JPS6126055A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6126055A JPS6126055A JP14792084A JP14792084A JPS6126055A JP S6126055 A JPS6126055 A JP S6126055A JP 14792084 A JP14792084 A JP 14792084A JP 14792084 A JP14792084 A JP 14792084A JP S6126055 A JPS6126055 A JP S6126055A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- layers
- photoreceptor
- atoms
- carriers
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
動画上の利用分野
本発明は電子写真感光体、特にアモルファスシリコン・
ゲルマニウム２系感光体に関する。
ゲルマニウム２系感光体に関する。
殉汐艮板
アモルファスシリコンゲルマニウム（以下ａ−３”ｉ
： Ｇｅ ト記ｔ）は、アモルファスシリコン（以下、
ａ−８ｉと記す）に比べ、バンドギャップが小さくなる
ため、長波長光に対する吸収が高くなり、従って、キャ
リアも多く発生し、長波長光に対する感度を向上させる
ため半導体レーザーを応用したプリンター用感光体とし
て将来が嘱望されている。さらに、短波長感度も損なわ
れないため露光ランプの発光スペクトルの調整によりＰ
ＰＣへの応用も可能である。また、ａ−８ｉ ： Ｇｅ
層での長波長光の吸収が、よいため、従来のアモルファ
スシリコン（ａＳｉ）感光体において、しばしばみられ
る光の干渉による画像の乱れが少ないと云った優れた特
徴がある。
： Ｇｅ ト記ｔ）は、アモルファスシリコン（以下、
ａ−８ｉと記す）に比べ、バンドギャップが小さくなる
ため、長波長光に対する吸収が高くなり、従って、キャ
リアも多く発生し、長波長光に対する感度を向上させる
ため半導体レーザーを応用したプリンター用感光体とし
て将来が嘱望されている。さらに、短波長感度も損なわ
れないため露光ランプの発光スペクトルの調整によりＰ
ＰＣへの応用も可能である。また、ａ−８ｉ ： Ｇｅ
層での長波長光の吸収が、よいため、従来のアモルファ
スシリコン（ａＳｉ）感光体において、しばしばみられ
る光の干渉による画像の乱れが少ないと云った優れた特
徴がある。
この様な特徴から感光体にａ−８ｉ：Ｇｅを用いる多く
の研究がなされている。
の研究がなされている。
例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報には感光層全
域にａＳｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８ １７１
０３９号公報には感光体ベースにａＳｉ：Ｇｅを設けた
技術が、特開昭５６−１５６７５３号公報にはａ−３ｉ
：Ｇｅを感光体の表面層および／または基板に直接後す
る層に設ける技術がそれぞれ開示されているが、いずれ
も複数のａｓｉ：Ｇｅ層を設ける提案はなされていない
。
域にａＳｉ：Ｇｅを用いた技術が、特開昭５８ １７１
０３９号公報には感光体ベースにａＳｉ：Ｇｅを設けた
技術が、特開昭５６−１５６７５３号公報にはａ−３ｉ
：Ｇｅを感光体の表面層および／または基板に直接後す
る層に設ける技術がそれぞれ開示されているが、いずれ
も複数のａｓｉ：Ｇｅ層を設ける提案はなされていない
。
例えば、特開昭５８−１７１０３８号公報では感光層全
域にａ−８ｉ：Ｇｅ層を形成しているが、本来、ａ−３
ｉ：Ｇｅはμτが小さく、キャリアの輸送効率が低い欠
点力ｉあり、これを感光層全域に設けると、発生したキ
ャリアがａ−８ｉ’：Ｇｅ層にトラップされ感度が低下
するのみならず、光疲労や残留電位の原因になる。
域にａ−８ｉ：Ｇｅ層を形成しているが、本来、ａ−３
ｉ：Ｇｅはμτが小さく、キャリアの輸送効率が低い欠
点力ｉあり、これを感光層全域に設けると、発生したキ
ャリアがａ−８ｉ’：Ｇｅ層にトラップされ感度が低下
するのみならず、光疲労や残留電位の原因になる。
また、特開昭５８−１７１０３９号公報や特開昭５６−
１．５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ−３
ｉ：Ｇｅ層を感光層のベースに用いると、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅが熱励起キャリアを発生し易いためベースからの電荷
の注入が容易となり帯電能が低下する上、半導体レーザ
ー光や長波長コヒーレント光を光源とするプリンターに
おいて発生する干渉模様を解消するためａ−３ｉ：Ｇｅ
層を厚くするとベース近傍のキャリアがａＳｉｒＧｅ層
にトラップされ、感度低下、光疲労、残留電位発生の原
因となる。
１．５０７５３号公報に記載されているごとく、ａ−３
ｉ：Ｇｅ層を感光層のベースに用いると、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅが熱励起キャリアを発生し易いためベースからの電荷
の注入が容易となり帯電能が低下する上、半導体レーザ
ー光や長波長コヒーレント光を光源とするプリンターに
おいて発生する干渉模様を解消するためａ−３ｉ：Ｇｅ
層を厚くするとベース近傍のキャリアがａＳｉｒＧｅ層
にトラップされ、感度低下、光疲労、残留電位発生の原
因となる。
さらに特開昭５６−１５０７５３号公報に示されている
ごとく、ａＳｉｒＧｅ層を最表面に配置すると、短波長
光で励起されたキャリアがａ Ｓｉ二Ｇｅ層を抜は出
すことができず、感度に寄与できない。また、干渉をお
さえるためａ−８ｉ：Ｇｅ層を厚くするとキャリアが層
内にトラップされる。
ごとく、ａＳｉｒＧｅ層を最表面に配置すると、短波長
光で励起されたキャリアがａ Ｓｉ二Ｇｅ層を抜は出
すことができず、感度に寄与できない。また、干渉をお
さえるためａ−８ｉ：Ｇｅ層を厚くするとキャリアが層
内にトラップされる。
またａ Ｓ、ｉ ： Ｇｅは熱励起キャリアを多く発
生するため表面からの電荷の注入が容易となり帯電能が
低下する。
生するため表面からの電荷の注入が容易となり帯電能が
低下する。
以」二の理由から、上記の従来技術はａＳｉ：Ｇｅの優
れた特性を十分に生かしきっていない。
れた特性を十分に生かしきっていない。
一方、特開昭５８−１５４８５０号公報には、ａＳｉ’
：Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが
、この技術はａ−８ｉ：Ｇｅの三層へテロ結合により長
波長光まで光感度を有し、導電型および比抵抗を大幅に
制御で「る感光体を得ることを目的とするものであり、
ａＳｉ：Ｇｅを用いた際問題となるキャリアの輸送効率
の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電位等の
問題を解決する手段として複数のａ−８ｉ：Ｇｅ層を採
用する教示は全くない。
：Ｇｅを感光体の一部に配置した例が記載されているが
、この技術はａ−８ｉ：Ｇｅの三層へテロ結合により長
波長光まで光感度を有し、導電型および比抵抗を大幅に
制御で「る感光体を得ることを目的とするものであり、
ａＳｉ：Ｇｅを用いた際問題となるキャリアの輸送効率
の低下、それに伴なう感度低下、光疲労、残留電位等の
問題を解決する手段として複数のａ−８ｉ：Ｇｅ層を採
用する教示は全くない。
さらに特開昭５７−１１５５５２号公報にもａＳｉ と
ａ−８ｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されている
が、複数のａｓｉ：Ｇｅ層を設けることによる上記問題
の解決については全く示唆していない。
ａ−８ｉ：Ｇｅを組み合わせた感光体が記載されている
が、複数のａｓｉ：Ｇｅ層を設けることによる上記問題
の解決については全く示唆していない。
発明が解パシようとする問題点
前述のごとく、ａ−３ｉ：Ｇｅは、ａ−８ｉに比ベバン
ドーギャップか小さくなるため、長波長、光に対する吸
収が高くな１）、従って、キャリアも多く発生し、長波
長感度を向上させる性質を有するようになる。
ドーギャップか小さくなるため、長波長、光に対する吸
収が高くな１）、従って、キャリアも多く発生し、長波
長感度を向上させる性質を有するようになる。
反面、ただ単にＣｕｅをドープするだけでは、電子写真
用感光体としては全く機能しない性質を有するようにな
る。例えば、無作為にＧｅを高ドープすると、バンドギ
ャップ中の不純物レベルが増大し、電子写真用感光体の
生命とも言うベト帯電能の低下をまね外、好適な静電潜
像が得られなくなってしよう。
用感光体としては全く機能しない性質を有するようにな
る。例えば、無作為にＧｅを高ドープすると、バンドギ
ャップ中の不純物レベルが増大し、電子写真用感光体の
生命とも言うベト帯電能の低下をまね外、好適な静電潜
像が得られなくなってしよう。
さらに、ａ−３ｉ ： Ｇｅはキャリア発生数は増大す
るものの、発生したキャリアの移動を阻害してしまう性
質を有するため、不用意にＧｅ添加量を増大したり、ａ
−８ｉ ： Ｇｅ層の膜厚を厚くしてしまうと、キャリ
アが移動で外す、従って感度低下、残留電位の発生等を
まねき、加えて除電も十分に行なわれないため、メモリ
ー発生等の電子写真には極めて不都合な結果をもたらし
てしまう。
るものの、発生したキャリアの移動を阻害してしまう性
質を有するため、不用意にＧｅ添加量を増大したり、ａ
−８ｉ ： Ｇｅ層の膜厚を厚くしてしまうと、キャリ
アが移動で外す、従って感度低下、残留電位の発生等を
まねき、加えて除電も十分に行なわれないため、メモリ
ー発生等の電子写真には極めて不都合な結果をもたらし
てしまう。
一方、レーザービームプリンター等のコヒーレント光を
光源とした電子写真法においては、干渉現象の発生を抑
えるために十分な長波長光吸収を行なう必要かある。
光源とした電子写真法においては、干渉現象の発生を抑
えるために十分な長波長光吸収を行なう必要かある。
本発明は、ａ−３ｉ ： Ｇｅを用いる電子写真感光体
における上記問題を解決し、ａ−３ｉ ： Ｇｅの有す
る優れた特性を備えた感光体を得ることを目的とする。
における上記問題を解決し、ａ−３ｉ ： Ｇｅの有す
る優れた特性を備えた感光体を得ることを目的とする。
問題点を解決するための手段
前述のこと（、ａ−３ｉ ： Ｇｅはキャリアの移動性
が低いと云う欠点があり、従って、ａ−３ｉ：Ｇｅ層を
厚くすると感度低下や残留電位の問題を生ずる。逆に、
ａ−８ｉ ： Ｇｅ層を薄くするとａ−８ｉ：Ｇｅ層の
特性を十分に発揮させることができない。
が低いと云う欠点があり、従って、ａ−３ｉ：Ｇｅ層を
厚くすると感度低下や残留電位の問題を生ずる。逆に、
ａ−８ｉ ： Ｇｅ層を薄くするとａ−８ｉ：Ｇｅ層の
特性を十分に発揮させることができない。
本発明では、単一のａ−８ｉ ： Ｇｅ層を薄くし、こ
れを多数層ａ−３ｉ層と交互に積層する二とにより、ａ
−３ｉ ： Ｇｅ層に発生したキャリアを杭−３ｉ層に
抽出し易くする。これによって、ａ−３ｉ：（−０層に
キャリアがトラップされることなく感度および残留電位
に関する問題を解消する。
れを多数層ａ−３ｉ層と交互に積層する二とにより、ａ
−３ｉ ： Ｇｅ層に発生したキャリアを杭−３ｉ層に
抽出し易くする。これによって、ａ−３ｉ：（−０層に
キャリアがトラップされることなく感度および残留電位
に関する問題を解消する。
本発明ではさらに、ａ−３，ｉ ： Ｇｅ層に空乏層
を設けることにより抽出されたキャリアの輸送効率を一
層向上させ、これによって、感度低下および残留電位の
発生を防いでもよい。これは特に好ましい態様である。
を設けることにより抽出されたキャリアの輸送効率を一
層向上させ、これによって、感度低下および残留電位の
発生を防いでもよい。これは特に好ましい態様である。
本発明は、導電性基板上に、アモルファスシリコンを母
体とした層と、アモルファスシリコンゲルマニウムを母
体とした層をそれぞれ複数層備えた電子写真感光体に関
する。
体とした層と、アモルファスシリコンゲルマニウムを母
体とした層をそれぞれ複数層備えた電子写真感光体に関
する。
本明細書において、アモルファスシリコンを母体とする
層とは単にアモルファスシリコンのみでなく、これに適
当なヘテロ原子、例えば、Ｏ，Ｎ、Ｃ，Ｂ、Ｐ等を含む
層を言い、これらを含めてａ−８ｉ（層）と表現する。
層とは単にアモルファスシリコンのみでなく、これに適
当なヘテロ原子、例えば、Ｏ，Ｎ、Ｃ，Ｂ、Ｐ等を含む
層を言い、これらを含めてａ−８ｉ（層）と表現する。
アモルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層につ
いても同様である。
いても同様である。
本発明の電子写真用感光体の一態様の模式的断面図を第
１−ａ図ないし第１．−ｃ１図に示す。第２図は空乏層
を設けた態様、および第３図は第２図における（＋）帯
電で用いる電子写真用感光体をエネルギーレベルで示し
た模式図である。
１−ａ図ないし第１．−ｃ１図に示す。第２図は空乏層
を設けた態様、および第３図は第２図における（＋）帯
電で用いる電子写真用感光体をエネルギーレベルで示し
た模式図である。
図中、（１）は基板、（２）、（４）、（６）、（８）
および（１０）はａ−８ｉ層、（３）、（５）、（７）
および（９）はａ−３ｉ ： Ｇｅ層を示す。第３図で
は（＋）帯電で用いる感光体の構成をバンド図で示して
おり、基板（１）に接してＰ型ａ−８ｉ層（２）、次い
で、Ｐ型ａ−３ｉ ： Ｇｅ層（３−ａ）、さらに、弱
Ｐ型ａ−３ｉ：Ｇｅ層（３−ｂ）およびイントリンシッ
クミー３ｉ層（４）、次いで弱Ｎ型ａ−３ｉ ： Ｇｅ
層（５−ａ）、Ｎ型ａ−８ｉ：Ｇｅ層（５−ｂ）、Ｎ型
ａ−８ｉ層（６）が順次形成されている。即ち、逆方向
バイアスに配置されている。
および（１０）はａ−８ｉ層、（３）、（５）、（７）
および（９）はａ−３ｉ ： Ｇｅ層を示す。第３図で
は（＋）帯電で用いる感光体の構成をバンド図で示して
おり、基板（１）に接してＰ型ａ−８ｉ層（２）、次い
で、Ｐ型ａ−３ｉ ： Ｇｅ層（３−ａ）、さらに、弱
Ｐ型ａ−３ｉ：Ｇｅ層（３−ｂ）およびイントリンシッ
クミー３ｉ層（４）、次いで弱Ｎ型ａ−３ｉ ： Ｇｅ
層（５−ａ）、Ｎ型ａ−８ｉ：Ｇｅ層（５−ｂ）、Ｎ型
ａ−８ｉ層（６）が順次形成されている。即ち、逆方向
バイアスに配置されている。
本発明の第１の特徴は第１図に示すごとく、複数のａ−
８ｉ層とａ−８ｉ ： Ｇｅ層を設けることにあり、第
２の特徴は第２図および第３図に示すごとく、ａ−３ｉ
−Ｇｅ層に空乏層を設けることにある。
８ｉ層とａ−８ｉ ： Ｇｅ層を設けることにあり、第
２の特徴は第２図および第３図に示すごとく、ａ−３ｉ
−Ｇｅ層に空乏層を設けることにある。
本発明において、ａ−８ｉ：Ｇｅ層はａ−Ｓｉ層間にサ
ンドインチ状に配置する。こうすることにより、ａ−３
ｉ ： Ｇｅ層で発生したキャリアが上層にも下層にも
容易に移行し、ａ−８ｉ ： Ｇｅ層中にトラップされ
難くなる。前述のごと＜ａ＝Ｓｉ：Ｇｅはμτが小さく
、発生したキャリアの移動速度が小さく、従って、ａ−
８ｉ：Ｇｅ層を厚くできない欠点があった。特に従来技
術のごと＜ ａ −３ｉ ： Ｇｅが最表面層に接触
して配置された場合は、キャリアは一方の側にしか移行
できず、感度に寄与しない。また、表面からの電荷が注
入し易くなり、帯電能が低下する。一方、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅ層が基板に接触して配設された場合も同様に、下層に
発生したキャリアは上層のａ−３ｉ層へキャリアが抜は
出す前にａ−８’ｉ：Ｇｅ層にトランプされてしまう。
ンドインチ状に配置する。こうすることにより、ａ−３
ｉ ： Ｇｅ層で発生したキャリアが上層にも下層にも
容易に移行し、ａ−８ｉ ： Ｇｅ層中にトラップされ
難くなる。前述のごと＜ａ＝Ｓｉ：Ｇｅはμτが小さく
、発生したキャリアの移動速度が小さく、従って、ａ−
８ｉ：Ｇｅ層を厚くできない欠点があった。特に従来技
術のごと＜ ａ −３ｉ ： Ｇｅが最表面層に接触
して配置された場合は、キャリアは一方の側にしか移行
できず、感度に寄与しない。また、表面からの電荷が注
入し易くなり、帯電能が低下する。一方、ａ−３ｉ：Ｇ
ｅ層が基板に接触して配設された場合も同様に、下層に
発生したキャリアは上層のａ−３ｉ層へキャリアが抜は
出す前にａ−８’ｉ：Ｇｅ層にトランプされてしまう。
また基板からの電荷の注入が容易になり帯電能が低下す
る。
る。
本発明では、ａ Ｓｉ ： Ｇｅ層をａ Ｓｉ層間
に複数層設けることによりそれぞれのａ−３ｉ：Ｇｅ層
中で発生したキャリアが両側に移動し得るため、キャリ
アのトラップが少なくなる。また、ａ−８ｉ ： Ｇｅ
層を複数層使用し、全体としてａ−８ｉ：Ｇｅの量を多
くすることができるため干渉現象を防止できる。また′
、表面層からの電荷の注入および基板からの電荷の注入
が抑制されるため、ａ−３ｉ ： Ｇｅ層を使用するに
際し生じ易い帯電能の低下を防ぐことができる。
に複数層設けることによりそれぞれのａ−３ｉ：Ｇｅ層
中で発生したキャリアが両側に移動し得るため、キャリ
アのトラップが少なくなる。また、ａ−８ｉ ： Ｇｅ
層を複数層使用し、全体としてａ−８ｉ：Ｇｅの量を多
くすることができるため干渉現象を防止できる。また′
、表面層からの電荷の注入および基板からの電荷の注入
が抑制されるため、ａ−３ｉ ： Ｇｅ層を使用するに
際し生じ易い帯電能の低下を防ぐことができる。
本発明においてａ−８ｉ：Ｇｅ層は、基板および表面に
直接液しない形で設けられる。
直接液しない形で設けられる。
ａ−３ｉ：Ｇｅ層の個々の層厚は５０人〜２０μｍにす
るのが好ましい。５０人より小さい場合はａ−８ｉ：Ｇ
’ｅにもとづく長波長光に対する感度が低下し、ＬＢＰ
等への利用が不可能となる。
るのが好ましい。５０人より小さい場合はａ−８ｉ：Ｇ
’ｅにもとづく長波長光に対する感度が低下し、ＬＢＰ
等への利用が不可能となる。
また２０μｍ以上とすると光疲労が発生し易くなり、ま
た残留電位が上昇する傾向がある。ａ−８ｉ二Ｇｅ層の
合計層厚は１００人〜３０μｍが好ましい。
た残留電位が上昇する傾向がある。ａ−８ｉ二Ｇｅ層の
合計層厚は１００人〜３０μｍが好ましい。
ａ−３ｉ：Ｇｅ層中、Ｇｅ原子の濃度はＳｉ原子とＧｅ
原子総数の２−７’Ｏａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔ％と記
す）、より好ましくは８〜５０ａｔ％の範囲にあるのが
好ましく、Ｇｅ濃度が小さいときは層厚は厚くしてもよ
い。
原子総数の２−７’Ｏａｔｏｍｉｃ％（以下ａｔ％と記
す）、より好ましくは８〜５０ａｔ％の範囲にあるのが
好ましく、Ｇｅ濃度が小さいときは層厚は厚くしてもよ
い。
ａＳｉ：Ｇｅ層中には更に他の元素、例えば炭素、酸素
、窒素などを配合し、その光特性を改良してもよい。酸
素の導入は帯電能の向上、光疲労の低減の点で有効であ
る。酸素量はＳｉ原子に対し０．０１〜Ｓａｔ％とする
のが好ましい。
、窒素などを配合し、その光特性を改良してもよい。酸
素の導入は帯電能の向上、光疲労の低減の点で有効であ
る。酸素量はＳｉ原子に対し０．０１〜Ｓａｔ％とする
のが好ましい。
ａ−８ｉ ： Ｇｅ層は二層以上、何層設けてもよい。
ａ−８ｉ：Ｇｅ層は第１−ａ図に示すごとく、等間隔に
設けてもよく、また第ｉ−ｂ図に示すごとく、間隔を変
えてもよい。変える位置は任意である。
設けてもよく、また第ｉ−ｂ図に示すごとく、間隔を変
えてもよい。変える位置は任意である。
さらに、ａ−８ｉ ： Ｇｅの層厚をそれぞれ変えても
よい。また、ａ−８ｉ層に第■族または第■族原子を入
れて、極性調整してもよい。第１−ａ図は（＋）帯電で
使用する感光体の極性を第１１ＩＡ族原子（１１）、例
えば、硼素を基板側に多く入れて逆方向バイアスとなる
よう調整した態様を示す。第１−ｄ図は、ａ−８ｉ層中
の第１［［Ａ族原子（１１）の含量を基板側程多くして
Ｐ型とし、最表面のａ−８ｉ層に第Ｖ族原子を入れてＮ
型とした態様を示す。これらの態様の感光体を（＋）帯
電で用いると、最表面のａ−８ｉ層（１０）は（−）ノ
個定電界、基板側のａ−３ｉ層（２）には（＋）の固定
電界が生じ、それぞれバリヤーとして作用すΣ、ため、
帯電能の向上と、暗減衰の低下がみられる。
よい。また、ａ−８ｉ層に第■族または第■族原子を入
れて、極性調整してもよい。第１−ａ図は（＋）帯電で
使用する感光体の極性を第１１ＩＡ族原子（１１）、例
えば、硼素を基板側に多く入れて逆方向バイアスとなる
よう調整した態様を示す。第１−ｄ図は、ａ−８ｉ層中
の第１［［Ａ族原子（１１）の含量を基板側程多くして
Ｐ型とし、最表面のａ−８ｉ層に第Ｖ族原子を入れてＮ
型とした態様を示す。これらの態様の感光体を（＋）帯
電で用いると、最表面のａ−８ｉ層（１０）は（−）ノ
個定電界、基板側のａ−３ｉ層（２）には（＋）の固定
電界が生じ、それぞれバリヤーとして作用すΣ、ため、
帯電能の向上と、暗減衰の低下がみられる。
本発明感光体は第２図に示すごとく、ａ−８ｉ−Ｇｅ層
の極性を調整して空乏層を設けてもよい。
の極性を調整して空乏層を設けてもよい。
第２図および第３図に示すごとき態様の感光体では、Ｎ
型のａ−８ｉ ： Ｇｅ層（５−ｂ）と、弱Ｎ型のａ−
３ｉ ： Ｇｅ層（’５−ａ）、および弱Ｐ型のａ−８
ｉ： Ｇｅ Ｎ（３−１））とＰ型のａ−３ｉ ： Ｇ
ｅ層（３−ａ）の接合領域に空乏層が形成される。その
結果、光照射によってａ−３ｉ ： Ｇｅ層には多量の
キャリアが発生し、層（５−ａ）、（５−ｂ）、（３−
ａ）および（３−ｂ）に発生したキャリア（電子）は、
それぞれ容易にａ−８ｉ層（６）側に、同様に発生した
キャリア（ホール）は容易にａ−８ｉ層（２）側へ抽出
されるため、残留電位、あるいはメモリー等の問題が発
生しない。より多層の場合も同様である。
型のａ−８ｉ ： Ｇｅ層（５−ｂ）と、弱Ｎ型のａ−
３ｉ ： Ｇｅ層（’５−ａ）、および弱Ｐ型のａ−８
ｉ： Ｇｅ Ｎ（３−１））とＰ型のａ−３ｉ ： Ｇ
ｅ層（３−ａ）の接合領域に空乏層が形成される。その
結果、光照射によってａ−３ｉ ： Ｇｅ層には多量の
キャリアが発生し、層（５−ａ）、（５−ｂ）、（３−
ａ）および（３−ｂ）に発生したキャリア（電子）は、
それぞれ容易にａ−８ｉ層（６）側に、同様に発生した
キャリア（ホール）は容易にａ−８ｉ層（２）側へ抽出
されるため、残留電位、あるいはメモリー等の問題が発
生しない。より多層の場合も同様である。
（−）帯電させるとぎは、第２図と逆の極性調整゛をす
ればよい。
ればよい。
極性調整はａ−３ｉ ： Ｇｅ層へ第■族原子または＆
）Ｖ族原子を入れることにより行なえばよい。
）Ｖ族原子を入れることにより行なえばよい。
第■族原子としては第ｎｌＡ族原子、特に硼素が適当で
あり、第■族原子としては第ＶＡ族原子、特に燐が適当
である。
あり、第■族原子としては第ＶＡ族原子、特に燐が適当
である。
第■族原子の導入量は、Ｓｉ原子に対し２００ｐｌｕｍ
以下、より好ましくは３３−１Ｏ０ｐｐ、第Ｖ族原子は
Ｓｉ原子に対して５０１）Ｉ）Ｉ１１以下、“より好ま
しくは１〜２０ｐｐｍである。
以下、より好ましくは３３−１Ｏ０ｐｐ、第Ｖ族原子は
Ｓｉ原子に対して５０１）Ｉ）Ｉ１１以下、“より好ま
しくは１〜２０ｐｐｍである。
感光体を正帯電で使用するときは、第■族原子の量を基
板側に富、表面層側で貧にするのがよく、また表面層側
に少量の第Ｖ族原子を用いて表面層１１１１ａ−Ｓ ｉ
−Ｇ ｅをＮ型、基板側に第■族原子を用いてＰ型と
してもよい。
板側に富、表面層側で貧にするのがよく、また表面層側
に少量の第Ｖ族原子を用いて表面層１１１１ａ−Ｓ ｉ
−Ｇ ｅをＮ型、基板側に第■族原子を用いてＰ型と
してもよい。
感光体を負帯電で使用するときは、第■族原子の量を基
板側に貧、表面層で富とするのが好ましく、または第Ｖ
族原子を基板側に用い、表面層をＰ型、基板側をＮ型と
してもよい。
板側に貧、表面層で富とするのが好ましく、または第Ｖ
族原子を基板側に用い、表面層をＰ型、基板側をＮ型と
してもよい。
この様な配置を採ることにより、ａ−８ｉ層において述
べたと同様の効果が得られる。
べたと同様の効果が得られる。
本発明感光体は、ａ−８ｉ層を基板と接合させ、かつ表
面層に用いると共にａ−８ｉ ： Ｇｅ ｌｊｌとａＳ
ｉ を交互に配置するのがよい。このようにすることに
より、ａ−３ｉ：Ｇｅ層で発生したキャリアの移動が容
易になりまた表面または基板からの電荷の注入が抑制さ
れ、帯電能が向上する。
面層に用いると共にａ−８ｉ ： Ｇｅ ｌｊｌとａＳ
ｉ を交互に配置するのがよい。このようにすることに
より、ａ−３ｉ：Ｇｅ層で発生したキャリアの移動が容
易になりまた表面または基板からの電荷の注入が抑制さ
れ、帯電能が向上する。
ａ−８ｉ層の厚さはそれぞれ１〜５０μ＋ｎ、より好ま
しくは１〜２５μｍである。厚さが１μＩｌｌより小さ
い場合は、帯電時の電荷の注入を抑制する効果が低くな
り、帯電能の低下をまねき、５０μｍより大きい場合は
、キャリアの移動距離が長くなることから、トラップさ
れｚｔｉ会が増え、残留電位の上昇をまねく等の弊害が
ある。
しくは１〜２５μｍである。厚さが１μＩｌｌより小さ
い場合は、帯電時の電荷の注入を抑制する効果が低くな
り、帯電能の低下をまねき、５０μｍより大きい場合は
、キャリアの移動距離が長くなることから、トラップさ
れｚｔｉ会が増え、残留電位の上昇をまねく等の弊害が
ある。
（＋）帯電のときは第３図に示すごとく、基板側ａ−３
ｉ層（２）が最も高い準位を、ａ−８ｉ表面層（６）が
最も低い準位を有するようなバンドギャップ構成をとる
。（−）帯電の場合７はこの逆とする。
ｉ層（２）が最も高い準位を、ａ−８ｉ表面層（６）が
最も低い準位を有するようなバンドギャップ構成をとる
。（−）帯電の場合７はこの逆とする。
ａ−８ｉ ｒ Ｇｅ層に空乏層を設ける場合も、ａ−８
１層の極性を前述のごとく第■族または第Ｖ族原子を用
いて調整してもよい。第■族および第Ｖ族原子の添加量
もａ−３ｉ ： Ｇｅについて述べたのと同様である。
１層の極性を前述のごとく第■族または第Ｖ族原子を用
いて調整してもよい。第■族および第Ｖ族原子の添加量
もａ−３ｉ ： Ｇｅについて述べたのと同様である。
ａ−８ｉ層には更に炭素、酸素、窒素などを導入しても
よい。ａ−８ｉ表面層に炭素を導入すると、表面の耐湿
性が向上すると共に電荷保持率や透光性が改良される。
よい。ａ−８ｉ表面層に炭素を導入すると、表面の耐湿
性が向上すると共に電荷保持率や透光性が改良される。
炭素の含量は、Ｓｉ原子とＣ原子の合計量の３５ａｔ％
以上、特に５０ａｔ％以上が好ましい。。
以上、特に５０ａｔ％以上が好ましい。。
酸素または窒素は暗抵抗の改良、光疲労の低減に特に有
用である。特に酸素を基板に接したａ−３ｉ層に多く導
入すると、基板上の荷電の注入を防止でき、感光体の帯
電能が向上する。酸素含量は、Ｓｉ原子に対し０．０５
〜Ｓａｔ％、より好ましくは０．１〜２ａｔ％とするの
が適当である。
用である。特に酸素を基板に接したａ−３ｉ層に多く導
入すると、基板上の荷電の注入を防止でき、感光体の帯
電能が向上する。酸素含量は、Ｓｉ原子に対し０．０５
〜Ｓａｔ％、より好ましくは０．１〜２ａｔ％とするの
が適当である。
本発明感光体は常法により製造するこ−とができる。即
ち、Ｓ ｉＨ４、Ｓ；２Ｈ６等を８．２ 、Ａｒ等適当
なキャリアガス、および所要のへ、テロ原子と共に、グ
ロー放電してＡｒ等の基板上にａ−３ｉ層を形成し、更
にその上にＳ ｉ Ｈ４、ＧｅＨ，、およびその他のへ
テロ原子を含んだガスをグロー放電により沈着させ、更
に、同様伸してａ−８ｉ層をその上に形成させることに
より製造すればよい。
ち、Ｓ ｉＨ４、Ｓ；２Ｈ６等を８．２ 、Ａｒ等適当
なキャリアガス、および所要のへ、テロ原子と共に、グ
ロー放電してＡｒ等の基板上にａ−３ｉ層を形成し、更
にその上にＳ ｉ Ｈ４、ＧｅＨ，、およびその他のへ
テロ原子を含んだガスをグロー放電により沈着させ、更
に、同様伸してａ−８ｉ層をその上に形成させることに
より製造すればよい。
灸胛＠処果
本発明感光体においては、ａ−８ｉ：Ｇｅ層がａ−Ｓｉ
を母体とした層間に複数層はさまれており、その結果
、ａ−３ｉ：Ｇｅ層中に発生したキャリアが上層および
下層のａ−８ｉ層のいずれにも移動し得るため、移動距
離が短かくなり、ａ−３ｉ二Ｇｅ層中でトラップされる
機会が少なくなる。
を母体とした層間に複数層はさまれており、その結果
、ａ−３ｉ：Ｇｅ層中に発生したキャリアが上層および
下層のａ−８ｉ層のいずれにも移動し得るため、移動距
離が短かくなり、ａ−３ｉ二Ｇｅ層中でトラップされる
機会が少なくなる。
その結果残留電位の低下が図れる。
さらに、空乏層を設けることによりキャリア発生効率が
上がり、暗減衰は（ｋ下し、残留電位が減少するため感
度が向上し、光疲労が少なくなる。
上がり、暗減衰は（ｋ下し、残留電位が減少するため感
度が向上し、光疲労が少なくなる。
以下、実施例をあげて本発明を説明する。
実施例１ （感光体Ａの製造）
工程（１）：
第４図に示すグロー放電分解装置において、まず回転ポ
ンプ（２８）を、それに続いて拡散ポンプ（２９）を作
動させ、反応室（３２）の内部を１Ｏ−６Ｔ ｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１〜第３及び第５調整弁（１８
）、（１９）、（２０）、（２２）を開放し、第１タン
ク（１３）よりＨ２ガス、第２タンク（１４）より１０
０％Ｓ ｉ Ｈ、ガス、第３タンク（１５）よりＨ２で
２（ＬＯｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、更に第５タ
ンク（１７）よりＯ７，／７スを出力ゲージＩＫＢ／ｃ
ｗ２の下でマス７！ニア−コントローラー（２３） 、
（２４）、（２５）、（２７）内へ流入させた。そして
、各マス７０−コントローラーの目盛を調整して、Ｈ２
の流量を４９４ｓｃｃｍ、 Ｓ ｉＨ，を１００ｓｅｃ
ｍ、 Ｂ２Ｈ。
ンプ（２８）を、それに続いて拡散ポンプ（２９）を作
動させ、反応室（３２）の内部を１Ｏ−６Ｔ ｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１〜第３及び第５調整弁（１８
）、（１９）、（２０）、（２２）を開放し、第１タン
ク（１３）よりＨ２ガス、第２タンク（１４）より１０
０％Ｓ ｉ Ｈ、ガス、第３タンク（１５）よりＨ２で
２（ＬＯｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ６ガス、更に第５タ
ンク（１７）よりＯ７，／７スを出力ゲージＩＫＢ／ｃ
ｗ２の下でマス７！ニア−コントローラー（２３） 、
（２４）、（２５）、（２７）内へ流入させた。そして
、各マス７０−コントローラーの目盛を調整して、Ｈ２
の流量を４９４ｓｃｃｍ、 Ｓ ｉＨ，を１００ｓｅｃ
ｍ、 Ｂ２Ｈ。
ｉＨ７を５ 、 Ｏｓｅｃｍ、０２を１．０ｓｅｃｍ
となるように設定して、反応室（３２）内へ流入した。
となるように設定して、反応室（３２）内へ流入した。
夫々の流量が安定した後に、反応室（３２）の内圧が１
゜０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板
（３１）としては、直径８０ｍｍのアルミニウムドラム
を用いて２５０℃に予め加熱しておき、各ガス流量が安
定し、内圧が安定した状態で高周波電源（３３）を投入
し、電極板（３０）に２５０すａｔｔｓの電力（周波数
１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生させた
。このグロー放電を約３゜６時間持続して行ない、導電
性基板（３１） （第１図（１））上に水素、硼素ケら
びに微量の酸素を含む厚さ約９μｍのａ−８ｉ光導電層
（２）を形成した。
゜０Ｔｏｒｒとなるように調整した。一方、導電性基板
（３１）としては、直径８０ｍｍのアルミニウムドラム
を用いて２５０℃に予め加熱しておき、各ガス流量が安
定し、内圧が安定した状態で高周波電源（３３）を投入
し、電極板（３０）に２５０すａｔｔｓの電力（周波数
１３．５６ＭＨｚ）を印加してグロー放電を発生させた
。このグロー放電を約３゜６時間持続して行ない、導電
性基板（３１） （第１図（１））上に水素、硼素ケら
びに微量の酸素を含む厚さ約９μｍのａ−８ｉ光導電層
（２）を形成した。
工程（２）：
ａ Ｓｉ光導電層が形成されると、高周波電源（３３
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラーの流量を０設定にし、反応室（３２）内を十分
脱気した。その後、第１タンク（１３）よりＨ２ガスを
４７４ｓｅｃｍ、第２タンク（１４）より１００％Ｓｉ
Ｈ４を１００ ｓｅｃ＋ｎ、第３タンク（１５）よりＨ
２で２００ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ，ガスを５Ｓｅｅ
ｍｓ第４タンク（１６）よりＧｅＨ，ガスを２０ｓｅｃ
ｍ、および第５タンク（１７）よりｏ２ｆｆスを１ｓｃ
ｃＩＩ１反応室内部に流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒ
に調整したうえで高周波電源を投入して２５０ｕ＋ａｔ
ｔｓの電力を印加した。２４分間放電を続け、約１μｍ
のａ−３ｉ：Ｇｅ層（３）を形成した。
）から電力印加を停止するとともに、マス７０−コント
ローラーの流量を０設定にし、反応室（３２）内を十分
脱気した。その後、第１タンク（１３）よりＨ２ガスを
４７４ｓｅｃｍ、第２タンク（１４）より１００％Ｓｉ
Ｈ４を１００ ｓｅｃ＋ｎ、第３タンク（１５）よりＨ
２で２００ｐｐｍに希釈されたＢ２Ｈ，ガスを５Ｓｅｅ
ｍｓ第４タンク（１６）よりＧｅＨ，ガスを２０ｓｅｃ
ｍ、および第５タンク（１７）よりｏ２ｆｆスを１ｓｃ
ｃＩＩ１反応室内部に流入させ、内圧を１．０Ｔｏｒｒ
に調整したうえで高周波電源を投入して２５０ｕ＋ａｔ
ｔｓの電力を印加した。２４分間放電を続け、約１μｍ
のａ−３ｉ：Ｇｅ層（３）を形成した。
尚、このと外のゲルマニウム含有量は約３０ａｔ％であ
った。
った。
工程（３）：
工程（１）と同様に操作して厚さ１０μｍのａ−３ｉ１
（４）を形成した。
（４）を形成した。
工程（４）：
工程（２）と同様に操作して厚さ１μｍのａ−８ｉ：Ｇ
ｅ層（５）を形成した。
ｅ層（５）を形成した。
工程（５）：
工程（１）と同様に操作して厚さ９μｍのａ−８ｉ層（
６）を形成した。
６）を形成した。
こうして得られた感光体（Ａ）を粉像転写型複写機（Ｅ
Ｐ ６５０ Ｚ： ミノルタカメラ（株）製）にセッ
トし、（＋）帯電にてコピーしたところ、解像力に優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。ま
た、５００００枚の連続複写を行なっても画像特性の低
下は認められず、最後まで良好なコピーが得られた。更
に、３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複写で
もその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変わ
ることはなかった。得られた感光体を以下、Ａと云う。
Ｐ ６５０ Ｚ： ミノルタカメラ（株）製）にセッ
トし、（＋）帯電にてコピーしたところ、解像力に優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。ま
た、５００００枚の連続複写を行なっても画像特性の低
下は認められず、最後まで良好なコピーが得られた。更
に、３０℃、８５％という高温、高湿の条件での複写で
もその電子写真特性、画像特性は室温条件下と何ら変わ
ることはなかった。得られた感光体を以下、Ａと云う。
比較例１ （感光体Ｓ製造）
工程（２）、工程（３）および工程（４）を省き、工程
（１）のみでａ−８ｉ層（２）の厚さを３０μ箱とする
以外、実施例１と同様にして感光体を得た。得られた感
光体を以下、Ｓと云う。
（１）のみでａ−８ｉ層（２）の厚さを３０μ箱とする
以外、実施例１と同様にして感光体を得た。得られた感
光体を以下、Ｓと云う。
比較例２ （感光体Ｔ製造）
実施例１の工程（１）と同様にして厚さ２８μｍのａ−
８ｉ層（２）、工程（２）と同様にして厚さ２μＩＩＩ
のａ−’Ｓｉ ： Ｇ’ｅ層（３）を調製し、ａ−３ｉ
／ａ−３ｉ ： Ｇｅ各一層構造の感光体を得た。得ら
れた感光体音以下、Ｔと云う。
８ｉ層（２）、工程（２）と同様にして厚さ２μＩＩＩ
のａ−’Ｓｉ ： Ｇ’ｅ層（３）を調製し、ａ−３ｉ
／ａ−３ｉ ： Ｇｅ各一層構造の感光体を得た。得ら
れた感光体音以下、Ｔと云う。
［評価試験１］
コロナ帯電により上記感光体Ａ、Ｓ、およびＴを表面電
位６００■に帯電せしめ、半導体レーザーを用い７８０
ｒ＋ｍの波長を有するレーザー光を照射して、露光量ｔ
こ対する表面電位の減衰特性を測定した。結果を第５図
に示す。６００Ｖから１０゛０■まで表面電位を減衰さ
せるのに要する露光量は感光体Ｓ、Ｔ、Ａの順に約１９
、約８、約４（ｅｒｇｓ／ｃｍ２）であり、本発明゛感
光体の実用的な感度が極めて良好であることがわかる。
位６００■に帯電せしめ、半導体レーザーを用い７８０
ｒ＋ｍの波長を有するレーザー光を照射して、露光量ｔ
こ対する表面電位の減衰特性を測定した。結果を第５図
に示す。６００Ｖから１０゛０■まで表面電位を減衰さ
せるのに要する露光量は感光体Ｓ、Ｔ、Ａの順に約１９
、約８、約４（ｅｒｇｓ／ｃｍ２）であり、本発明゛感
光体の実用的な感度が極めて良好であることがわかる。
実施例２ （感光体Ｂの製造）
実施例１の工程（１）および（２）を繰り返し、ａ−３
ｉ （６μｍ） ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ （
１μｍ） ／ａ−３ｉ （７μｍ） ／′ａ−８ｉ
： Ｇｅ （１μｍ） ／ａ−８ｉ （７μｍ）／ａ
−９ｉ ： Ｇｅ （１μ＋ｎ） ／ａ−３ｉ （７μ
＋６）の多層構造の感光体を得た。これを感光体Ｂと云
う。
ｉ （６μｍ） ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ （
１μｍ） ／ａ−３ｉ （７μｍ） ／′ａ−８ｉ
： Ｇｅ （１μｍ） ／ａ−８ｉ （７μｍ）／ａ
−９ｉ ： Ｇｅ （１μ＋ｎ） ／ａ−３ｉ （７μ
＋６）の多層構造の感光体を得た。これを感光体Ｂと云
う。
比較例３ （感光体Ｕの製造）
実施例１の工程（１）および（２）と同様にしてａ−３
ｉ （２７１１ｍ） ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ （３ｕｍ
）の感光体しＩを得た。
ｉ （２７１１ｍ） ／ａ−３ｉ ： Ｇｅ （３ｕｍ
）の感光体しＩを得た。
［評価試験 ２コ
感光体ＢおよびＵを６００Ｖに帯電後、白色蛍光灯を用
いて、５８ １ｕｘ−ｓｅｃで除電したところ、感光体
Ｂでは４０Ｖ、感光体Ｕでは１３０ｖの残留電位が認め
られた。
いて、５８ １ｕｘ−ｓｅｃで除電したところ、感光体
Ｂでは４０Ｖ、感光体Ｕでは１３０ｖの残留電位が認め
られた。
１評価試験３１
感光体ＡおよびＢを用いて半導体レー、ザーを光源トシ
たＬＢＰにて実写を試みたところ、高速プリント時にお
Ｃ１ても極めて鮮明で高質な画像が得られ、従来の干渉
減少に基づく、画像上の濃淡も全く発生しなかった。
たＬＢＰにて実写を試みたところ、高速プリント時にお
Ｃ１ても極めて鮮明で高質な画像が得られ、従来の干渉
減少に基づく、画像上の濃淡も全く発生しなかった。
実施例３および４および比較例４〜６
各ａ−８ｉおよびａ−３ｉ ：’ Ｇｅ層の層厚および
層中の硼素含量を変える以外、実施例１の方法に準じて
感光体を製造した。各感光体の構成、層厚および硼素含
量は以下の通りである（表面に近い方を上に記載）。
層中の硼素含量を変える以外、実施例１の方法に準じて
感光体を製造した。各感光体の構成、層厚および硼素含
量は以下の通りである（表面に近い方を上に記載）。
感光体Ｃ
感光体り
質慕帆及
感光体Ｙ
（ＧｅＨ４１２ｓｅｃｍはａ−８ｉｏ、８＊Ｇｅｏ、１
７に相当する） ［評価試験 ４］ 上記実施例３．４および比較例４〜６で得られた感光体
Ｃ，，Ｄ、Ｘ、ＹおよびＺを６００Ｖにコロナ帯電した
後、分光感度を測定したところ第６図に示す結果を得た
。図中、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｘ）、（Ｙ）および（Ｚ）
はそれぞれ対応する感光体Ｃ，Ｄ、Ｘ、Ｙ、Ｚから得ら
れた結果を示す。棒軸は波長（ｎｍ）、経軸は感度（ｓ
ｃｍ／ｅｒｇ）を示す。第６図から明らかなごとく、本
発明感光体は、長波長光に対し高感度を有すると共に、
短波長光に対する感度も損なわれないことがわかる。従
ってＬＢＰやＰＰＣの両方に使用することがで外る。
７に相当する） ［評価試験 ４］ 上記実施例３．４および比較例４〜６で得られた感光体
Ｃ，，Ｄ、Ｘ、ＹおよびＺを６００Ｖにコロナ帯電した
後、分光感度を測定したところ第６図に示す結果を得た
。図中、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｘ）、（Ｙ）および（Ｚ）
はそれぞれ対応する感光体Ｃ，Ｄ、Ｘ、Ｙ、Ｚから得ら
れた結果を示す。棒軸は波長（ｎｍ）、経軸は感度（ｓ
ｃｍ／ｅｒｇ）を示す。第６図から明らかなごとく、本
発明感光体は、長波長光に対し高感度を有すると共に、
短波長光に対する感度も損なわれないことがわかる。従
ってＬＢＰやＰＰＣの両方に使用することがで外る。
１評価試験 ５１
感光体Ｃ，Ｄ、Ｘ、Ｙ＃、及び、１６００Ｖ＋：帯電し
、これにタングステンランプを用いて８１ｕ×・ｓｅｃ
の光量で除電したときの残留電位を測定した。結果を表
−１に示す。
、これにタングステンランプを用いて８１ｕ×・ｓｅｃ
の光量で除電したときの残留電位を測定した。結果を表
−１に示す。
表−１
表−１から、本発明感光体ＣおよびＤの残留電位が著し
く低いことが理解される。このことは、本発明感光体が
ＬＤＣ後半の低電場領域での減衰が優れていることに基
づく。
く低いことが理解される。このことは、本発明感光体が
ＬＤＣ後半の低電場領域での減衰が優れていることに基
づく。
［評価試験６］
本感光体ＣおよびＤを用いてぃＬＢＰによる実写を試み
たところ、鮮明で干渉模様のない優れた画像が得られた
。
たところ、鮮明で干渉模様のない優れた画像が得られた
。
断面図、第３図は（＋）帯電で用いる本発明感光体の構
成を示したバンド図、第４図は感光体製造用装置、およ
び第５図は露光量と表面電位の減衰との関係を示すグラ
フおよび第６図は空乏層を設は複数のａ Ｓｉ ：
Ｇｅ層を有する感光体を有さない感光体の波長と感度の
関係を示すグラフである。
成を示したバンド図、第４図は感光体製造用装置、およ
び第５図は露光量と表面電位の減衰との関係を示すグラ
フおよび第６図は空乏層を設は複数のａ Ｓｉ ：
Ｇｅ層を有する感光体を有さない感光体の波長と感度の
関係を示すグラフである。
（１）・・・基板、
（２）、（４）、（６）、（８）、（１０） −ａ
Ｓｉ層、（３）、（５）、（７）、（９） −＝ ａ−
８ｉ ： Ｇｅ層、（＾）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）・
・・本発明感光体、（Ｓ）、（Ｔ）、（Ｕ）、（Ｘ）、
（Ｙ’）、（２）・・・比較例１〜６の感光体、 （１１）・・・第１１１Ａ族元素の添加量を模式的に表
わしたライン、 （１２）・・・第Ｖ族元素の添加量を模式的に表わした
ライン。
Ｓｉ層、（３）、（５）、（７）、（９） −＝ ａ−
８ｉ ： Ｇｅ層、（＾）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）・
・・本発明感光体、（Ｓ）、（Ｔ）、（Ｕ）、（Ｘ）、
（Ｙ’）、（２）・・・比較例１〜６の感光体、 （１１）・・・第１１１Ａ族元素の添加量を模式的に表
わしたライン、 （１２）・・・第Ｖ族元素の添加量を模式的に表わした
ライン。
ｊｉｌｔ−ａ図 ＄１−ｂ図＄１−
Ｃ図 ｊＩＩ司図第２図 第３図 第４図 １５図 （ａｒｇｓ／ｃｍ’） 第６図 ４００ ６００ ６００ ７００ ｓｏ。
Ｃ図 ｊＩＩ司図第２図 第３図 第４図 １５図 （ａｒｇｓ／ｃｍ’） 第６図 ４００ ６００ ６００ ７００ ｓｏ。
彼氏（ｎｍ）
Claims (1)
- １、導電性基板上にアモルファスシリコンを母体とする
層とアモルファスシリコンゲルマニウムを母体とする層
をそれぞれ複数層備えた電子写真感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14792084A JPS6126055A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
| US06/753,587 US4683184A (en) | 1984-07-16 | 1985-07-10 | Electrophotosensitive member having alternating amorphous semiconductor layers |
| DE19853525359 DE3525359A1 (de) | 1984-07-16 | 1985-07-16 | Lichtempfindliches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14792084A JPS6126055A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126055A true JPS6126055A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15441081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14792084A Pending JPS6126055A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4683184A (ja) |
| JP (1) | JPS6126055A (ja) |
| DE (1) | DE3525359A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007536171A (ja) * | 2004-05-03 | 2007-12-13 | セルジオ アントニオ ビレラ ペドロス | 計量チャンバー付き弁付き計量容器および詰替用貯蔵チャンバー |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0192473A3 (en) * | 1985-02-19 | 1988-04-06 | Exxon Research And Engineering Company | Amorphous photoreceptor with high sensitivity to long wavelengths |
| JPS625255A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-12 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPH0785173B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | 光受容部材 |
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Also Published As
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