JPS60112046A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS60112046A JPS60112046A JP58219705A JP21970583A JPS60112046A JP S60112046 A JPS60112046 A JP S60112046A JP 58219705 A JP58219705 A JP 58219705A JP 21970583 A JP21970583 A JP 21970583A JP S60112046 A JPS60112046 A JP S60112046A
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- amorphous
- photoconductive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はアモルファスシリコンからなる光導電部材に関
する。
する。
光導電部材、たとえば電子写真感光体として、従来よｆ
） Ｓｅ 、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ、ＯＰＣ（有機光導
電体）等が用いられている。しかしながら、これらの感
光体は一長一短を有し、かならずしも十分満足するもの
ではなかった。即ち、Ｓｅはビッカース硬度が４０と小
さく、ブレード等による機械的摩擦に弱く、しかも結晶
転移が低いことから、装置に組込んだ場合、その内部温
度が４０℃を越えると、容易に特性が劣化する。また、
ＣｄＳ −。
） Ｓｅ 、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ、ＯＰＣ（有機光導
電体）等が用いられている。しかしながら、これらの感
光体は一長一短を有し、かならずしも十分満足するもの
ではなかった。即ち、Ｓｅはビッカース硬度が４０と小
さく、ブレード等による機械的摩擦に弱く、しかも結晶
転移が低いことから、装置に組込んだ場合、その内部温
度が４０℃を越えると、容易に特性が劣化する。また、
ＣｄＳ −。
Ｓｅは本質的に毒性が高いため、取扱いや廃某上問題が
ある。一方、ＺｎＯやｏｐｃはその成膜方法が樹脂中に
分散させた後基板に塗布することによりなされるため、
本質的に温度に弱いという欠点がある。しかも、Ｓｅや
ＣｄＳのような公害上の問題はないものの、ＳｅやＣｄ
Ｓの寿命が８〜１０万枚にであるのに対し５０００〜１
万枚と寿命が短かい。
ある。一方、ＺｎＯやｏｐｃはその成膜方法が樹脂中に
分散させた後基板に塗布することによりなされるため、
本質的に温度に弱いという欠点がある。しかも、Ｓｅや
ＣｄＳのような公害上の問題はないものの、ＳｅやＣｄ
Ｓの寿命が８〜１０万枚にであるのに対し５０００〜１
万枚と寿命が短かい。
このようなことから、最近、アモルファスシリコン（以
下、ａ−８ｉと称す）の感光体が注目されている。ａ−
８ｉ感九体は■本質的に無公害である、■ビッカース硬
度が１０００と大きく、機械的強度に優れているため、
１００万枚の複写に耐える、■結晶転移点が３００℃以
上と高く、装置に組込んだ場合、その内部温度が上がっ
ても特性劣化がなり、等の利点を有する。
下、ａ−８ｉと称す）の感光体が注目されている。ａ−
８ｉ感九体は■本質的に無公害である、■ビッカース硬
度が１０００と大きく、機械的強度に優れているため、
１００万枚の複写に耐える、■結晶転移点が３００℃以
上と高く、装置に組込んだ場合、その内部温度が上がっ
ても特性劣化がなり、等の利点を有する。
しかしながら、ＳｉＨ４ガスのグロー放電によって成膜
される水素化アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉ；Ｈ
と称す）は、暗中での比抵抗（暗抵抗）が１０１０Ωα
と小さい。このため、単にａ−３ｉ；Ｈを導電性基板上
へ成膜したａ−ｓｔｉｇ九体では、通常の電子写真プロ
セスに適用した場合、直流のコロナ帯電を行なうと、充
分な表面電位が得られないという欠点がある。
される水素化アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉ；Ｈ
と称す）は、暗中での比抵抗（暗抵抗）が１０１０Ωα
と小さい。このため、単にａ−３ｉ；Ｈを導電性基板上
へ成膜したａ−ｓｔｉｇ九体では、通常の電子写真プロ
セスに適用した場合、直流のコロナ帯電を行なうと、充
分な表面電位が得られないという欠点がある。
このようなことから、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４の流量比で１
０−５〜１０−６の５ＩＨ４とＢ２Ｈ６の混合ガスのグ
ロー放電によって形成されたＢが微量ドープされたａ−
８ｉ；Ｈ（Ｂ）層は、真性半導体であシ、暗抵抗が１０
１２Ωαと大きいこと、０２／５ｉＩ（４の流量比で０
０１〜１％のＳ ｉＨ４と０２の混合ガスのグロー放電
によって形成されたａ−８ｉ：Ｈ（０）層はａ−３ｔ；
Ｈ膜の光導電性を変化させずに、暗抵抗を１０１３０儒
と大きくできることから、第１図に示す如く導電性基板
１上にＢが微量ドープされたａ＝ｓｉ；Ｈ（Ｂ）層（又
は０とＢが適量ドープされたａ−８ｔ ＋、 Ｈ＋ Ｏ
ｒ （Ｂ）層）２を１０〜２０μｍ成膜したａ−３ｉ悪
感光が提案されている。かかるａ−８ｉ熱感光では直流
のコロナ帯電時に■、θ４００Ｖ程度の表面電位が得ら
れ、光照射に対しても１．０４ｕｘ−ｓｅｃと高感度性
を示す。しかしながら、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨの流量比を１
０−５〜１０−６とＢ２Ｈ６を微量ドープするための制
御が極めて難しいため、量産性の点で問題があった。
０−５〜１０−６の５ＩＨ４とＢ２Ｈ６の混合ガスのグ
ロー放電によって形成されたＢが微量ドープされたａ−
８ｉ；Ｈ（Ｂ）層は、真性半導体であシ、暗抵抗が１０
１２Ωαと大きいこと、０２／５ｉＩ（４の流量比で０
０１〜１％のＳ ｉＨ４と０２の混合ガスのグロー放電
によって形成されたａ−８ｉ：Ｈ（０）層はａ−３ｔ；
Ｈ膜の光導電性を変化させずに、暗抵抗を１０１３０儒
と大きくできることから、第１図に示す如く導電性基板
１上にＢが微量ドープされたａ＝ｓｉ；Ｈ（Ｂ）層（又
は０とＢが適量ドープされたａ−８ｔ ＋、 Ｈ＋ Ｏ
ｒ （Ｂ）層）２を１０〜２０μｍ成膜したａ−３ｉ悪
感光が提案されている。かかるａ−８ｉ熱感光では直流
のコロナ帯電時に■、θ４００Ｖ程度の表面電位が得ら
れ、光照射に対しても１．０４ｕｘ−ｓｅｃと高感度性
を示す。しかしながら、Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨの流量比を１
０−５〜１０−６とＢ２Ｈ６を微量ドープするための制
御が極めて難しいため、量産性の点で問題があった。
そこで、最近、第２図に示す如く導電性基板１１とａ−
８ｔ；Ｈ光導電性層１３との間に、基板１１からの電荷
の注入を阻止するだめのブロッキング層１２を設けた構
造の感光体が提案されている。このブロッキング層とし
ては、０又はＣ，Ｎのいずれか１つとＳｉとの化合物、
例えばａ−８ｉＣ＋ａ−８ｉ０２＋ａ−３ｉＮ４又はａ
−Ｓ ｉＣ； Ｈ＋ａ−８ｉ０２ ；Ｉ（、ａ−８ｉ
Ｎ４；Ｈなどであり、いずれも１０００以上の高抵抗層
である。こうした２層構造のａ−８ｉ熱感光では、暗中
の直流のコロナ帯電時に３００Ｖ以上の表面電−位が得
られ、光照射に対しても優れた感度を示す。しかしなが
ら、光照射時に同第２図に示す如（ａ−８ｉ：Ｈ光導電
性層１３中で発生したキャリアのうち■のキャリアがブ
ロッキング層１２に到達すると、基板１１の側に誘起さ
れたｅのキャリアとの間に強電界が生じてブロッキング
層１２が絶縁破壊されるという火源があった。
８ｔ；Ｈ光導電性層１３との間に、基板１１からの電荷
の注入を阻止するだめのブロッキング層１２を設けた構
造の感光体が提案されている。このブロッキング層とし
ては、０又はＣ，Ｎのいずれか１つとＳｉとの化合物、
例えばａ−８ｉＣ＋ａ−８ｉ０２＋ａ−３ｉＮ４又はａ
−Ｓ ｉＣ； Ｈ＋ａ−８ｉ０２ ；Ｉ（、ａ−８ｉ
Ｎ４；Ｈなどであり、いずれも１０００以上の高抵抗層
である。こうした２層構造のａ−８ｉ熱感光では、暗中
の直流のコロナ帯電時に３００Ｖ以上の表面電−位が得
られ、光照射に対しても優れた感度を示す。しかしなが
ら、光照射時に同第２図に示す如（ａ−８ｉ：Ｈ光導電
性層１３中で発生したキャリアのうち■のキャリアがブ
ロッキング層１２に到達すると、基板１１の側に誘起さ
れたｅのキャリアとの間に強電界が生じてブロッキング
層１２が絶縁破壊されるという火源があった。
本発明は直流のコロナ帯電に対して高い表面電位を示し
、かつ光感度も高く、量産性に優れた光導電部材を提供
しようとするものである。
、かつ光感度も高く、量産性に優れた光導電部材を提供
しようとするものである。
以下、本発明を第３図を参照して詳細に説明する。
本発明の光導電部材、例えば電子写真感光体は第３図に
示す如く導電性基板２ノ上にＳｉ 。
示す如く導電性基板２ノ上にＳｉ 。
Ｃ，Ｉ（、Ｂを主な構成元素とするアモルファス半導体
層２２、アモルファス層２３、アモルファス光導電層２
４及びアモルファス表面被稙層２５を順次有し、前記各
層２２〜２５の８１原子に対するＣ及びＢの量を変化す
ることによシ光学バンドギャップを前記アそルファス半
導体層２２、アモルファス光導電性層２４、アモルファ
ス層２３、アモルファス表面被覆層２５の順に大きく設
定している。つまり、アモルファス半導体層２２、アモ
ルファス層２３、アモルファス光導電性層２４及びアモ
ルファス表面被覆層２５の光学バンドギャップを夫々Ｅ
ｇ２ ｒＥｇ３ ｒ Ｅｇ４ ＋ Ｅｇ６とすると、第
４図に示す如くこれらの間には、 Ｅｇｓ ＞ Ｅｇａ ＞ Ｅｇ４＞ Ｅｇ２の関係が成
り立っている。
層２２、アモルファス層２３、アモルファス光導電層２
４及びアモルファス表面被稙層２５を順次有し、前記各
層２２〜２５の８１原子に対するＣ及びＢの量を変化す
ることによシ光学バンドギャップを前記アそルファス半
導体層２２、アモルファス光導電性層２４、アモルファ
ス層２３、アモルファス表面被覆層２５の順に大きく設
定している。つまり、アモルファス半導体層２２、アモ
ルファス層２３、アモルファス光導電性層２４及びアモ
ルファス表面被覆層２５の光学バンドギャップを夫々Ｅ
ｇ２ ｒＥｇ３ ｒ Ｅｇ４ ＋ Ｅｇ６とすると、第
４図に示す如くこれらの間には、 Ｅｇｓ ＞ Ｅｇａ ＞ Ｅｇ４＞ Ｅｇ２の関係が成
り立っている。
一般に、グロー放電時にＳｉを含むガスにＣを含むガス
の混合比を増加していくと、光学バンドギャップは大き
くなる傾向にあること、Ｓｌを含む力スにＢを含むガス
の混合比を増加していくと、光学バンドギャップは小さ
くなる傾向にあることが知られている。従って、上述の
Ｅｇ５＞ Ｅｇｇ ＞ Ｅｇ４＞ Ｅｇｚの関係を満す
感光体を造るには、アモルファス半導体層２２の成膜時
においてはＳｔを含むガスに対してＣを含むガスを微量
にし、Ｂを含むガスを充分に多くする。
の混合比を増加していくと、光学バンドギャップは大き
くなる傾向にあること、Ｓｌを含む力スにＢを含むガス
の混合比を増加していくと、光学バンドギャップは小さ
くなる傾向にあることが知られている。従って、上述の
Ｅｇ５＞ Ｅｇｇ ＞ Ｅｇ４＞ Ｅｇｚの関係を満す
感光体を造るには、アモルファス半導体層２２の成膜時
においてはＳｔを含むガスに対してＣを含むガスを微量
にし、Ｂを含むガスを充分に多くする。
アモルファス光導電性層２４の成膜時には、Ｓｉを含む
ガスに対してＣを含むガス、Ｂを含むガスを共に微量に
する。アモルファス層２３の成膜時には、ＳＩを含むガ
スに対してＣを含むガスを中ｊ／、Ｂ＠含むガスを微量
にする。アモルファス表面被恍層２５の成膜時には、Ｓ
ｔを含むガスに対してＣを含むガスを多量に、Ｂを含む
ガスを微量にする。
ガスに対してＣを含むガス、Ｂを含むガスを共に微量に
する。アモルファス層２３の成膜時には、ＳＩを含むガ
スに対してＣを含むガスを中ｊ／、Ｂ＠含むガスを微量
にする。アモルファス表面被恍層２５の成膜時には、Ｓ
ｔを含むガスに対してＣを含むガスを多量に、Ｂを含む
ガスを微量にする。
上述した第３図及び第４図の構成において、暗中でのコ
ロナ帯電を行なって、同第４図に示す如く表面被俊層２
５に■の表面電位３１を与えると、導電性基板２ノの側
からＱの電荷３２が誘起される。この時、光学バンドギ
ャップが一番小さいアモルファス半導体層２２はフェル
ミレベルが充分価電子帯側へ下がっているため、ｅの電
荷３２に対して大きなポテンシャル障壁３３となる。ま
た、アモルファス半導体層２２上のアモルファス層２３
は光学バンドギヤソノが２香目に大きいため、前記θの
電荷３２に対して適度のポテンシャル障壁３４となる。
ロナ帯電を行なって、同第４図に示す如く表面被俊層２
５に■の表面電位３１を与えると、導電性基板２ノの側
からＱの電荷３２が誘起される。この時、光学バンドギ
ャップが一番小さいアモルファス半導体層２２はフェル
ミレベルが充分価電子帯側へ下がっているため、ｅの電
荷３２に対して大きなポテンシャル障壁３３となる。ま
た、アモルファス半導体層２２上のアモルファス層２３
は光学バンドギヤソノが２香目に大きいため、前記θの
電荷３２に対して適度のポテンシャル障壁３４となる。
その結果、導電性基板２１に誘起されたθの電荷３２は
２つのポテンシャル障壁３３．３４によってアモルファ
ス光導電層２４に注入されるのを防止される。従って、
前述した第２図図示の従来のブロッキング層を用いた感
光体に比べて同じコロナ帯電電流に対して１．５倍近く
の表面電位が得られる。
２つのポテンシャル障壁３３．３４によってアモルファ
ス光導電層２４に注入されるのを防止される。従って、
前述した第２図図示の従来のブロッキング層を用いた感
光体に比べて同じコロナ帯電電流に対して１．５倍近く
の表面電位が得られる。
また、アモルファス表面被覆層２５の■の表面電荷３ノ
については、該表面被覆層２５が最も大きな光学バンド
ギャップを有し、■の表面電荷３ノに対してＩテンシャ
ル瞳壁３５となるため、同電荷３１がアモルファス光導
電性層２４に注入されるのを防止できる。
については、該表面被覆層２５が最も大きな光学バンド
ギャップを有し、■の表面電荷３ノに対してＩテンシャ
ル瞳壁３５となるため、同電荷３１がアモルファス光導
電性層２４に注入されるのを防止できる。
更に、光照射時にはアモルファス光導電柱層２４中で■
、○のキャリア３６．３７が発生する。これらキャリア
のうち■のキャリア３６は同第４図に示す如く光学バン
ドギャップが２番目に大きいアモルファス層２３の小さ
なポテンシャル障壁３８を越えれば導電性基板２１側へ
抜けるので、アモルファス半導体層２２、アモルファス
層２３の間に電荷が集中せず、その結果、それらの層２
２．２３の絶縁破裁を防止できる。一方、アモルファス
光導電性層２４内に発生したｅのキアリア３７は表面電
荷３ノへ向って伝導電子帯を走行し、光学バンドギャッ
プが最も大きいアモルファス表面被覆層２５に突き当る
が、該表面被覆層２５の厚さを５０〜１０００Ｘと充分
に薄くすることによシ、量子力学的トンネル効果により
表面側へ到達させることができる。
、○のキャリア３６．３７が発生する。これらキャリア
のうち■のキャリア３６は同第４図に示す如く光学バン
ドギャップが２番目に大きいアモルファス層２３の小さ
なポテンシャル障壁３８を越えれば導電性基板２１側へ
抜けるので、アモルファス半導体層２２、アモルファス
層２３の間に電荷が集中せず、その結果、それらの層２
２．２３の絶縁破裁を防止できる。一方、アモルファス
光導電性層２４内に発生したｅのキアリア３７は表面電
荷３ノへ向って伝導電子帯を走行し、光学バンドギャッ
プが最も大きいアモルファス表面被覆層２５に突き当る
が、該表面被覆層２５の厚さを５０〜１０００Ｘと充分
に薄くすることによシ、量子力学的トンネル効果により
表面側へ到達させることができる。
以上の如く、４１？ｊ ’ｔｉｅ成のａ−８ｔ感光体で
は導電性基板２１側からのｅの電荷３２の注木は２重の
ポテンシャル障Ｌｉ１３３，３４によって完全に阻止さ
れているため、アモルファス光導電性層２４は必ずしも
比抵抗が大きくなくともよい。
は導電性基板２１側からのｅの電荷３２の注木は２重の
ポテンシャル障Ｌｉ１３３，３４によって完全に阻止さ
れているため、アモルファス光導電性層２４は必ずしも
比抵抗が大きくなくともよい。
従って、アモルファス光導電性膜２４中のＣやＢの量は
微量であればよく、従来のａ’−３ｔ感光体のようにＢ
の量をＳｉに対して１０〜１０ にコントロールする煩
雑な操作は不要となるため、量産的に感光体を製造でき
る。
微量であればよく、従来のａ’−３ｔ感光体のようにＢ
の量をＳｉに対して１０〜１０ にコントロールする煩
雑な操作は不要となるため、量産的に感光体を製造でき
る。
次に、本発明の詳細な説明する。
まず、真空反応容器内にＡｔ製のドラム状基板を設置し
た後、５ｔＨ４２００ＳＣＣＭ 、 ＣＨ４５０ＳＣＣ
Ｍ。
た後、５ｔＨ４２００ＳＣＣＭ 、 ＣＨ４５０ＳＣＣ
Ｍ。
水素で２０００ｐｐｒｎに希釈されたＢ２Ｈ６／Ｈ２ガ
そをＢ２Ｈ６／５ＩＨ４流量比で１０ 以上の混合ガス
を供給し、ガス圧０．５ ｔｏ’ｒｒ 、基板温度２５
０℃。
そをＢ２Ｈ６／５ＩＨ４流量比で１０ 以上の混合ガス
を供給し、ガス圧０．５ ｔｏ’ｒｒ 、基板温度２５
０℃。
１３．５６ ｋＨｚの高周波電力５０Ｗの条件下をドラ
ム状基板上に厚さ約１μｍのａ −Ｓｌ； Ｈ７Ｂから
なるアモルファス半導体層を成膜した。こうして成膜さ
れた半導体層の光学バンドギヤツノは１．６５ｅ’Ｖで
あった。
ム状基板上に厚さ約１μｍのａ −Ｓｌ； Ｈ７Ｂから
なるアモルファス半導体層を成膜した。こうして成膜さ
れた半導体層の光学バンドギヤツノは１．６５ｅ’Ｖで
あった。
次いで、反応容器内に５ｉＨ４２００ＳＣＣＭ 、 Ｃ
Ｈ４１１００５ＣＣ，水素で２ ｐｐｍに希釈されたＢ
２Ｈ６／Ｈ２１ｆスをＢ ２Ｈ６／ Ｓ Ｉ Ｈ４の流
量比で１０−７の混合ガスを供給し、ガス圧０．５ ｔ
ｏｒｒ 、基板温度２５０℃、高周波電力１００Ｗの条
件下でアモルファス半導体層上に厚さ約５０００ＸＣ１
ａ−８ｉＣ；Ｈ（Ｂ）からなるアモルファス層を成膜し
た。成膜されたアモルファス層の光学バンドギャップは
１．９ｅＶであった。
Ｈ４１１００５ＣＣ，水素で２ ｐｐｍに希釈されたＢ
２Ｈ６／Ｈ２１ｆスをＢ ２Ｈ６／ Ｓ Ｉ Ｈ４の流
量比で１０−７の混合ガスを供給し、ガス圧０．５ ｔ
ｏｒｒ 、基板温度２５０℃、高周波電力１００Ｗの条
件下でアモルファス半導体層上に厚さ約５０００ＸＣ１
ａ−８ｉＣ；Ｈ（Ｂ）からなるアモルファス層を成膜し
た。成膜されたアモルファス層の光学バンドギャップは
１．９ｅＶであった。
次いで、反応容器内に５ｉＨ４２００ＳＣＣＭ 、 Ｃ
Ｈ４５ＳＣＣＭ 、水素で２０ｐｐｍに希釈されたＢ２
Ｈ６／Ｈ２ガスをＢ ２Ｈ６／ Ｓ Ｉ Ｈ４の流量比
で１０−６以下の混合ガスを供給し、ガス圧０．５ｔｏ
ｒｒ 、基板温度２５０℃、高周波電力５００Ｗの条件
下にてアモルファス層上に厚さ１５μｍのａ−３ｉ ；
Ｈ（Ｃ） 、（Ｂ）からなるアモルファス光導電性層
を成膜した。
Ｈ４５ＳＣＣＭ 、水素で２０ｐｐｍに希釈されたＢ２
Ｈ６／Ｈ２ガスをＢ ２Ｈ６／ Ｓ Ｉ Ｈ４の流量比
で１０−６以下の混合ガスを供給し、ガス圧０．５ｔｏ
ｒｒ 、基板温度２５０℃、高周波電力５００Ｗの条件
下にてアモルファス層上に厚さ１５μｍのａ−３ｉ ；
Ｈ（Ｃ） 、（Ｂ）からなるアモルファス光導電性層
を成膜した。
この光導電性層の光学バンドギャップは１．７ｅＶであ
った。
った。
次いで、反応容器内に５ｉＨ４２００ＳＣＣＭ 、 Ｃ
ｌＩ４３００ ＳＣＣＭ 、水素で２ ｐｐｍに希釈さ
れたＢ２１■６／Ｈ２カスヲＢ２Ｈ６／ＳｉＨ４ノ流ｆ
ｉ−比テｉｏ−’ 以下ノ混合ガスを供給し、ガス圧１
．Ｏｔｏｒｒ ＊基板温度２５０℃、高周波電力２００
Ｗの条件にて光導電性層上に厚さ５００Ｘのａ −Ｓｉ
Ｃ： Ｈ（Ｂ）からなるアモルファス表面被覆層を成膜
して感光体ドラムを製造した。成膜された表面被覆層の
光学バンドギャップは２．１ｅＶであった。
ｌＩ４３００ ＳＣＣＭ 、水素で２ ｐｐｍに希釈さ
れたＢ２１■６／Ｈ２カスヲＢ２Ｈ６／ＳｉＨ４ノ流ｆ
ｉ−比テｉｏ−’ 以下ノ混合ガスを供給し、ガス圧１
．Ｏｔｏｒｒ ＊基板温度２５０℃、高周波電力２００
Ｗの条件にて光導電性層上に厚さ５００Ｘのａ −Ｓｉ
Ｃ： Ｈ（Ｂ）からなるアモルファス表面被覆層を成膜
して感光体ドラムを製造した。成膜された表面被覆層の
光学バンドギャップは２．１ｅＶであった。
しかして、ａ−８ｔ感光体ドラムに■６．ＯｋＶの直流
のコロナ帯電を行なったところ、■６００Ｖの表面電位
が得られた。また、２ｔｕｘの照度のタングステン光を
照射したところ、１．２ｔｕｘ・Ｓｅｃの高感度性を示
した。
のコロナ帯電を行なったところ、■６００Ｖの表面電位
が得られた。また、２ｔｕｘの照度のタングステン光を
照射したところ、１．２ｔｕｘ・Ｓｅｃの高感度性を示
した。
更に、感光体ドラムを装置内に組み込み、負の乾式現像
剤を用いて両川を行なったところ、３０万枚連続で両川
を行なっても感光体が絶縁破壊することなく、良好な画
質が維持できた。
剤を用いて両川を行なったところ、３０万枚連続で両川
を行なっても感光体が絶縁破壊することなく、良好な画
質が維持できた。
々お、上記実施例ではアモルファス半導体層、アモルフ
ァス層、アモルファス光導電性層及びアモルファス表面
被覆層を、それら各層の境界でＣ，Ｂの濃度変化が判別
できるように成膜したが、それら各層の界面近傍でＣ２
Ｂの比が連続的に変化している部分が存在するように成
膜してもよい。
ァス層、アモルファス光導電性層及びアモルファス表面
被覆層を、それら各層の境界でＣ，Ｂの濃度変化が判別
できるように成膜したが、それら各層の界面近傍でＣ２
Ｂの比が連続的に変化している部分が存在するように成
膜してもよい。
以上詳述した如く、本発明によれば直流のコロナ帯電に
対して高い表面電位を示し、かつ光感度も高く、良好な
画質で連続的な両川が可能な高寿命、高性能の光導電部
材を提供できる。
対して高い表面電位を示し、かつ光感度も高く、良好な
画質で連続的な両川が可能な高寿命、高性能の光導電部
材を提供できる。
第１図、第２図は夫々従来のａ−３ｉ悪感光を示す概略
断面図、第３図は本発明の感光体を示す概略断面図、第
４図は第３図の感光体の厚さ方向の光学バンドギャップ
を示す図である。 ２ノ・・・導電性基板、２２・・・アモルファス半導体
層、２３・・・アモルファス層、２４・・・アモルファ
ス光導電性、２５・・・アモルファス表面被覆層、３１
・・・表面電荷、３２・・・○の電荷、３６ 、３７・
・・キャリア。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第４図
断面図、第３図は本発明の感光体を示す概略断面図、第
４図は第３図の感光体の厚さ方向の光学バンドギャップ
を示す図である。 ２ノ・・・導電性基板、２２・・・アモルファス半導体
層、２３・・・アモルファス層、２４・・・アモルファ
ス光導電性、２５・・・アモルファス表面被覆層、３１
・・・表面電荷、３２・・・○の電荷、３６ 、３７・
・・キャリア。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１） ｉ％ ｔｕ性基板上にＳｔ全金主構成元素とす
るアモルファス半導体膜を形成してなる光導電部桐にお
いて、前記アモルファス半導体膜は前記基板側から順に
アモルファス半導体層、アモルファス層、アモルファス
光導電Ａ’ 及０： ７ モルーｙアス表面被狼層から
なり、かつこれら各層の光学バンドギャップを前記アモ
ルファス半導体層、アモルファス光導電性層、アモルフ
ァス層及びアモルファス表面被籾層の順に大きく設定し
たことを特徴とする光導電部材。 - （２） アモルファス表面被覆層の厚さが５０〜１００
０Ｘであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219705A JPS60112046A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219705A JPS60112046A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112046A true JPS60112046A (ja) | 1985-06-18 |
Family
ID=16739669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219705A Pending JPS60112046A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112046A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219420A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-09-03 | Nec Corp | 電源回路 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58219705A patent/JPS60112046A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02219420A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-09-03 | Nec Corp | 電源回路 |
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