KR930014790A - 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로 건식 식각 감광막 제거장비에서 BCI3가스를 이용하여 측벽막을 제거하는 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반응성 이온 식각공정으로 금속충의 소정부분이 식각된 후 금속층의 패턴이 형성된 상태의 단면도
제2도는 제1도의 공정후 감광막을 제거하여 금속충 상부에 측벽막이 형성된 상태의 단면도.
제3도는 제2도의 공정 후 측벽막을 건식 식각공정으로 제거하여 금속 배선이 형성된 상태의 단면도.
Claims (4)
- 고집적반도체소자의 금속배선 형성방법에 있어서 절연막(1)을 제공하는 단계와, 상기 절연막(1) 상부에 금속충(2)을 형성하는 단계와 상기 금속충(2) 상부에 감광막(4)을 도포하는 단계와 반응성 이온 식각공정으로 상기 금속충(2)의 소정부분을 식각하는 단계와 상기 금속충(2) 상부의 감광막(4)을 제거하는 단계와, 상기 금속충(2) 상부 측벽에 형성된 측벽막(3)을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서 금속충(2) 상부의 감광막(4)은 산소 플라즈마로 식각되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서 금속충(2) 상부에 형성된 측벽막(3)은 상기 금속충 식각 장비에 BCI3, Ar, Ne, N2가스를 이용하며, -200V 이상의 챔버전압 조건에서 건식 식각공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서 금속충(2)은 Al합금, TiN, Ti, W의 적층구조인 합금배선인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR950006341B1 (ko) | 1995-06-14 |
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