KR970067702A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR970067702A
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아케미 가와구치
노부오 아오이
미노루 구보
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모리시다 요이치
마쯔시다 덴키 산교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 동을 함유하는 알루미늄 합금으로 된 금속배선의 부식을 방지하기 위한 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체 기판(10) 위에는 제1절연막(11)이 형성되고, 이 제1절연막(11) 위에는 동이 함유된 알루미늄 합금으로 된 금속배선(12)이 형성되어 있다. 금속배선(12)이 상면에는 반사 방지막(13)이 형성되고, 금속배선(12) 양측면의 알루미늄 산화 피막이 형성되어 있지 않은 영역에는 동의 황화막인 황화동막(14)이 형성되어 있다. 반사 방지막(13) 및 황화동막(14)잉 형성된 금속배선(12) 및 제1절연막(11) 위에는 전체면에 걸쳐 제2절연막(15)이 형성되어 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체 장치의 단면도이고, (b)는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체 장치의 단면도

Claims (7)

  1. 반도체 기판 상에 형성되며, 동을 함유하는 알루미늄 합금으로 된 금속배선과, 상기 금속배선의 상면에 형성되는 반사 방지막과, 상기 금속배선 양측면의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 형성되는 동의 황화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 반도체 기판 상에 형성되며, 동을 함유하는 알루미늄 합금으로 된 금속배선과, 상기 금속배선의 상면 및 양측면의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 형성되는 동의 화화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 반도체 기판상에 금속막을 퇴적하는 금속막 퇴적공정과, 상기 금속막 위에 반사 방지막을 퇴적하는 반사 방지막 퇴적공정과, 상기 반사 방지막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 반사 방지막 및 금속막을 에칭하여 금속배선을 형성하는 금속배선 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 금속배선 양측면의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 동의 황화막을 형성하는 황화막 형성공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 반도체 기판상에 금속막을 퇴적하는 금속막 퇴적공정과, 상기 금속막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 금속막을 에칭하여 금속배선을 형성하는 금속배선 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 제거한 후 상기 금속배선의 상면 및 양측면의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 동의 황화막을 형성하는 황화막 형성공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 황화막 형성공정은 상기 반도체 기판을 황화 암모늄 용액에 침지함으로써 상기 동의 황화막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 반도체 기판상에 금속막을 퇴적하는 금속막 퇴적공정과, 상기 금속막 상면의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 동의 황화막을 형성하는 제1황화막 형성공정과, 상기 동의 황화막 위에 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 금속막을 에칭하여 금속배선을 형성하는 금속배선 형성공정과, 상기 레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 금속새선의 알루미늄 산화막이 형성되어 있지 않은 영역에 동의 황화막을 형성하는 제2황화막형성공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1황화막 형성공정 및 제2황화막 형성공정 중 적어도 하나의 공정은 상기 반도체 기판을 황화 암모늄 용액에 침지함으로써 상기 동의 황화막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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