JPS5928161A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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Publication number
JPS5928161A
JPS5928161A JP13869082A JP13869082A JPS5928161A JP S5928161 A JPS5928161 A JP S5928161A JP 13869082 A JP13869082 A JP 13869082A JP 13869082 A JP13869082 A JP 13869082A JP S5928161 A JPS5928161 A JP S5928161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer layer
layer
amorphous silicon
silicon layer
conductive substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13869082A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideji Yoshizawa
吉澤　秀二
Takeshi Ueno
毅 上野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP13869082A priority Critical patent/JPS5928161A/ja
Publication of JPS5928161A publication Critical patent/JPS5928161A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はたとえば電子複写機等に用いられる電子写真感
光体に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、この種の′電子写真感光体においては、導′ｉＬ
性基板上に、ブロッキング層としての高分子層およびア
モルファスシリコン（ａ−８ｔ）層をこの順に積層し、
高分子層によって導電性基板ｆｌｌＵからアモルファス
シリコン層へのキャリアの流入を阻止するとともに電磁
波照射にてアモルファスシリコン層中に生じ導電性基板
に向かって移動するキャリアのアモルファスシリコン層
から導電性基板側への通過を可能にするようにしたもの
が知られている。
ところで、上記高分子層は、通常、ポ、リビニルブチラ
ール、ボッカーボネイト等であり、塗布により導電性基
板上に形成される。しかしながら、塗布法は高分子を溶
媒に溶解させるために熱的に不安定な二次限構造の高分
子を選択しなければならない。また、高分子層形成後の
アモルファスシリコン層の成膜は、通常、基板温度が２
００〜３００℃の範囲で行なわれる。したがって、高分
子層はアモルファスシリコン層の成膜によって有機高分
子の熱劣化が起き、その結果、ブロッキング層としての
効果が減少するばかシか、アモルファスシリコン層のは
がれの原因となる。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、高分子層の熱劣化がなく、以て高分
子層がブロッキング層として十分に機能するとともにア
モルファスシリコン層のはがれが生しないようにした電
子写真感光体を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、導電性基板と、この導電性基板上に形成され
た網目構造を有する高分子層と、この高分子層上に形成
されたアモルファスシリコン層とを具備したことを特徴
とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。図中１は材質がＡｔである導電性基板で、仁の基板１
上には炭素（Ｃ）、チッ素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、水素（
Ｈ）のいずれか１つ以上を含む三次限網目構造を有する
ブロッキング層としての高分子層２が形成されている。
すなわち、この高分子層２は減圧下で気相になる全ての
有機化合物およびＣ０ＸＣＯ２、Ｎ２、Ｎ２等の一部の
無機化合物のグロー放電によるプラズマ重合によって形
成されている。さらに、高分子層２上にはグロー放電に
よってアモルファスシリコン層３が成膜されている。
以上の構成によれば、三次限網目構造を有する高分子層
２は架橋密度が高くなるに従って熱的に安定となり、ア
モルファスシリコン層３が通常１５０〜４００℃、好ま
しくは２００〜３５０℃の基板温度で作製されることに
よって熱劣化することはない。したがって、高分子層２
はブロッキング層としての機能、すなわち、導電性基板
１側からアモルファスシリコン層３へのキャリアの流入
を阻止するとともに電磁波照射にてアモルファスシリコ
ン層３中に生じ導電性基板１に向かって移動するキャリ
アのアモルファスシリコン層３から導電性基板１側への
通過を可能とする機能を十分に奏することができる。ま
た、実験例を示すと、たとえば化ツマ−をエチレンとし
て生成したポリエチレンでは融点（１２０〜１４０℃）
は存在せず、３５０℃までまったく形態、色調の変化は
認められなかった。
なお、従来の重合反応ではモノマーとして二重結合など
の特定の官能機を持つことが必須であるが、プラズマ重
合ではベンゼンやメタンなどからも高分子物質を生成す
ることができ、実質的にはすべての有機化合物が重合可
能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、導電性基板と、こ
の導電性基板上に形成された　網目構造を有する高分子
と、この高分子層上に形成されたアモルファスシリコン
層とを具備したから、高分子層の熱劣化がなく、以て高
分子層がブロッキング層として十分に機能するとともに
アモルファスシリコン層のはがれが生′じない等優れた
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・導電性基板、２・・・高分子層、３・・・アモ
ルファスシリコン層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）導電性基板と、この導電性基板上に形成された網
    目構造を有する高分子層と、この高分子層上に形成され
    たアモルファスシリコン層とを具備したことを特徴とす
    る電子写真感光体。
  2. （２）高分子層は減圧下で気相になる有機又は無機化合
    物のグロー放電によるグラズマ重合によって形成される
    特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
  3. （３）高分子層は少なくとも炭素（Ｃ）、チッ素（Ｎ）
    、酸素（０）又は水素（ｎ）のいずれか１つを含むこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
    電子写真感光体。
JP13869082A 1982-08-10 1982-08-10 電子写真感光体 Pending JPS5928161A (ja)

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