の接合層としては、例えば日本応用物理
学会英文誌（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ）第頷巻、第１号（
１９８１年）、ｐｐ １１９〜１２４に記載されている
ように実験室レベルでは純セレンを用いたものが知られ
ているが、まだ十分なものとは言えない。特に低電界に
於ては（１〜５ Ｖ／ｐｍ以下）、光照射に依り発生し
たキャリアが接合部に於てシＷットキバリアー型の注入
を示す事から、感度がこの注入性能に依って左右される
と言う現象が起こり、結局限られた露光時間では、光減
衰しきれない極めて残留電位の高い感光体となる事が知
られている。この例の様な感光体では、繰返し複写時の
残留電位が更らに増加する傾向にある事は言うまでもな
い。
他の接合層の例としては塩素を添加したセレンからなる
ものが知られている。この場合は、低い残留電位を実現
するという点では所期の目的を達しているが、次のよ・
うな欠点を有し、実用性が十分でない。
ものが知られている。この場合は、低い残留電位を実現
するという点では所期の目的を達しているが、次のよ・
うな欠点を有し、実用性が十分でない。
（１） Ｃｌは昇華性の強い物質であり、これをＳｅに
所定量だけ且つ均一に混合させて、所望のＣｌ添加Ｓｅ
を作成する事は極めて困難である。
所定量だけ且つ均一に混合させて、所望のＣｌ添加Ｓｅ
を作成する事は極めて困難である。
（２） 蒸着時、ＳｅやＳｅ −Ｔｅと共に真空装置内
に付着したＣ１添加Ｓｅあるいは感光体からＳｅや５ｅ
−Ｔｅと共に回収したＣ１添加Ｓｅを精製、再使用する
事は極めて困難である。特にＳｅ中にＣｌが微量でも混
入すると、温度特性が著しく劣化することから、回収原
料を使用することができず、混在するＳｅやＳｅ層−Ｔ
ｅを含めて廃棄することになるので原料コストの増大に
つながる。
に付着したＣ１添加Ｓｅあるいは感光体からＳｅや５ｅ
−Ｔｅと共に回収したＣ１添加Ｓｅを精製、再使用する
事は極めて困難である。特にＳｅ中にＣｌが微量でも混
入すると、温度特性が著しく劣化することから、回収原
料を使用することができず、混在するＳｅやＳｅ層−Ｔ
ｅを含めて廃棄することになるので原料コストの増大に
つながる。
ＣＴＬ 吉ＣＧＬの接合性を改良する他の方法としては
、例えばＳｅ −Ｔｅ系でそれを実現する場合に、ＣＴ
Ｌに低濃度Ｔｅ −Ｓｅ 、 ＣＧＬに高濃度Ｔｅ −
Ｓｅを用いると共に、ＣＴＬのＴｅ濃度に勾配を付け、
そのＣＧＬ側の部分のＴｅ濃度が、ＣＧＬのＣＴＬ、ｌ
１ＩＩＩＴｅ濃度に対し、その差カ月５ｗｔ％以下にな
る様に（望ましくは１０ ｗｔ％以下）制御すると言う
ものである。あるいは、ＣＴＬにＴｅ濃度勾配をつけず
、ＣＧＬに於てＴｅｇ４度勾配をつけて上記条件で接合
させても、同様の良好な接合性能は得られる。あるいは
またＣＴＬ・ＣＧＬ共Ｔｅａ度勾配をつけ、上記条件で
接合させても同様の良好な接合性能が得られるのは熱論
である。しかしこれらの場合には次の挙げる欠点が存在
する。
、例えばＳｅ −Ｔｅ系でそれを実現する場合に、ＣＴ
Ｌに低濃度Ｔｅ −Ｓｅ 、 ＣＧＬに高濃度Ｔｅ −
Ｓｅを用いると共に、ＣＴＬのＴｅ濃度に勾配を付け、
そのＣＧＬ側の部分のＴｅ濃度が、ＣＧＬのＣＴＬ、ｌ
１ＩＩＩＴｅ濃度に対し、その差カ月５ｗｔ％以下にな
る様に（望ましくは１０ ｗｔ％以下）制御すると言う
ものである。あるいは、ＣＴＬにＴｅ濃度勾配をつけず
、ＣＧＬに於てＴｅｇ４度勾配をつけて上記条件で接合
させても、同様の良好な接合性能は得られる。あるいは
またＣＴＬ・ＣＧＬ共Ｔｅａ度勾配をつけ、上記条件で
接合させても同様の良好な接合性能が得られるのは熱論
である。しかしこれらの場合には次の挙げる欠点が存在
する。
（１） ＳｅとＴｅとは蒸気圧が異なる為、望ましいＴ
ｅ濃度勾配を、再現性良く、安定して作製する事は非常
に困難な技術である。従って、ＣＴＬあるいはＣＧＬ
、またはその両者のＴｅ＃度勾配を適正に制御する事に
より、ＣＴＬのＣＧＬ側Ｔｅ濃度をＣＧＬのＣＴＬ（Ｉ
ＩＩＩＴｅ濃度差をｌＱ ｗｔ ％以下にするのは困難
で生産性に乏しい。
ｅ濃度勾配を、再現性良く、安定して作製する事は非常
に困難な技術である。従って、ＣＴＬあるいはＣＧＬ
、またはその両者のＴｅ＃度勾配を適正に制御する事に
より、ＣＴＬのＣＧＬ側Ｔｅ濃度をＣＧＬのＣＴＬ（Ｉ
ＩＩＩＴｅ濃度差をｌＱ ｗｔ ％以下にするのは困難
で生産性に乏しい。
（２） ＣＴＬとＣＧＬの良好な接合性を得るために、
ＣＴＬに大きな濃度勾配をつける事を再現性良く制御す
るのは極めて困難である。なぜなら、ＣＴＬはＣＧＬに
比して厚く通常数十μｍ程度の厚みを有しているので、
これだけの膜厚におけるＴｅ ＃度の再現性良い制御は
困難である。また、ＣＴＬのＴｅ ９度を出来るだけ低
く抑えて温度特性等に配慮しく例えば０％）、ＣＧＬの
Ｔｅ９度に大きな勾配をつける事で接合性を保証しよう
と言う感光体に於ては、表面Ｔｅｐ度とその直下のＴｅ
痰度との差が大きい事に依る、繰返し複写時やりファイ
ニング時の表面層の削れから来るｐ度減小、’：：＋；
いは高部放置下で進行するＴｅ拡散に起因する感度減小
が発生Ｌ／、実用上重大な支障をきたすことがある。
ＣＴＬに大きな濃度勾配をつける事を再現性良く制御す
るのは極めて困難である。なぜなら、ＣＴＬはＣＧＬに
比して厚く通常数十μｍ程度の厚みを有しているので、
これだけの膜厚におけるＴｅ ＃度の再現性良い制御は
困難である。また、ＣＴＬのＴｅ ９度を出来るだけ低
く抑えて温度特性等に配慮しく例えば０％）、ＣＧＬの
Ｔｅ９度に大きな勾配をつける事で接合性を保証しよう
と言う感光体に於ては、表面Ｔｅｐ度とその直下のＴｅ
痰度との差が大きい事に依る、繰返し複写時やりファイ
ニング時の表面層の削れから来るｐ度減小、’：：＋；
いは高部放置下で進行するＴｅ拡散に起因する感度減小
が発生Ｌ／、実用上重大な支障をきたすことがある。
本発明は」＝述の欠点を除去し、ＣＴＬとＣＧＬの間の
バリヤの影響を緩和するための接合層を湿度特性その、
１１の１時性を低下させることなく生産上容易な手段で
設けたｉ海部分離型電子写真用感光体を提供することを
目的、とする。
バリヤの影響を緩和するための接合層を湿度特性その、
１１の１時性を低下させることなく生産上容易な手段で
設けたｉ海部分離型電子写真用感光体を提供することを
目的、とする。
本発明けＣＴＬとＣＧＬの間に酸素を添加したＳｅ層を
介在させることによって円滑な接合性能を実現しよう吉
す２）ものである。
介在させることによって円滑な接合性能を実現しよう吉
す２）ものである。
Ｓｅに酸素を添加した場合、直流％ｉ気伝導度がオーダ
的に増加すると共に、活性化エネルギの著しい減少が起
こる事が知られている。ＣＴＬとＣＧＬとの間に酸素添
ｖＩＳｃ層を設けろ事は、両者の合金元素のＬｋ ｊＩ
Ｆ茅に基づくエネルギーギャップの相違を、中間的なエ
ネルギーギャップを有する層を設ける４′、で緩オロす
る事に４目当すると考えられ、これに依り、円滑な接片
１生能を有するに至るものと推定される。
的に増加すると共に、活性化エネルギの著しい減少が起
こる事が知られている。ＣＴＬとＣＧＬとの間に酸素添
ｖＩＳｃ層を設けろ事は、両者の合金元素のＬｋ ｊＩ
Ｆ茅に基づくエネルギーギャップの相違を、中間的なエ
ネルギーギャップを有する層を設ける４′、で緩オロす
る事に４目当すると考えられ、これに依り、円滑な接片
１生能を有するに至るものと推定される。
本発明はＣＴＬ、ＣＧＬのみを有する機能分離型感光体
に限らず表面に表面層設層（ＯＣりを有するものに対し
でも有効に笑施できる。
に限らず表面に表面層設層（ＯＣりを有するものに対し
でも有効に笑施できる。
〔発明の実語例〕
本発明による感光体は、例えば第１図に示すようにアル
ミニウム基体１の」二に純ＳｅからなるＣＴＬ２、酊ふ
添加Ｓｅからなる接合層３．５ｅ−ＴｅからなるＣＧＬ
４が１ｊＥｔ Ｇされている。
ミニウム基体１の」二に純ＳｅからなるＣＴＬ２、酊ふ
添加Ｓｅからなる接合層３．５ｅ−ＴｅからなるＣＧＬ
４が１ｊＥｔ Ｇされている。
実施例１゜
第１図に示す構造の感光体を形成するために、真空蒸着
装置内の回転支持軸にアルミニウム累管を取りつけ、Ｓ
ｅを収容した蒸発源を抵抗加熱方式で加熱して、累管１
上に純Ｓｅ層２を６３μｍの厚さに蒸鬼−した。基体温
度は６ｉ ’Ｏ、蒸着中の真空度は５ＸＩ（ｒ”ｌ’ｏ
ｒｒ以上てあった。純Ｓｅ層２の蒸着が終了した詩点て
真空を破り、蒸発源に酸素添加Ｓｅ原料を投入し、再ひ
頁空引きを行って純Ｓｅと同一条件で純Ｓｅ層２の上に
酸素添加Ｓｅ 雇弘５μｍの厚さに積層した。
装置内の回転支持軸にアルミニウム累管を取りつけ、Ｓ
ｅを収容した蒸発源を抵抗加熱方式で加熱して、累管１
上に純Ｓｅ層２を６３μｍの厚さに蒸鬼−した。基体温
度は６ｉ ’Ｏ、蒸着中の真空度は５ＸＩ（ｒ”ｌ’ｏ
ｒｒ以上てあった。純Ｓｅ層２の蒸着が終了した詩点て
真空を破り、蒸発源に酸素添加Ｓｅ原料を投入し、再ひ
頁空引きを行って純Ｓｅと同一条件で純Ｓｅ層２の上に
酸素添加Ｓｅ 雇弘５μｍの厚さに積層した。
第２図は酸素添加Ｓｅ原料の製法を示し、セレン１１は
、硝酸・過酸化水素水等に対して耐性を有する容器１２
に収納されており、この容器１２は同じ耐性を有する蓋
１３にて密閉されてい乙。同じ耐性を有する容器１４中
には、硝酸或いは過酸化水素水等、セレン１１に対して
酸化性の性質を持つ溶液１５が満たされている。この状
態で暫く放置するとセレン１１は酸化され、表面は白濁
化して来る。放舒時間を短縮するには、放置時、溶液１
５に光をあてるか、加熱するか、或いはその両者を同時
に行えば良い。
、硝酸・過酸化水素水等に対して耐性を有する容器１２
に収納されており、この容器１２は同じ耐性を有する蓋
１３にて密閉されてい乙。同じ耐性を有する容器１４中
には、硝酸或いは過酸化水素水等、セレン１１に対して
酸化性の性質を持つ溶液１５が満たされている。この状
態で暫く放置するとセレン１１は酸化され、表面は白濁
化して来る。放舒時間を短縮するには、放置時、溶液１
５に光をあてるか、加熱するか、或いはその両者を同時
に行えば良い。
この様にして得られた酸素添加Ｓｅを粉砕し、湿式分析
を行った所、３．２８ Ｘ １０” ’ ０２重量ｐｐ
ｍであった。
を行った所、３．２８ Ｘ １０” ’ ０２重量ｐｐ
ｍであった。
酸素添加Ｓｅ蒸着後再度真空を破り、４０メツシユ〜８
０メツシーの大きさに調製された１３．５ ｗｔ％の５
ｅ−Ｔｅ合金を、蒸発源の原料供給系に４２９並べた後
、再度真空引きを行った。蒸発源の炭素ボートに通電し
、ボート温度が４５０°Ｃに上昇した時点で原料を滑ら
かにボートに供給し、酸素添加Ｓｅ層３の上に５ｅＴｅ
合金のフラッシュ蒸着を行い、厚さ２μｍのＣＧＬ ４
を作製した。
０メツシーの大きさに調製された１３．５ ｗｔ％の５
ｅ−Ｔｅ合金を、蒸発源の原料供給系に４２９並べた後
、再度真空引きを行った。蒸発源の炭素ボートに通電し
、ボート温度が４５０°Ｃに上昇した時点で原料を滑ら
かにボートに供給し、酸素添加Ｓｅ層３の上に５ｅＴｅ
合金のフラッシュ蒸着を行い、厚さ２μｍのＣＧＬ ４
を作製した。
第４図は本発明の実施例１の第１図の構造をもつ感光体
のゼログラフィツク特性（ＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃＧａ
ｉｎ）を示す。Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎの電
界依存のデータ（ａｌにより、この感光体は低電界（約
０．２ ｖ／μｍ。
のゼログラフィツク特性（ＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃＧａ
ｉｎ）を示す。Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎの電
界依存のデータ（ａｌにより、この感光体は低電界（約
０．２ ｖ／μｍ。
従って約１４Ｖ）迄十分に感度のある、従ってＣＴＬと
ＣＧＬとの間にバリヤのない、良好な接合性能を有する
感光体である事がわかる。
ＣＧＬとの間にバリヤのない、良好な接合性能を有する
感光体である事がわかる。
第５図は、糖３図構造を持つ比較例の感光体のＸｅｒｏ
ｇｒａｐｈｉｃ、Ｇａ１ｎのデータである。Ｘｅｒｏｇ
ｒａｐｈｉｃＧａｉｎの電界依存のデータ（ａ）依り、
この感光体は、約ＩＶ／μｍ程度の電界でしきい値を持
っており、従って、約７０ Ｖ程度依り下には電位が下
がらない、残留電位の高い感光体である事がわかる。
ｇｒａｐｈｉｃ、Ｇａ１ｎのデータである。Ｘｅｒｏｇ
ｒａｐｈｉｃＧａｉｎの電界依存のデータ（ａ）依り、
この感光体は、約ＩＶ／μｍ程度の電界でしきい値を持
っており、従って、約７０ Ｖ程度依り下には電位が下
がらない、残留電位の高い感光体である事がわかる。
第６図は、この感光体の繰返し電位挙動の評価装置を示
す。感光体２１は図中の矢印の方向に周速１００１１Ｔ
Ｖ’Ｓｅｃの条件で回転する。帯電器２２で帯電を行い
、この電位をプローブ久及びプローブ５で測定している
。露光光源列は点滅され、露光条件は半減衰に露光量の
５倍に設定されている。除電光２６は半減衰露光量の１
０倍に設定されており、除電後の電位は、プローブｎで
測定している。測定結果によれば実施例１の接合層を有
する感光体の露光後の電位の最終値は６０Ｖ１除電後電
位の最終値は５ｖであり、一方接金層を有しない第３図
に示す構造の比較例感光体では露光復電１位の最終値が
８０Ｖ１除電後電位の最終値が４０Ｖで、本発明による
感光体が械めて疲労特性の良いことが判った。
す。感光体２１は図中の矢印の方向に周速１００１１Ｔ
Ｖ’Ｓｅｃの条件で回転する。帯電器２２で帯電を行い
、この電位をプローブ久及びプローブ５で測定している
。露光光源列は点滅され、露光条件は半減衰に露光量の
５倍に設定されている。除電光２６は半減衰露光量の１
０倍に設定されており、除電後の電位は、プローブｎで
測定している。測定結果によれば実施例１の接合層を有
する感光体の露光後の電位の最終値は６０Ｖ１除電後電
位の最終値は５ｖであり、一方接金層を有しない第３図
に示す構造の比較例感光体では露光復電１位の最終値が
８０Ｖ１除電後電位の最終値が４０Ｖで、本発明による
感光体が械めて疲労特性の良いことが判った。
次に実施例１と同じ製作条件で接合層の厚さを０（比較
例と同じ） ０．５ ｐｍ＋ １μｍ＋２ｕｍ＋５ｕ＋
ｎ＋１０ｐｍと変化させて積層したあと、ＣＧＬとして
２５重量％のＳｅ −Ｔｅ合金を形成した感光体につい
てゼログラフイ特性および繰返し疲労特性を調べた。
・第７図は、実施例１で示したＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ
Ｇａ１ｎの電界依存データに於ける電界しきい値に関
し、一つの線図に輻めたものである。ＣＧＬが２５重量
％とＴｅ７Ｑ度が高い場合においても酸素添加Ｓｅの接
合層の効果は顕著である。この場合、接合層の膜厚は２
μｍ以上、望ましくは５μｍ以上が適正と言える。
例と同じ） ０．５ ｐｍ＋ １μｍ＋２ｕｍ＋５ｕ＋
ｎ＋１０ｐｍと変化させて積層したあと、ＣＧＬとして
２５重量％のＳｅ −Ｔｅ合金を形成した感光体につい
てゼログラフイ特性および繰返し疲労特性を調べた。
・第７図は、実施例１で示したＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ
Ｇａ１ｎの電界依存データに於ける電界しきい値に関
し、一つの線図に輻めたものである。ＣＧＬが２５重量
％とＴｅ７Ｑ度が高い場合においても酸素添加Ｓｅの接
合層の効果は顕著である。この場合、接合層の膜厚は２
μｍ以上、望ましくは５μｍ以上が適正と言える。
第８図は第６図の装置で測定した露光後電位（プローブ
乙の電位）の最終値を整理したものである。
乙の電位）の最終値を整理したものである。
酸素添加Ｓｅの接合層の効果は顕著であると言える。
ただし、接合層の膜厚を必要以上に厚くした場合、温度
特性の劣化、帯電低下の増加が引き起こされるので１０
μｍ以下が望ましい。
特性の劣化、帯電低下の増加が引き起こされるので１０
μｍ以下が望ましい。
実施例２；
あらかじめ蒸着装置内に蒸発源ボートを二つ用意してお
き、真空を破ることな（ＣＴＬと接合層を実施例１と同
一条件で作製した後、矢張り実施例１と同じ条件でＣＧ
Ｌを蒸着して作製した感光体に関して評価した所、実施
例１の感光体と同様な結果が得られた。
き、真空を破ることな（ＣＴＬと接合層を実施例１と同
一条件で作製した後、矢張り実施例１と同じ条件でＣＧ
Ｌを蒸着して作製した感光体に関して評価した所、実施
例１の感光体と同様な結果が得られた。
実施例３；
酸素添加Ｓｅの作製の方法として、ＳｅＯ□を１１００
０ｐｐの量を純Ｓｅに直接添加した以外はすべて実施例
１と同一条件で感光体を製作したところ実施例１と同様
な結果が得られた。
０ｐｐの量を純Ｓｅに直接添加した以外はすべて実施例
１と同一条件で感光体を製作したところ実施例１と同様
な結果が得られた。
実施例４；
第９図に示すように第１図と同一の条件でアルミニラム
基体１の上に純ＳｅからなるＣＴＬ ２を形成した門接
合層としての酸素添加Ｓｅ ３を０．５μｍ、１μｍ、
２μｍ ＋ ５μ” ＋ １０ｐｍの厚さに蒸着し、比
較のための酸素添加Ｓｅｆ？４を設けないものと共にそ
の上に４０重量％のＳｅ −Ｔｅ合金を蒸発源の原料供
給系に２１９並べた後、実施例１と同様なやり方で５ｅ
−Ｔｅ合金のフラッジ−蒸着を行って１μｍの厚さのＣ
ＧＬ４を作成した。この後再度真空を破り、４０メツシ
ユ〜８０メツシユの粒径に潤製された純Ｓｅを原料供給
系に２ ｋｇ並べた後、再度真空′引きを行った。次い
で蒸発源の炭素ボートが３８０ ’Ｏに上昇した時点で
原料を滑らかにボート６と供給し１． ＣＧＬの上に純
Ｓｅのフラッシュ蒸着を行って厚さ１μｍのＯＣＬ ５
を形成した。このうち接合層３の膜厚０５μｍおよび１
０μｍのもののゼログラフィ特性を第１０図、第１１図
にそれぞれ示す。Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ
の電界依存に注目すると、第１０図の感光体と第１１図
の感光体は、明らかに低電界での挙動が違ったものとな
っている。第１０図の感光体では、１〜２Ｖμｍの電界
でＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ の収束が見られ
、電界のしきい値が高い事から、この感光体の残留電位
が高いものである事がわかる。第４図の感光体では、電
界のしきい値はＩ Ｖ／ｐｍ以下であり、低電界まで感
度があって残留電位の低い、従って接合性能の良い感光
体である事がわかった。
基体１の上に純ＳｅからなるＣＴＬ ２を形成した門接
合層としての酸素添加Ｓｅ ３を０．５μｍ、１μｍ、
２μｍ ＋ ５μ” ＋ １０ｐｍの厚さに蒸着し、比
較のための酸素添加Ｓｅｆ？４を設けないものと共にそ
の上に４０重量％のＳｅ −Ｔｅ合金を蒸発源の原料供
給系に２１９並べた後、実施例１と同様なやり方で５ｅ
−Ｔｅ合金のフラッジ−蒸着を行って１μｍの厚さのＣ
ＧＬ４を作成した。この後再度真空を破り、４０メツシ
ユ〜８０メツシユの粒径に潤製された純Ｓｅを原料供給
系に２ ｋｇ並べた後、再度真空′引きを行った。次い
で蒸発源の炭素ボートが３８０ ’Ｏに上昇した時点で
原料を滑らかにボート６と供給し１． ＣＧＬの上に純
Ｓｅのフラッシュ蒸着を行って厚さ１μｍのＯＣＬ ５
を形成した。このうち接合層３の膜厚０５μｍおよび１
０μｍのもののゼログラフィ特性を第１０図、第１１図
にそれぞれ示す。Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ
の電界依存に注目すると、第１０図の感光体と第１１図
の感光体は、明らかに低電界での挙動が違ったものとな
っている。第１０図の感光体では、１〜２Ｖμｍの電界
でＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ の収束が見られ
、電界のしきい値が高い事から、この感光体の残留電位
が高いものである事がわかる。第４図の感光体では、電
界のしきい値はＩ Ｖ／ｐｍ以下であり、低電界まで感
度があって残留電位の低い、従って接合性能の良い感光
体である事がわかった。
このＸｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ のデータの内
、５００ｎｍ光での測定データを基に、Ｘｅｒｏｇｒａ
ｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ 力月σ２の時の電界を、電界のし
きい値に相当する量として代表させた時の、接合層３の
厚さと電界しきい値との関係を比較例の値とともに第１
２図に示す。
、５００ｎｍ光での測定データを基に、Ｘｅｒｏｇｒａ
ｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ 力月σ２の時の電界を、電界のし
きい値に相当する量として代表させた時の、接合層３の
厚さと電界しきい値との関係を比較例の値とともに第１
２図に示す。
接合層の存在に依り、電界しきい値が下がり、従って残
留電位の低下につながる事は第７図の場合と同様である
。特に５μｍ以上の接合層を入れた場合は、極めて良好
な接合性能を示す事がわかった。
留電位の低下につながる事は第７図の場合と同様である
。特に５μｍ以上の接合層を入れた場合は、極めて良好
な接合性能を示す事がわかった。
接合層厚さ０５μｍおよびＩＯｐｍの感光体について第
６図に示す装置を用いて繰返し電位挙動を測定した結果
、０．５μｍの接合層を有する感光体の露光後電位の最
終値は１３０Ｖ、除電後電位の最終値はｉｉｏ ｖであ
り、この感光体が、必すしも満足のいく疲労特性を示す
感光体ではない事がわかる。一方、１０μｍの接合層を
有する感光体の露光後電位の最終値は４０ｖ１除電後電
位の最終値は２５Ｖであり、この感光体は良好な疲労特
性を示す感光体である事がわかる。
６図に示す装置を用いて繰返し電位挙動を測定した結果
、０．５μｍの接合層を有する感光体の露光後電位の最
終値は１３０Ｖ、除電後電位の最終値はｉｉｏ ｖであ
り、この感光体が、必すしも満足のいく疲労特性を示す
感光体ではない事がわかる。一方、１０μｍの接合層を
有する感光体の露光後電位の最終値は４０ｖ１除電後電
位の最終値は２５Ｖであり、この感光体は良好な疲労特
性を示す感光体である事がわかる。
第１３図は、繰返し電位挙動のデータの内、ｆｉｓ光後
電位（プローブ２５電位）の最終値を整ｆ！ｌ ｌ、た
もので、第８図と同様に酸素添加Ｓｅ接合層の効果は？
１゛ｌ著であると共に、膜厚を増す事に依り、一層の接
合性能の改善を実現し得る事がわかる。ただし１０μｍ
をこえる厚さの接合層をＣ′ｒＬとＣＧＬの間にはさむ
ことは第１図の構造の感光体と同様に脱けなければなら
ない。
電位（プローブ２５電位）の最終値を整ｆ！ｌ ｌ、た
もので、第８図と同様に酸素添加Ｓｅ接合層の効果は？
１゛ｌ著であると共に、膜厚を増す事に依り、一層の接
合性能の改善を実現し得る事がわかる。ただし１０μｍ
をこえる厚さの接合層をＣ′ｒＬとＣＧＬの間にはさむ
ことは第１図の構造の感光体と同様に脱けなければなら
ない。
本発明によればＣ’ｒＬとＣＧＬ、あるいはさらにＣＧ
Ｌの上にＯＣＬを有する機能分離型感光体において、Ｃ
］゛ＬとＣＧＬの間に接合層として酸素添加Ｓｅ層を入
れる構成とする事により、Ｃ’ｌ’ＬとＣＧＬの間の合
金元素、例えばＴｅの濃度差の大小にかかわらず、良好
な接合性能、すなわち残留電位の低い、従って繰返し残
留電位の低い感光体を他の特性を損なうことなく、容易
にかつ再現性の良く作製し得る効果が得られる。またＳ
ｅ −Ｔｅ合金のＣＧＬのＴｅ含有量が高い場合でも、
接合層の厚さを制御する事で良好な接合性能を実現し得
る。接合層の膜厚の制御は、羊に原料投入量を変化させ
るだけで容易に行うことができる。
Ｌの上にＯＣＬを有する機能分離型感光体において、Ｃ
］゛ＬとＣＧＬの間に接合層として酸素添加Ｓｅ層を入
れる構成とする事により、Ｃ’ｌ’ＬとＣＧＬの間の合
金元素、例えばＴｅの濃度差の大小にかかわらず、良好
な接合性能、すなわち残留電位の低い、従って繰返し残
留電位の低い感光体を他の特性を損なうことなく、容易
にかつ再現性の良く作製し得る効果が得られる。またＳ
ｅ −Ｔｅ合金のＣＧＬのＴｅ含有量が高い場合でも、
接合層の厚さを制御する事で良好な接合性能を実現し得
る。接合層の膜厚の制御は、羊に原料投入量を変化させ
るだけで容易に行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す断面図、第２図
は本発明の実施に用いられる酸素添加Ｓｅ原料の製造装
置の断面図、第３図は比較のための従来の機能分離型感
光体の断面図、第４図は本発明の一実施例のＸｅｒｏｇ
ｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ を示し、（ａ）は波長をパラ
メータとした′電界強度との関係線図、（ｂ）それぞれ
第４図と同様な電界強度との関係線図、波長との関係線
図、第６図は繰返し電位挙動の評価装置の配置図、第７
図は電界しきい値と接合層の厚さとの関係線図、第８図
は繰返し残留電位Ｌ接合層の厚さとの関係線図、第９図
は本発明の別の実施例の構造を示す断面図、第１０図は
第９図に第４図と同様な電界強度との関係線図、波長と
の、（ｂ）は同様にそれぞれ電界強度との関係線図、波
長との関係線図、第１２図は第９図に示した、ＩＮ造の
感光体の電界しきい値と接合層の１１αＪ？との：′）
：を係線図、第１３図同様に繰返し残留′省位と接合層
の膜厚との関係線図である。 １・・アルミニウム基体、２・・ＣＴＬ、３・１υ累添
加Ｓｅ層、４ 、、、 ＣＧＬ、５ 、、、 ＯＣＬ
０第１図 第４図 第５図 第６図
は本発明の実施に用いられる酸素添加Ｓｅ原料の製造装
置の断面図、第３図は比較のための従来の機能分離型感
光体の断面図、第４図は本発明の一実施例のＸｅｒｏｇ
ｒａｐｈｉｃ Ｇａ１ｎ を示し、（ａ）は波長をパラ
メータとした′電界強度との関係線図、（ｂ）それぞれ
第４図と同様な電界強度との関係線図、波長との関係線
図、第６図は繰返し電位挙動の評価装置の配置図、第７
図は電界しきい値と接合層の厚さとの関係線図、第８図
は繰返し残留電位Ｌ接合層の厚さとの関係線図、第９図
は本発明の別の実施例の構造を示す断面図、第１０図は
第９図に第４図と同様な電界強度との関係線図、波長と
の、（ｂ）は同様にそれぞれ電界強度との関係線図、波
長との関係線図、第１２図は第９図に示した、ＩＮ造の
感光体の電界しきい値と接合層の１１αＪ？との：′）
：を係線図、第１３図同様に繰返し残留′省位と接合層
の膜厚との関係線図である。 １・・アルミニウム基体、２・・ＣＴＬ、３・１υ累添
加Ｓｅ層、４ 、、、 ＣＧＬ、５ 、、、 ＯＣＬ
０第１図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １）キャリア伝搬層およびキャリア発生層を有すするも
のにおいて、キャリア伝搬層とキャリア発生層の間に酸
素を添加したセレン層が介在することを特徴とする電子
写真用セレン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119783A JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119783A JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043663A true JPS6043663A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH021300B2 JPH021300B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15513373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119783A Granted JPS6043663A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043663A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465197U (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-05 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15119783A patent/JPS6043663A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021300B2 (ja) | 1990-01-11 |
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