KR940016551A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속배선의 형성방법에 관한 것으로 소정의 반도체구조물 상에 절연층이 형성된 반도체장치에 금속배선을 형성하는 방법에 있어서 상기 절연층 상에 금속으로 이루어진 도전층 및 고융점내화금속으로 이루어진 금속층을 적층 형성하는 공정, 금속배선의 패터닝을 위한 감광막패턴을 형성하는 공정; 상기 감광막패턴을 이용하여 상기 금속층을 패터닝하는 공정; 상기 금속층패턴을 이용하여 상기 알루미늄합금을 패터닝하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서 상기한 본 발명에 의하면 금속배선의 제조공정이 단순하고 공정재현성이 우수하며, 감광막보다 얇은 두께의 고융점내화금속패턴을 식각마스크로 금속배선을 패터닝함으로서 고단차를 갖는 구조물상에서도 사진공정의 마진이 큰 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 5 도 내지 제 9 도에는 발명의 방법에 의한 반도체장치의 금속배선을 제조하는 공정 단면이 순서대로 도시되어 있으며,
Claims (6)
- 반도체장치에 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 절연층상에 알루미늄으로 이루어진 제 1 금속층 및 텅스텐으로 이루어진 제 2 금속층을 적층 형성하는 공정, 상기 적층 금속층 상에 금속배선의 패터닝을 위한 감광막패턴을 형성하는 공정; 상기 감광막패턴을 이용하여 상기 제 2 금속층을 패터닝하는 공정; 상기 제 2 금속층패턴을 이용하여 상기 제 1 금속층을 패터닝하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 감광막패턴을 이용한 고융점내화금속의 패터닝은 불소계의 식각가스를 사용하는 플라즈마식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 불소계의 식각가스는 SF6인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기한 알루미늄합금의 패터닝은 염소계 가스를 사용하는 플라즈마식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 염소계의 식각가스는 Cl2, BCl3중에서 선택된 어느하나가 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불소계가스를 이용한 고융점내화금속의 식각시 발생디는 폴리머는 상기 감광막 제거 공정 후, 유기용제를 주성분으로하는 식각액을 이용하여 습식식각 방식에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR92025919A KR960008900B1 (en) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | Fabricating method of semiconductor device |
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| KR (1) | KR960008900B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458078B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의금속배선형성방법 |
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1992
- 1992-12-29 KR KR92025919A patent/KR960008900B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100458078B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의금속배선형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR960008900B1 (en) | 1996-07-05 |
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