JPS61232464A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS61232464A JPS61232464A JP7387985A JP7387985A JPS61232464A JP S61232464 A JPS61232464 A JP S61232464A JP 7387985 A JP7387985 A JP 7387985A JP 7387985 A JP7387985 A JP 7387985A JP S61232464 A JPS61232464 A JP S61232464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- compound layer
- germanium
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真方式を用いたプリンターなどに用い
られる感光体に関する。
られる感光体に関する。
従来の技術
現在高速な出力装置として、レーザーを光源とした電子
写真方式プリンターが注目され商品化がすすめられてい
る。このような中で小型化の要請から、半導体レーザー
を用いる方式が重要視され７８０ ｎｍの波長に合った
感度の高い感光体として５ｓ−Ｔｅ合金、有機光半導体
が多く開発され用いられている。しかしこれらは、寿命
が比較的短く、新しい感光体として非晶質シリコン（以
下ａ−Ｓｔ と記す）とゲルマニュームを用いた感光体
が提案されている（特開昭５７−１１５５５２号公報）
０ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、ゲルマニューム（以下Ｇｏ と記す）
の多い感光層では、光によって発生したキャリアの寿命
が短く量を増加させても単純には感度が向上しない＠こ
のため、感光層では吸収されない光が、支持体である基
板まで到達し反射するため光学像のボケ、干渉による感
度むらが生じる問題があった。
写真方式プリンターが注目され商品化がすすめられてい
る。このような中で小型化の要請から、半導体レーザー
を用いる方式が重要視され７８０ ｎｍの波長に合った
感度の高い感光体として５ｓ−Ｔｅ合金、有機光半導体
が多く開発され用いられている。しかしこれらは、寿命
が比較的短く、新しい感光体として非晶質シリコン（以
下ａ−Ｓｔ と記す）とゲルマニュームを用いた感光体
が提案されている（特開昭５７−１１５５５２号公報）
０ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、ゲルマニューム（以下Ｇｏ と記す）
の多い感光層では、光によって発生したキャリアの寿命
が短く量を増加させても単純には感度が向上しない＠こ
のため、感光層では吸収されない光が、支持体である基
板まで到達し反射するため光学像のボケ、干渉による感
度むらが生じる問題があった。
問題点を解決するだめの手段
光導電層が多層構造を有し、少なくとも基板側に非晶質
シリコンおよびゲルマニュームの第１の化合物層を設け
、更にその上に非晶質シリコンを主成分とする電荷移動
層と、非晶質シリコンとゲルマニュームを主成分とする
第２の化合物層からなる感光層を設け、第１の化合物層
のゲルマニュームが第２の化合物層に比べ多い構造とす
る０作 用 第１の化合物層は、第２の化合物層で吸収できない光を
吸収し感度として寄与しない層として働き光学像のボケ
、干渉による感度むらを軽減する事ができる。
シリコンおよびゲルマニュームの第１の化合物層を設け
、更にその上に非晶質シリコンを主成分とする電荷移動
層と、非晶質シリコンとゲルマニュームを主成分とする
第２の化合物層からなる感光層を設け、第１の化合物層
のゲルマニュームが第２の化合物層に比べ多い構造とす
る０作 用 第１の化合物層は、第２の化合物層で吸収できない光を
吸収し感度として寄与しない層として働き光学像のボケ
、干渉による感度むらを軽減する事ができる。
実施例
〔実施例１〕
第２図に本発明による電子写真感光体の製造に用いた装
置の概略図を示す。真空ポンプ２ｏによって排気さ゛れ
た反応槽２１に設置されたＡｌ基板２２上に、ガス流量
制御装置２４を通して放電電極２３より原料ガスが導入
され、高周波電源２６から印加される電力によってＳ
ｔ Ｈ４，Ｂ２Ｈ６，ＧａＨ４゜ＮＨ３，ＣＨ４などを
グロー放電分解しＡ／基板２２上に被着する。この時、
Ａｌ基板２２はヒータ２６によ４７１５０〜３００℃に
加熱制御されている〇また、放電時の真空度はパルプ２
７によって０．１〜２Ｔｏττに制御する。
置の概略図を示す。真空ポンプ２ｏによって排気さ゛れ
た反応槽２１に設置されたＡｌ基板２２上に、ガス流量
制御装置２４を通して放電電極２３より原料ガスが導入
され、高周波電源２６から印加される電力によってＳ
ｔ Ｈ４，Ｂ２Ｈ６，ＧａＨ４゜ＮＨ３，ＣＨ４などを
グロー放電分解しＡ／基板２２上に被着する。この時、
Ａｌ基板２２はヒータ２６によ４７１５０〜３００℃に
加熱制御されている〇また、放電時の真空度はパルプ２
７によって０．１〜２Ｔｏττに制御する。
第１図は本発明による一実施例である。まず最初に、基
板１１上に５ｔＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈ６により第１の
化合物層１２を０．２−５μｍの厚さに形成する。
板１１上に５ｔＨ４，ＧｅＨ４，Ｂ２Ｈ６により第１の
化合物層１２を０．２−５μｍの厚さに形成する。
この層１２には、価電子制御不純物としてＢが（ＳＬ＋
Ｇｏ）原子に対し２００〜５０００ＰＰＭ含まれ、Ｐ型
の電荷注入阻止層として機能している。
Ｇｏ）原子に対し２００〜５０００ＰＰＭ含まれ、Ｐ型
の電荷注入阻止層として機能している。
また、ＳｔとＧｏの比は、Ｇｅ／（Ｇｏ＋５ｉ）（以下
Ｙと記す）＝Ｏ，Ｓ〜１以下が望ましく効果も大きいＯ 次に、電荷移動層１３としてａ−３ｉ を１０〜２０μ
ｍ形成する。この層には、Ｂを１〜２０ＰＰＭ添加し、
ｌ型又はｐ型半導体とする◎更に感光層として第２の化
合物層１４を０．５〜５μｍ形成する。また、夫々の層
には局在電子状態密度を減少させるＨ、Ｆなどの１価元
素が（Ｓｉ＋Ｇｏ）原子に対し６〜４０ａｔｍ％含まれ
ている。第２の化合物層１４は、Ｇ ｅ／Ｓ ｉの比が
第１の化合物層より小さい１以下であることが望ましい
。例えば第４図に示すように、Ｙ ＝ ０．３及び０．
５．０．６７を比較すると、正のコロナ帯電器で＋４０
０Ｖに帯電後７９０ ｎｍの半導体レーザーで露光した
時の感度（半減露光量）は、Ｙ ＝ ｏ、ｓでＯ，Ｓ、
Ｙ ＝ ｏ、ｓで０．２ｐＨ一であった０一方、０．６
７以上では帯電電位が急激に減少し、まだ感度において
も６．０μＪ／ｉと急激に減少するＯこの様にして得ら
れた感光対は干渉むらもなく、また光学像もシャープな
ものが得られた。
Ｙと記す）＝Ｏ，Ｓ〜１以下が望ましく効果も大きいＯ 次に、電荷移動層１３としてａ−３ｉ を１０〜２０μ
ｍ形成する。この層には、Ｂを１〜２０ＰＰＭ添加し、
ｌ型又はｐ型半導体とする◎更に感光層として第２の化
合物層１４を０．５〜５μｍ形成する。また、夫々の層
には局在電子状態密度を減少させるＨ、Ｆなどの１価元
素が（Ｓｉ＋Ｇｏ）原子に対し６〜４０ａｔｍ％含まれ
ている。第２の化合物層１４は、Ｇ ｅ／Ｓ ｉの比が
第１の化合物層より小さい１以下であることが望ましい
。例えば第４図に示すように、Ｙ ＝ ０．３及び０．
５．０．６７を比較すると、正のコロナ帯電器で＋４０
０Ｖに帯電後７９０ ｎｍの半導体レーザーで露光した
時の感度（半減露光量）は、Ｙ ＝ ｏ、ｓでＯ，Ｓ、
Ｙ ＝ ｏ、ｓで０．２ｐＨ一であった０一方、０．６
７以上では帯電電位が急激に減少し、まだ感度において
も６．０μＪ／ｉと急激に減少するＯこの様にして得ら
れた感光対は干渉むらもなく、また光学像もシャープな
ものが得られた。
また自由表面側に窒素、炭素、酸素などの内生なくとも
１種を含むシリコン化合物層１５を設けると従来のａ−
８ｔ悪感光と同様に耐環境性が著しく向上する＠ 〔実施例２〕 上記と同じく第３図のように基板１１上に第１の化合物
層１２を形成するが、電荷移動層１３を形成する前に窒
素、酸素、炭素のいずれかのシリコン化合物層１２′を
電荷注入阻止層として０・０６〜１μｍ形成するＯこれ
により、第６図すの様に暗減衰特性が大きく改良できる
（第６図ａは実施例１の暗減衰特性）。
１種を含むシリコン化合物層１５を設けると従来のａ−
８ｔ悪感光と同様に耐環境性が著しく向上する＠ 〔実施例２〕 上記と同じく第３図のように基板１１上に第１の化合物
層１２を形成するが、電荷移動層１３を形成する前に窒
素、酸素、炭素のいずれかのシリコン化合物層１２′を
電荷注入阻止層として０・０６〜１μｍ形成するＯこれ
により、第６図すの様に暗減衰特性が大きく改良できる
（第６図ａは実施例１の暗減衰特性）。
この場合も同じく表面保護層として同様に窒素。
酸素、炭素の少なくともいずれかのシリコン化合物層１
６を形成すれば、耐環境性が向上されるＯ〔実施例３〕 実施例２と同じく電荷注入阻止層を設けるが、第１の化
合物層１２の前、基板１１側に設けても改善できる（す
なわち第３図１２と１２／を入れ換えるｏ）ｏこの時の
暗減衰特性のようすを第５図Ｃ）に示す。
６を形成すれば、耐環境性が向上されるＯ〔実施例３〕 実施例２と同じく電荷注入阻止層を設けるが、第１の化
合物層１２の前、基板１１側に設けても改善できる（す
なわち第３図１２と１２／を入れ換えるｏ）ｏこの時の
暗減衰特性のようすを第５図Ｃ）に示す。
【実施例４〕
基板材料としてドラム加工の容易なＡｌを用いる場合、
熱膨張係数がａ −Ｓ ｉ 、Ｇｏと１桁違う。
熱膨張係数がａ −Ｓ ｉ 、Ｇｏと１桁違う。
このため、膜剥離が多発する。特にＢを多く含むａ−３
Ｌ、Ｇｏ層が問題であり、歪みを多く内在している。こ
の歪みを緩和するため酸素を添加すればよいことが分か
った。
Ｌ、Ｇｏ層が問題であり、歪みを多く内在している。こ
の歪みを緩和するため酸素を添加すればよいことが分か
った。
添加する酸素量は、光学的禁止帯幅を変化させない約（
Ｓｉ＋Ｇｅ）原子に対し１６ａｔｍ％以下がよい。これ
により、膜剥離が約ｓｏ％の確率で生じたものが約２．
６％に低下しその効果が確認できた〇発明の効果 本発明によれば、優れた画質の半導体レーザ用電子写真
感光体が容易に得られる＠つまり、従来の設備を用いて
新しい設備又は材料を用いないで画質を大幅に改善でき
ることは工業上極めて価値の大きいものと考える。
Ｓｉ＋Ｇｅ）原子に対し１６ａｔｍ％以下がよい。これ
により、膜剥離が約ｓｏ％の確率で生じたものが約２．
６％に低下しその効果が確認できた〇発明の効果 本発明によれば、優れた画質の半導体レーザ用電子写真
感光体が容易に得られる＠つまり、従来の設備を用いて
新しい設備又は材料を用いないで画質を大幅に改善でき
ることは工業上極めて価値の大きいものと考える。
また、ａ −Ｓ ｉ 、Ｇｏ層にＢを添加し正帯電とし
て用いたが、Ｐ添加による負帯電でも同じ効果が得られ
る。
て用いたが、Ｐ添加による負帯電でも同じ効果が得られ
る。
第１図は本発明による一実施例の電子写真感光体の断面
図、第２図は本発明実施のだめの装置概略図、第３図は
本発明による他の実施例を示す電子写真感光体の断面図
、第４図は感光層におけるＧｏ量に対する感度（半減露
光量）を示すグラフ、第６図は本発明実施例の暗減衰特
性を示すグラフである０ １１０．−・・・基板、１２・・・・・・第１の化合物
層、１３・・・・・・電荷移動層、１４・・・・・・感
光層、１５・・・・・・シリコン化合物層〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ・
図、第２図は本発明実施のだめの装置概略図、第３図は
本発明による他の実施例を示す電子写真感光体の断面図
、第４図は感光層におけるＧｏ量に対する感度（半減露
光量）を示すグラフ、第６図は本発明実施例の暗減衰特
性を示すグラフである０ １１０．−・・・基板、１２・・・・・・第１の化合物
層、１３・・・・・・電荷移動層、１４・・・・・・感
光層、１５・・・・・・シリコン化合物層〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ・
Claims (7)
- （１）導電性支持体上に形成された光導電層が局在電子
状態密度を減少せしめる一価元素を含む非晶質シリコン
および非晶質ゲルマニュームを主成分とする多層構造を
有し、その多層構造は、少なくとも、支持体側に形成さ
れた非晶質シリコンとゲルマニュームの第１の化合物層
と、更にその上に形成された非晶質シリコンを主成分と
した電荷移動層と、非晶質シリコンとゲルマニュームの
第２の化合物層から成る感光層とを有し、前記第１の化
合物層はゲルマニュームを前記第２の化合物層より多く
含む事を特徴とする電子写真感光体。 - （２）第２の化合物層のゲルマニュームがシリコンに対
し１００ａｔｍ％以下である事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３）第１の化合物層において、ゲルマニュームがシリ
コンに対し１００ａｔｍ％以上である特許請求の範囲第
１項記載の電子写真感光体。 - （４）第１の化合物層にシリコンおよびゲルマニューム
に対し１６ａｔｍ％以下の酸素を含む事を特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （５）第１の化合物層と電荷移動層との間に窒素、酸素
、炭素の内いずれかを含むシリコン電荷注入阻止層を持
つ特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （６）第１の化合物層と支持体との間に窒素、酸素、炭
素の内少なくともいずれかを含むシリコン電荷注入阻止
層を持つ特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （７）感光体の自由表面に保護層として、窒素、酸素、
炭素の内少なくともいずれかのシリコン化合物を設けた
特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7387985A JPS61232464A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7387985A JPS61232464A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61232464A true JPS61232464A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13530927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7387985A Pending JPS61232464A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61232464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210119B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-04-03 | Carrier Corporation | Reverse rotation detection compressors with a preferential direction of rotation |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115552A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electrophotographic receptor |
| JPS58171040A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | レーザー光用の光導電部材 |
-
1985
- 1985-04-08 JP JP7387985A patent/JPS61232464A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115552A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electrophotographic receptor |
| JPS58171040A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | レーザー光用の光導電部材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210119B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-04-03 | Carrier Corporation | Reverse rotation detection compressors with a preferential direction of rotation |
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