JPS60140357A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS60140357A JPS60140357A JP58250200A JP25020083A JPS60140357A JP S60140357 A JPS60140357 A JP S60140357A JP 58250200 A JP58250200 A JP 58250200A JP 25020083 A JP25020083 A JP 25020083A JP S60140357 A JPS60140357 A JP S60140357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- intermediate layer
- support
- photosensitive layer
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は電子写真感光体に関する。
従来技術
電子写真感光体における光導電材料としてはこれまでＳ
ｅ、 ＺｎＯ，ＣｄＳ などの無機材料やポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）、 トリニトロフルオレノ
ン（ＴＮＦ ）などの有機材料カ代表例としてあげられ
てきたが、最近になって、アモルファスシリコン（以降
「ａ−８ｉＪと記すことがある）が注目されるようにな
った。これは、ａ−８ｌを光導電層（Ｐｌ＆光層）とし
た′電子写真感光体の使用によれば、電子写真特性が常
時安定しているため高品質画像がいつも得られると考え
られているからである。
ｅ、 ＺｎＯ，ＣｄＳ などの無機材料やポリ−Ｎ−ビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）、 トリニトロフルオレノ
ン（ＴＮＦ ）などの有機材料カ代表例としてあげられ
てきたが、最近になって、アモルファスシリコン（以降
「ａ−８ｉＪと記すことがある）が注目されるようにな
った。これは、ａ−８ｌを光導電層（Ｐｌ＆光層）とし
た′電子写真感光体の使用によれば、電子写真特性が常
時安定しているため高品質画像がいつも得られると考え
られているからである。
こうしたａ−３１系感光体に関する技術（ａ、−Ｓｔ系
印刷ドラムに関する技術を含む）は、今では、特許公報
や学会誌などの文献に多くが掲載されている。しかしな
がら、これまでに提案されてぎたａ−８ｌ系感光体にあ
っては、（１）暗減衰が大きく帯電能が不十分である、
（２）複与機内（又は印刷機内）で実使用中、画像流れ
を生じさせたり、白抜は部を発生させたりする、（３）
支持体表面の汚染物質の影響を敏感に受け、これが異常
画像として現われる、（４）高温・高湿性が不十分であ
る、等の欠陥をほぼ共通して有しているのが実情である
。また、このような傾向は従来の無機又は有機感光体に
も大なり小なり認められており、一層の改良が望まれて
いる。
印刷ドラムに関する技術を含む）は、今では、特許公報
や学会誌などの文献に多くが掲載されている。しかしな
がら、これまでに提案されてぎたａ−８ｌ系感光体にあ
っては、（１）暗減衰が大きく帯電能が不十分である、
（２）複与機内（又は印刷機内）で実使用中、画像流れ
を生じさせたり、白抜は部を発生させたりする、（３）
支持体表面の汚染物質の影響を敏感に受け、これが異常
画像として現われる、（４）高温・高湿性が不十分であ
る、等の欠陥をほぼ共通して有しているのが実情である
。また、このような傾向は従来の無機又は有機感光体に
も大なり小なり認められており、一層の改良が望まれて
いる。
目 的
本発明は前記のごとき欠陥を解消し、殊に前記（２）及
び（３）の防止を最大の目的とした゛電子写真感光体（
ａ−８１系電子写真感光体を含む）を提供するものであ
る。
び（３）の防止を最大の目的とした゛電子写真感光体（
ａ−８１系電子写真感光体を含む）を提供するものであ
る。
構 成
本発明は導電性支持体上に中間層及び光導電層（感光層
）を順次積層した電子写真感光体において、前記中間層
は帯電時に該支持体から注入されるキャリアと同極性の
キャリアが多数キャリアとなる機能を有していることを
特徴としている。
）を順次積層した電子写真感光体において、前記中間層
は帯電時に該支持体から注入されるキャリアと同極性の
キャリアが多数キャリアとなる機能を有していることを
特徴としている。
ちなみに本発明者等は、導電性支持体表面の汚染による
影響を少なくするＫは、キャリアの再結合を支持体との
界面で行なわせるのではなく、新たに設けた別の界面で
行なわせればよいことを確めた。また、そうしたことが
階調性の改善や白ポチ、白スジの防止にも有効であるこ
とも確められた。本発明はかかる知見に基づいて完成さ
れたものである。
影響を少なくするＫは、キャリアの再結合を支持体との
界面で行なわせるのではなく、新たに設けた別の界面で
行なわせればよいことを確めた。また、そうしたことが
階調性の改善や白ポチ、白スジの防止にも有効であるこ
とも確められた。本発明はかかる知見に基づいて完成さ
れたものである。
以下に本発明を添附の図面に基づきながらさらに詳細に
説明する。第１図は支持体（導電性支持体）１上に中間
層２、感光層（光導′１！を層）３が積層された感光体
、＠ｆＪ２図はその感光層３上にさらに保護層４が設け
られた感光体を表わしている。保護層４は必侠に応じて
設けられるのであり、この保護層を設げた電子写真感光
体（第２図に示したもの）は本発明の一態様である。
説明する。第１図は支持体（導電性支持体）１上に中間
層２、感光層（光導′１！を層）３が積層された感光体
、＠ｆＪ２図はその感光層３上にさらに保護層４が設け
られた感光体を表わしている。保護層４は必侠に応じて
設けられるのであり、この保護層を設げた電子写真感光
体（第２図に示したもの）は本発明の一態様である。
本発明感光体に係る中間層２は、前記のとおり、帯電時
に支持体１から注入されるキャリアと同極性のキャリア
が多数キャリアとなる機能を有している。このため、正
帯電プロセス用感光体であれば、中間層２はｎ形であり
、感光層３はｎ形又はｐ形でなければならない。また、
負帯電プロセス用感光体であれば、中間層２はｐ形であ
り、感光層３はｎ形又はｎ形でなければならない。つま
り、感光層３は中間層２と逆惚性又は真性の性質を有し
ている。
に支持体１から注入されるキャリアと同極性のキャリア
が多数キャリアとなる機能を有している。このため、正
帯電プロセス用感光体であれば、中間層２はｎ形であり
、感光層３はｎ形又はｐ形でなければならない。また、
負帯電プロセス用感光体であれば、中間層２はｐ形であ
り、感光層３はｎ形又はｎ形でなければならない。つま
り、感光層３は中間層２と逆惚性又は真性の性質を有し
ている。
いま１例えば正帯電プロセスを想定した場合の本発明感
光体について説明を加えると、帯電時に支持体ｌから注
入されるキャリアは電子となる。この時、電子が多数キ
ャリアとなるｎ層を中間層２とし、逆極性のホールが多
数キャリアとなるｐ層を感光層３とする。従って、帯電
に続いての光照射時には、感光層３を支持体１方向へ走
行するホールと支持体１から注入された電子とはｐ −
ｎ層界面（即ち、感光層３と中間層２との界面）で再結
合することになる。
光体について説明を加えると、帯電時に支持体ｌから注
入されるキャリアは電子となる。この時、電子が多数キ
ャリアとなるｎ層を中間層２とし、逆極性のホールが多
数キャリアとなるｐ層を感光層３とする。従って、帯電
に続いての光照射時には、感光層３を支持体１方向へ走
行するホールと支持体１から注入された電子とはｐ −
ｎ層界面（即ち、感光層３と中間層２との界面）で再結
合することになる。
導電性支持体１としては例えばＡＡ、ステンレス、その
他この分野で通常使用されているものがいずれも適用可
能である。また、樹脂フィルム又はシート、紙、ガラス
などの表面を導電処理したものも支持体１として有効に
使用しうる。
他この分野で通常使用されているものがいずれも適用可
能である。また、樹脂フィルム又はシート、紙、ガラス
などの表面を導電処理したものも支持体１として有効に
使用しうる。
なお、前記の「導電処理」の例には、金属でのラミネー
トや蒸着があげられる。支持体ｌの形状は目的に応じて
円筒状、ベルト状、板状などが採りうる。
トや蒸着があげられる。支持体ｌの形状は目的に応じて
円筒状、ベルト状、板状などが採りうる。
中間層２は樹脂などの有機材料あるいは酸化珪素、弗化
マグネシウムなどの無機材料をもって形成されてもよい
が、望ましくは、珪素と窒素と水素及び／又はフッ素と
を主成分としたアそルファス材料層で構成される。
マグネシウムなどの無機材料をもって形成されてもよい
が、望ましくは、珪素と窒素と水素及び／又はフッ素と
を主成分としたアそルファス材料層で構成される。
有機材料で中間層２を形成する場合には、これにアクセ
プター及び／又はドナーを添加しておく必要がある。中
間層をｐ形にするときはアクセプターのみを含ませるか
、ドナーとアクセプターとの両方を含むものではアクセ
プターの濃度を高くする。一方、中間層をｎ形にすると
きはドナーのみを含ませるか、ドナーとアクセプターと
の両方を含むものではドナーの濃度を高くする。この有
機材料（ポリエステル樹脂、ウレタンｍ脂、フェノール
樹脂、ポリエチレン樹脂、弗素樹脂など）に電荷移動剤
を添加したタイプの中間層はディッピング法、ブレード
法などにより、厚さ約０゜１〜５．０μ雇好ましくは０
、２〜２．ｏｔｔｍ＜らいに形成される。
プター及び／又はドナーを添加しておく必要がある。中
間層をｐ形にするときはアクセプターのみを含ませるか
、ドナーとアクセプターとの両方を含むものではアクセ
プターの濃度を高くする。一方、中間層をｎ形にすると
きはドナーのみを含ませるか、ドナーとアクセプターと
の両方を含むものではドナーの濃度を高くする。この有
機材料（ポリエステル樹脂、ウレタンｍ脂、フェノール
樹脂、ポリエチレン樹脂、弗素樹脂など）に電荷移動剤
を添加したタイプの中間層はディッピング法、ブレード
法などにより、厚さ約０゜１〜５．０μ雇好ましくは０
、２〜２．ｏｔｔｍ＜らいに形成される。
無機材料で中間層２が形成される場合には、蒸着法、ス
パッタリング法が採用され、厚さは約０．１〜５μ、好
ましくは０．２〜２．０１１ ｍ ＜らいである。
パッタリング法が採用され、厚さは約０．１〜５μ、好
ましくは０．２〜２．０１１ ｍ ＜らいである。
更に、中間層２がアモルファス材料層をもって構成され
る場合には、ａ−８１中に酸素及び／又は周期律表第ｍ
族Ａの元素（Ｂ、Ａ４ Ｇａ、 Ｉｎ。
る場合には、ａ−８１中に酸素及び／又は周期律表第ｍ
族Ａの元素（Ｂ、Ａ４ Ｇａ、 Ｉｎ。
Ｔｔなど）又は周期律表第Ｖ族Ａの元素（Ｐ。
Ａｓ、Ｓｂ など）が必要にエリ添加されてよい。
このものの形成はグロー放電法、スパッタリング法、イ
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法、イオン
インプランテーション法などの公知の手段によってなさ
れるが、いろいろな点を考慮すればグロー放電法及びス
パッタリング法が有利である。
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法、イオン
インプランテーション法などの公知の手段によってなさ
れるが、いろいろな点を考慮すればグロー放電法及びス
パッタリング法が有利である。
グロー放電法を採用する場合には、原料ガスを必要に応
じて希釈ガスと適当な割合で混合し、これを支持体１の
設置しである真全堆積室に導入してガスプラズマ化させ
ればよい。
じて希釈ガスと適当な割合で混合し、これを支持体１の
設置しである真全堆積室に導入してガスプラズマ化させ
ればよい。
原料ガスとし【は８１．Ｎ、Ｈ及び／又はＦ、更には周
期律表第皇族Ａの元素（又は周期律表第Ｖ族Ａの元素）
のうちの少なくとも１つを構成原子とするガス状物質或
いはガス化しうる物質をガス化したものが使用される。
期律表第皇族Ａの元素（又は周期律表第Ｖ族Ａの元素）
のうちの少なくとも１つを構成原子とするガス状物質或
いはガス化しうる物質をガス化したものが使用される。
原料ガスは各々の成分を構成原子とする原料ガスを所望
の混合比で混合したものであっても、２以上の成分を構
成原子とする原料ガスに１の成分を構成原子とする原料
ガス°を混合したものであってもかまわない。
の混合比で混合したものであっても、２以上の成分を構
成原子とする原料ガスに１の成分を構成原子とする原料
ガス°を混合したものであってもかまわない。
また、前記原料ガスになり得る出発物質としては、例え
ば、ＳｌとＲとを構成原子とするＳｉＨ４，Ｓｉ、−な
どが、■とＢとを構成原子とするＢ＊Ｈａなどがあげら
れる。Ｈ２、Ｎ、なども有用なものである。
ば、ＳｌとＲとを構成原子とするＳｉＨ４，Ｓｉ、−な
どが、■とＢとを構成原子とするＢ＊Ｈａなどがあげら
れる。Ｈ２、Ｎ、なども有用なものである。
スパッタリング法を採用する場合には、単結晶又は多結
晶のＳｔウェーッ・−或いはＳｔを含有しているウェー
ハーをターゲットとして、これを適当なガス雰囲気中で
スパッタリングさせればよい。ここでのガスにはさきの
グロー放電法で掲げた原料ガスが有効に使用し５る。
晶のＳｔウェーッ・−或いはＳｔを含有しているウェー
ハーをターゲットとして、これを適当なガス雰囲気中で
スパッタリングさせればよい。ここでのガスにはさきの
グロー放電法で掲げた原料ガスが有効に使用し５る。
これら方法での希釈ガスとしてはＨｅ、 Ｎ＠、 Ａｒ
。
。
Ｈｌなどが例示できる。
本発明における中間層２は、前記のごとき特定の機能を
有していなければならないことから、その層２の形成に
はそうした機能が付与されるように行なわれる必要があ
る。アモルファス材料層で構成された中間層２がｐ形、
ｎ形のいずれかをとるかによってａ−８１中にドーピン
グされる不純物（Ｎ、Ｅｌ及び／又はＦ１周期律表第川
族Ａの元素、周期律表第Ｖ族Ａの元素）の量は異なるの
であって、それは実験によって割り出すことができる。
有していなければならないことから、その層２の形成に
はそうした機能が付与されるように行なわれる必要があ
る。アモルファス材料層で構成された中間層２がｐ形、
ｎ形のいずれかをとるかによってａ−８１中にドーピン
グされる不純物（Ｎ、Ｅｌ及び／又はＦ１周期律表第川
族Ａの元素、周期律表第Ｖ族Ａの元素）の量は異なるの
であって、それは実験によって割り出すことができる。
即ち、本発明者等が実験により知りえたところによれば
、ｐ形とするためには、ａ−８ｌ中Ｋ、Ｃを０〜２０ア
トミツクチ、Ｎを１．０〜２０．・０アトミツク％、Ｆ
ｌを５．０〜３５．−０アトミツク優、周期律表第ｎｌ
族Ａの元素を５０〜１０００ ｐｐｍドーピングすれば
よい。また、必要に応じて、ハロゲンが５．０〜３５．
０アトミツク係、０が０．０２〜５．０アトミック−の
範囲でドーピパングされてよい。実際には、周期律表第
■族Ａの元素にはＢが多く採用されるため、前記の周期
律表第ｍ族Ａの元素５０〜１０００ ｐｐｍはＢ、−と
してのガス混合比である。一方、ｎ形とするためには、
ａ−８１中に、Ｃを０〜２０アトミツクチ、Ｎを１．０
〜２０．０アトミツク俤、Ｈを５．０〜３５．０アトミ
ツク俤、周期律表第Ｖ族Ａの元素を５０〜１０００ ｐ
ｐｍ ドーピングすればよい。
、ｐ形とするためには、ａ−８ｌ中Ｋ、Ｃを０〜２０ア
トミツクチ、Ｎを１．０〜２０．・０アトミツク％、Ｆ
ｌを５．０〜３５．−０アトミツク優、周期律表第ｎｌ
族Ａの元素を５０〜１０００ ｐｐｍドーピングすれば
よい。また、必要に応じて、ハロゲンが５．０〜３５．
０アトミツク係、０が０．０２〜５．０アトミック−の
範囲でドーピパングされてよい。実際には、周期律表第
■族Ａの元素にはＢが多く採用されるため、前記の周期
律表第ｍ族Ａの元素５０〜１０００ ｐｐｍはＢ、−と
してのガス混合比である。一方、ｎ形とするためには、
ａ−８１中に、Ｃを０〜２０アトミツクチ、Ｎを１．０
〜２０．０アトミツク俤、Ｈを５．０〜３５．０アトミ
ツク俤、周期律表第Ｖ族Ａの元素を５０〜１０００ ｐ
ｐｍ ドーピングすればよい。
また、必要に応じて、ハロゲンが５，０〜３５．０アト
ミツク俤、０が０．０２〜５．０アトミツク憾の範囲で
ドーピングされてよい。実際には、周期律表第Ｖ族Ａの
元素にはＰが多く採用されるため、前記の周期律表第Ｖ
族Ａの元ｇｓｏ〜１１０００ｐｐはＰＦＩ、としてのガ
ス混合比である。この場合の中間層（ａ−８１系中間層
）の厚さは１００八〜５μｍ好ましくは５００Ａ−１μ
ｍが適当である。１００Ａより薄いと感光層で発生した
キャリアが中間層をいわゆるトンネル効果により支持体
へ通過するため再結台面力←支持体表面となり、逆に、
５μｍより厚いと支持体から注入されるキャリアが有効
に中間層と感光層との界面に到達しにくくなってしまう
。
ミツク俤、０が０．０２〜５．０アトミツク憾の範囲で
ドーピングされてよい。実際には、周期律表第Ｖ族Ａの
元素にはＰが多く採用されるため、前記の周期律表第Ｖ
族Ａの元ｇｓｏ〜１１０００ｐｐはＰＦＩ、としてのガ
ス混合比である。この場合の中間層（ａ−８１系中間層
）の厚さは１００八〜５μｍ好ましくは５００Ａ−１μ
ｍが適当である。１００Ａより薄いと感光層で発生した
キャリアが中間層をいわゆるトンネル効果により支持体
へ通過するため再結台面力←支持体表面となり、逆に、
５μｍより厚いと支持体から注入されるキャリアが有効
に中間層と感光層との界面に到達しにくくなってしまう
。
感光層３は、前記のごとく、中間層２がｐ形であればｎ
形又は１形で、中間層２がｎ形であればｐ形又はｎ形で
もって構成される。従って、Ｓｓや５ａ−Ａｓ、 ５ｅ
−Ｔｌ （いずれも′ｐ形）、Ｃｄ５（Ｃｕ ドープ）
、ＺｎＯ（いずれもｎ形）などの無機光導電材料はその
まま感光層とすることができる。
形又は１形で、中間層２がｎ形であればｐ形又はｎ形で
もって構成される。従って、Ｓｓや５ａ−Ａｓ、 ５ｅ
−Ｔｌ （いずれも′ｐ形）、Ｃｄ５（Ｃｕ ドープ）
、ＺｎＯ（いずれもｎ形）などの無機光導電材料はその
まま感光層とすることができる。
また、感光層３は、中間層２が前記アモルファス材料層
により形成されている場合には、ａ−３ｉ系であるのが
望ましい。ａ−８１系感光層ではａ−８ｌの他にＣ，Ｎ
、Ｏ，Ｈ及び／又はＦ。
により形成されている場合には、ａ−３ｉ系であるのが
望ましい。ａ−８１系感光層ではａ−８ｌの他にＣ，Ｎ
、Ｏ，Ｈ及び／又はＦ。
周期律表第■族Ａの元素又は第■族Ａの元素（Ｐ、Ａｓ
、 Ｓｂ、旧 など）のうちの少なくとも１つの元素が
ドーピングされ、それら不純物の組み合わせや添加社の
ちがいによってｐ形、ｎ形、ｎ形とに分けられる。この
ことは前記アモルファス材料中間層の場合と同様である
。
、 Ｓｂ、旧 など）のうちの少なくとも１つの元素が
ドーピングされ、それら不純物の組み合わせや添加社の
ちがいによってｐ形、ｎ形、ｎ形とに分けられる。この
ことは前記アモルファス材料中間層の場合と同様である
。
例えば、こうしたａ−８ｌ系感光層においてｐ形とする
には、周期律表第ｎ［族Ａの元素を適量添加すればよい
が、例えばＢを例にとるとガス混合比としてＢ、Ｈ，を
１００〜１０００ ｐ ｐｍ程度添加すればよい。ｎ形
とするにはａ−ＳドＨ，ａ−ＳドＮ；ξａ−８ｉ：Ｃ二
Ｎ：Ｈの場合では特に不純物を添加しなくてもややｎ形
となっているが、好ましくは、周期律表第■族Ａの元素
を適量添加すればよく、例−えばＰの場合では、ガス混
合比としてＰｆ（ｓを １０〜１０（１０ｐｐｍ 程度
である。
には、周期律表第ｎ［族Ａの元素を適量添加すればよい
が、例えばＢを例にとるとガス混合比としてＢ、Ｈ，を
１００〜１０００ ｐ ｐｍ程度添加すればよい。ｎ形
とするにはａ−ＳドＨ，ａ−ＳドＮ；ξａ−８ｉ：Ｃ二
Ｎ：Ｈの場合では特に不純物を添加しなくてもややｎ形
となっているが、好ましくは、周期律表第■族Ａの元素
を適量添加すればよく、例−えばＰの場合では、ガス混
合比としてＰｆ（ｓを １０〜１０（１０ｐｐｍ 程度
である。
また１形とするにはａ−８１：Ｎ：Ｈ，ａ−８ｉ：Ｃ：
Ｎ：Ｈの場合にはガス混合比としてＢｇＨａを１０〜１
１００ｐｐ程度添加すればよい。なお、ａ−８１：Ｃ：
Ｈの場合はそれ自体（他の不純物を添加しない状態）で
ほぼ１形となっている。
Ｎ：Ｈの場合にはガス混合比としてＢｇＨａを１０〜１
１００ｐｐ程度添加すればよい。なお、ａ−８１：Ｃ：
Ｈの場合はそれ自体（他の不純物を添加しない状態）で
ほぼ１形となっている。
感光層の厚さは、５〜１００μｍ好ましくは１０〜４０
μｍである。５μｍより薄いと十分な表面電位が得られ
ないとともに照射した光が中間層まで到達してしまい余
分な光キャリアを発生させ、結果として、支持体界面の
悪影響を受けやすくなる。、逆に、１００μｍより厚い
と剥離しやすくなるとともに感光体としてのコストアッ
プをまねき好ましくない。
μｍである。５μｍより薄いと十分な表面電位が得られ
ないとともに照射した光が中間層まで到達してしまい余
分な光キャリアを発生させ、結果として、支持体界面の
悪影響を受けやすくなる。、逆に、１００μｍより厚い
と剥離しやすくなるとともに感光体としてのコストアッ
プをまねき好ましくない。
ａ−８ｔ系感光１ｊｎ３の形成は、アモルファス材料中
間層２の場合と同様な手段が採りうる。
間層２の場合と同様な手段が採りうる。
本発明に係る感光体では、前述のとおり、感光層３と中
間層２とが特定の関係をもっていることが条件であり、
従って、そうした関係が満足されるように感光層、中間
層の構成材料等が選択される必要がある。
間層２とが特定の関係をもっていることが条件であり、
従って、そうした関係が満足されるように感光層、中間
層の構成材料等が選択される必要がある。
保護層４は必要により感光層３上に設けられるが、その
厚さは０．０５〜５．０μｍ好ましくは０、１〜２．θ
μｍ程度である。保護層４の構成材料としては窒化珪素
、炭化珪素、酸化珪素、窒化ボロン、窒化炭化ボロンな
どが適している。
厚さは０．０５〜５．０μｍ好ましくは０、１〜２．θ
μｍ程度である。保護層４の構成材料としては窒化珪素
、炭化珪素、酸化珪素、窒化ボロン、窒化炭化ボロンな
どが適している。
以上のごとく、本発明感光体は帯電時に支持体から注入
されるキャリアと同極性のキャリアが多数キャリアとな
る層を中間層（支持体と感光層との間に設けられた層）
としたものである。
されるキャリアと同極性のキャリアが多数キャリアとな
る層を中間層（支持体と感光層との間に設けられた層）
としたものである。
もつとも、導電性支持体上に中間層、光導電層を順次積
層した電子写真感光体であって、その中間層に支持体側
から光導電層中へのキャリアの流入を阻止しかつ光照射
によって光導電層中に生じ支持体側に向って移動するキ
ャリアの光導電層側から支持体側への通過を許ｊ機能を
もたせることも考えられるが、そうした感光体ではどう
しても残留電位が増加する傾向があり、また、支持体表
面の汚染物質の影響を敏感に受けこれが異常画像として
現われる傾向があり、本発明の目的を達成することがで
きない。
層した電子写真感光体であって、その中間層に支持体側
から光導電層中へのキャリアの流入を阻止しかつ光照射
によって光導電層中に生じ支持体側に向って移動するキ
ャリアの光導電層側から支持体側への通過を許ｊ機能を
もたせることも考えられるが、そうした感光体ではどう
しても残留電位が増加する傾向があり、また、支持体表
面の汚染物質の影響を敏感に受けこれが異常画像として
現われる傾向があり、本発明の目的を達成することがで
きない。
本発明の感光体は通常の複写機用のものであっても、電
子写真法を応用した印刷機の印刷ドＸ ３４０ ｍｍの
アルミドラム（支持体）上に中間層、光導電層を設けて
電子写真感光体を作成した。なお、基板温度２３０℃、
放電周波数１３．５６ＭＨｚ ｓ放電電力０６２４Ｗ／
ｃｒｌ、反応圧力０．８ ｔｏｒｒ 。
子写真法を応用した印刷機の印刷ドＸ ３４０ ｍｍの
アルミドラム（支持体）上に中間層、光導電層を設けて
電子写真感光体を作成した。なお、基板温度２３０℃、
放電周波数１３．５６ＭＨｚ ｓ放電電力０６２４Ｗ／
ｃｒｌ、反応圧力０．８ ｔｏｒｒ 。
の条件で行ない、中間層の膜厚は４０００ Ａ、感光層
（光導電層）の膜厚は１８μｍとなるようにした。
（光導電層）の膜厚は１８μｍとなるようにした。
感光体Ａ１を乾式複写機〔リコビーＦＴ４０６０改造機
（＋ ６．５ ＫＶコロナチャージ）〕にセセラし、連
続１０万枚の画像出しを行なったところ、白ポチ、白ス
ジ等の異常画像のまったくない階調性のよい鮮明な画像
が得られた。比較のために、感光体屋１を帯電プロセス
を−６，５ＫＶに変更した複写機にセットしてｌ［！ｉ
ｌ像出しを試みたところ、基板表面の影響とみられる白
ポチ、白スジ等の多い異常画像が得られた。
（＋ ６．５ ＫＶコロナチャージ）〕にセセラし、連
続１０万枚の画像出しを行なったところ、白ポチ、白ス
ジ等の異常画像のまったくない階調性のよい鮮明な画像
が得られた。比較のために、感光体屋１を帯電プロセス
を−６，５ＫＶに変更した複写機にセットしてｌ［！ｉ
ｌ像出しを試みたところ、基板表面の影響とみられる白
ポチ、白スジ等の多い異常画像が得られた。
他の比較のために、中間層を設けなかった以外はまった
く同様にして比較感光体（Ａ １’ ）を作成し、本実
施例と同じ条件（＋ ６．５ ＫＮコロナチャージ）で
画像出しを行なったところ、本実施例に比べ顕著に白ポ
チ、白スジの発生が認められた。
く同様にして比較感光体（Ａ １’ ）を作成し、本実
施例と同じ条件（＋ ６．５ ＫＮコロナチャージ）で
画像出しを行なったところ、本実施例に比べ顕著に白ポ
チ、白スジの発生が認められた。
更に、感光体扁２を用いて上記感光体通１と同じにして
画像出しを試みたところ、−６，ＣＫＶの帯電プロセス
では良好な画像が多数枚得られたが、＋ ６．５ ＫＶ
の帯電プロセスでは異常画像が得られた。
画像出しを試みたところ、−６，ＣＫＶの帯電プロセス
では良好な画像が多数枚得られたが、＋ ６．５ ＫＶ
の帯電プロセスでは異常画像が得られた。
効果
（ｔｌ 本発明に係る電子写真感光体では中間層と感光
層（光導電層）との界面でキャリアの搏結合が行われる
ため、残留電位が著しく少ないかほとんどな（、また、
支持体表面の汚染による画（ＩＩ上への悪影響が極めて
出にくい。
層（光導電層）との界面でキャリアの搏結合が行われる
ため、残留電位が著しく少ないかほとんどな（、また、
支持体表面の汚染による画（ＩＩ上への悪影響が極めて
出にくい。
このことは、鮮明な画像が得られることを意味し、また
、感光体作製時の表面清浄度（洗浄方法、室内クリーン
度など）、取扱い等に自由度が生まれ、コスト面、作業
面で多大な効果がもたらされる。
、感光体作製時の表面清浄度（洗浄方法、室内クリーン
度など）、取扱い等に自由度が生まれ、コスト面、作業
面で多大な効果がもたらされる。
（２） 中間層の存在により、感光体作製時の感光ノー
の膜成長が面方向、膜方向ともに均一となるため、異常
点（例えば結晶化部）が激減し、その結果、異常画像の
発生が防止される。
の膜成長が面方向、膜方向ともに均一となるため、異常
点（例えば結晶化部）が激減し、その結果、異常画像の
発生が防止される。
第１図及び第２図は本発明に係る電子写真感光体の二側
の断面図である。 １・・・導゛亀性支持体 ２・・・中ｆｆ１）層３・・
・感光層（光導電層） ４・・・保ｒａ層飛１面 市２叉
の断面図である。 １・・・導゛亀性支持体 ２・・・中ｆｆ１）層３・・
・感光層（光導電層） ４・・・保ｒａ層飛１面 市２叉
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 導電性支持体上に中間層、感光層を積層してなり
、該中間層は帯電時に該支持体から注入されるキャリア
と同極性のキャリアが多数キャリアとなる機能を有して
いることを特徴とする電子写真感光体。 ２、該感光層が該中間層と逆極性又は真性である特許請
求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250200A JPH0680463B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
| US06/684,566 US4600672A (en) | 1983-12-28 | 1984-12-21 | Electrophotographic element having an amorphous silicon photoconductor |
| DE19843447624 DE3447624A1 (de) | 1983-12-28 | 1984-12-28 | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250200A JPH0680463B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140357A true JPS60140357A (ja) | 1985-07-25 |
| JPH0680463B2 JPH0680463B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=17204308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250200A Expired - Fee Related JPH0680463B2 (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4600672A (ja) |
| JP (1) | JPH0680463B2 (ja) |
| DE (1) | DE3447624A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4729937A (en) * | 1985-12-26 | 1988-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layered amorphous silicon electrophotographic photosensitive member comprises BN surface layer and BN barrier layer |
| US4762761A (en) * | 1986-03-12 | 1988-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrophotographic photosensitive member and the method of manufacturing the same comprises micro-crystalline silicon |
| US4845001A (en) * | 1986-04-30 | 1989-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member for use in electrophotography with a surface layer comprising non-single-crystal material containing tetrahedrally bonded boron nitride |
| US5164281A (en) * | 1987-05-15 | 1992-11-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photosensitive body for electrophotography containing amorphous silicon layers |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150752A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
| US4490453A (en) * | 1981-01-16 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member of a-silicon with nitrogen |
| US4465750A (en) * | 1981-12-22 | 1984-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with a -Si having two layer regions |
| US4483911A (en) * | 1981-12-28 | 1984-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with amorphous silicon-carbon surface layer |
| US4452874A (en) * | 1982-02-08 | 1984-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member with multiple amorphous Si layers |
| US4490450A (en) * | 1982-03-31 | 1984-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member |
| JPS58217938A (ja) * | 1982-06-12 | 1983-12-19 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58250200A patent/JPH0680463B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-12-21 US US06/684,566 patent/US4600672A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-28 DE DE19843447624 patent/DE3447624A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680463B2 (ja) | 1994-10-12 |
| DE3447624A1 (de) | 1985-07-18 |
| US4600672A (en) | 1986-07-15 |
| DE3447624C2 (ja) | 1987-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5455138A (en) | Process for forming deposited film for light-receiving member, light-receiving member produced by the process, deposited film forming apparatus, and method for cleaning deposited film forming apparatus | |
| JP3124841B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60140357A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6083957A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0782240B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH06266139A (ja) | 電子写真用光受容部材 | |
| JPH0220095B2 (ja) | ||
| JP2595575B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2720448B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS6194054A (ja) | 光導電部材 | |
| KR0156562B1 (ko) | 전자사진 감광체의 제조방법 | |
| JP2006189822A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0380307B2 (ja) | ||
| JP2887830B2 (ja) | 電子写真感光体および電子写真方法 | |
| US4912008A (en) | Method of annealing electrophotographic photosensitive device | |
| JPS62151856A (ja) | 光導電部材 | |
| KR910003982B1 (ko) | 전자 사진 광수용체 | |
| JPH0454941B2 (ja) | ||
| JPS63132252A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61275853A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS58163951A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS62154673A (ja) | 光受容部材 | |
| JPS6244750A (ja) | 感光体 | |
| JPH0452462B2 (ja) | ||
| JPS61232464A (ja) | 電子写真感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |