JPH088438A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH088438A JPH088438A JP16297094A JP16297094A JPH088438A JP H088438 A JPH088438 A JP H088438A JP 16297094 A JP16297094 A JP 16297094A JP 16297094 A JP16297094 A JP 16297094A JP H088438 A JPH088438 A JP H088438A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明基板と単結晶半導体層との一体化がで
き、この単結晶半導体層を活性層として使用した電気移
動度の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 単結晶シリコン層８とガラス基板２との間に
不純物拡散防止用絶縁層４を介在させたので、ガラス基
板２と単結晶シリコン層８とを一体化しても、ガラス基
板２に含まれている不純物が単結晶シリコン層８に拡散
されるのを防ぐことができ、かつこの単結晶シリコン層
８を薄膜トランジスタの活性層として用いたので、電気
移動度の高いものを得ることができる。また、ガラス基
板２の主成分が酸化シリコンであることに着目し、不純
物拡散防止用絶縁層４上にガラス基板２と融合する酸化
シリコンからなる接合用絶縁膜５を形成したので、この
接合用絶縁膜５とガラス基板２とを融合させて接合で
き、これにより今まで不可能であったガラス基板２と単
結晶シリコン基板１との一体化を可能にした。
き、この単結晶半導体層を活性層として使用した電気移
動度の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 単結晶シリコン層８とガラス基板２との間に
不純物拡散防止用絶縁層４を介在させたので、ガラス基
板２と単結晶シリコン層８とを一体化しても、ガラス基
板２に含まれている不純物が単結晶シリコン層８に拡散
されるのを防ぐことができ、かつこの単結晶シリコン層
８を薄膜トランジスタの活性層として用いたので、電気
移動度の高いものを得ることができる。また、ガラス基
板２の主成分が酸化シリコンであることに着目し、不純
物拡散防止用絶縁層４上にガラス基板２と融合する酸化
シリコンからなる接合用絶縁膜５を形成したので、この
接合用絶縁膜５とガラス基板２とを融合させて接合で
き、これにより今まで不可能であったガラス基板２と単
結晶シリコン基板１との一体化を可能にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置およびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基板に薄膜トランジスタを
形成する場合には、ガラス基板上にアモルファスシリコ
ンやポリシリコンなどの半導体層を低圧ＣＶＤ、プラズ
マＣＶＤ、固相成長法、レーザーアニール法などにより
形成し、この半導体層を活性層として使用している。
形成する場合には、ガラス基板上にアモルファスシリコ
ンやポリシリコンなどの半導体層を低圧ＣＶＤ、プラズ
マＣＶＤ、固相成長法、レーザーアニール法などにより
形成し、この半導体層を活性層として使用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな薄膜トランジスタでは、半導体層がアモルファスシ
リコンやポリシリコンなどであるから、半導体としての
重要な要素の１つである電気移動度が単結晶シリコンに
比べて非常に低い（例えば、アモルファスシリコンの電
気移動度は0.8〜10-2cm2/V・Sであり、単結晶シリコンの
電気移動度は約1500cm2/V・Sである。）という問題があ
る。このようなことから、絶縁基板上に単結晶シリコン
層を形成することが要望されているが、単結晶シリコン
層を成長させるためには単結晶の種が存在しなければな
らず、絶縁基板としてサファイアなどの高価な材料を用
いるか、絶縁基板面に単結晶シリコンを配置するような
非能率的な方法によらなければならなかった。この発明
の目的は、透明基板上に電気移動度の高い単結晶半導体
層を活性層とする能動素子を安価にかつ能率的に製造す
ることができる半導体装置およびその製造方法を提供す
ることである。
うな薄膜トランジスタでは、半導体層がアモルファスシ
リコンやポリシリコンなどであるから、半導体としての
重要な要素の１つである電気移動度が単結晶シリコンに
比べて非常に低い（例えば、アモルファスシリコンの電
気移動度は0.8〜10-2cm2/V・Sであり、単結晶シリコンの
電気移動度は約1500cm2/V・Sである。）という問題があ
る。このようなことから、絶縁基板上に単結晶シリコン
層を形成することが要望されているが、単結晶シリコン
層を成長させるためには単結晶の種が存在しなければな
らず、絶縁基板としてサファイアなどの高価な材料を用
いるか、絶縁基板面に単結晶シリコンを配置するような
非能率的な方法によらなければならなかった。この発明
の目的は、透明基板上に電気移動度の高い単結晶半導体
層を活性層とする能動素子を安価にかつ能率的に製造す
ることができる半導体装置およびその製造方法を提供す
ることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透明基板と、この透明基板に直接または絶縁膜を介して
形成され、前記透明基板に含まれる不純物の拡散を防止
するための不純物拡散防止用絶縁層と、この不純物拡散
防止用絶縁層に形成される単結晶半導体層を活性層とす
る能動素子とを具備したものである。また、請求項４記
載の発明は、単結晶半導体基板上に透明基板に含まれる
不純物の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層
を形成し、この不純物拡散防止用絶縁層上に直接または
絶縁膜を介して透明基板を接合し、単結晶半導体基板を
活性層として用いて能動素子を形成するようにしたもの
である。
透明基板と、この透明基板に直接または絶縁膜を介して
形成され、前記透明基板に含まれる不純物の拡散を防止
するための不純物拡散防止用絶縁層と、この不純物拡散
防止用絶縁層に形成される単結晶半導体層を活性層とす
る能動素子とを具備したものである。また、請求項４記
載の発明は、単結晶半導体基板上に透明基板に含まれる
不純物の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層
を形成し、この不純物拡散防止用絶縁層上に直接または
絶縁膜を介して透明基板を接合し、単結晶半導体基板を
活性層として用いて能動素子を形成するようにしたもの
である。
【０００５】
【作用】この発明によれば、透明基板に含まれる不純物
の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層を単結
晶半導体基板に形成し、この不純物拡散防止用絶縁層上
に直接または絶縁膜を介して透明基板を接合するので、
不純物拡散防止用絶縁層により透明基板に含まれている
不純物が単結晶半導体基板に拡散するのを防ぐことがで
き、このため良好に単結晶半導体基板と透明基板との一
体化が安価かつ能率的となり、またこの単結晶半導体基
板を活性層として用いて能動素子を形成するので、従来
のようなアモルファスシリコンやポリシリコンなどの半
導体層を用いたものに比べて非常に電気移動度の高い半
導体装置を得ることができる。この場合、不純物拡散防
止用絶縁層上に透明基板と融合する絶縁材料からなる絶
縁膜を形成すれば、この絶縁膜を介して透明基板を接合
する際、透明基板と絶縁膜とが融合するので、確実かつ
強固に透明基板と単結晶半導体基板とを一体化すること
ができる。
の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層を単結
晶半導体基板に形成し、この不純物拡散防止用絶縁層上
に直接または絶縁膜を介して透明基板を接合するので、
不純物拡散防止用絶縁層により透明基板に含まれている
不純物が単結晶半導体基板に拡散するのを防ぐことがで
き、このため良好に単結晶半導体基板と透明基板との一
体化が安価かつ能率的となり、またこの単結晶半導体基
板を活性層として用いて能動素子を形成するので、従来
のようなアモルファスシリコンやポリシリコンなどの半
導体層を用いたものに比べて非常に電気移動度の高い半
導体装置を得ることができる。この場合、不純物拡散防
止用絶縁層上に透明基板と融合する絶縁材料からなる絶
縁膜を形成すれば、この絶縁膜を介して透明基板を接合
する際、透明基板と絶縁膜とが融合するので、確実かつ
強固に透明基板と単結晶半導体基板とを一体化すること
ができる。
【０００６】
【実施例】以下、図１および図２を参照して、この発明
の一実施例を説明する。図１はこの発明の一実施例であ
る薄膜トランジスタの製造工程を示し、図２はその工程
を経て製造された薄膜トランジスタの構造を示したもの
である。これらの図を参照して、薄膜トランジスタの構
造についてその製造方法と併せて説明する。
の一実施例を説明する。図１はこの発明の一実施例であ
る薄膜トランジスタの製造工程を示し、図２はその工程
を経て製造された薄膜トランジスタの構造を示したもの
である。これらの図を参照して、薄膜トランジスタの構
造についてその製造方法と併せて説明する。
【０００７】予め、シリコンウエハなどの単結晶シリコ
ン基板（単結晶半導体基板）１とガラス基板（透明基
板）２とを用意する。ガラス基板２は一般に主成分が酸
化シリコン（SiO2）であるケイ酸塩ガラスなどであり、
ガラス転移点が６００℃〜７００℃程度のものである。
ン基板（単結晶半導体基板）１とガラス基板（透明基
板）２とを用意する。ガラス基板２は一般に主成分が酸
化シリコン（SiO2）であるケイ酸塩ガラスなどであり、
ガラス転移点が６００℃〜７００℃程度のものである。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１の上面に酸化シリコンからなる熱酸化膜３
を形成する。熱酸化膜３は単結晶シリコン基板１との界
面を良好にするためのものである。そして、熱酸化膜３
の上面に窒化シリコン（SiN）からなる不純物拡散防止
用絶縁層４をＣＶＤなどにより成膜する。不純物拡散防
止用絶縁層４は、ガラス基板２中に含まれているＮａ
（ナトリウム）などの不純物の拡散を防止するためのも
のである。さらに、不純物拡散防止用絶縁層４の上面に
ガラス基板２と融合しやすい酸化シリコンからなる接合
用絶縁膜（絶縁膜）５をスパッタやＣＶＤなどにより成
膜する。
リコン基板１の上面に酸化シリコンからなる熱酸化膜３
を形成する。熱酸化膜３は単結晶シリコン基板１との界
面を良好にするためのものである。そして、熱酸化膜３
の上面に窒化シリコン（SiN）からなる不純物拡散防止
用絶縁層４をＣＶＤなどにより成膜する。不純物拡散防
止用絶縁層４は、ガラス基板２中に含まれているＮａ
（ナトリウム）などの不純物の拡散を防止するためのも
のである。さらに、不純物拡散防止用絶縁層４の上面に
ガラス基板２と融合しやすい酸化シリコンからなる接合
用絶縁膜（絶縁膜）５をスパッタやＣＶＤなどにより成
膜する。
【０００９】次に、図１（ｂ）に示すように、単結晶シ
リコン基板１の下に加熱ヒータ６を配置するとともに、
接合用絶縁膜５の上面にガラス基板２を配置する。この
状態で、加熱ヒータ６により単結晶シリコン基板１を徐
々に加熱し、ガラス基板２と接合用絶縁膜５との界面が
６００°〜７００°程度になるまで加熱する。すると、
ガラス基板２の表面と酸化シリコンからなる接合用絶縁
膜５の表面が相互に溶けて、ガラス基板２と接合用絶縁
膜５とが融合する。これにより、ガラス基板２と接合用
絶縁膜５とが融合層７を介して接合され、この結果ガラ
ス基板２と単結晶シリコン基板１とが一体化される。
リコン基板１の下に加熱ヒータ６を配置するとともに、
接合用絶縁膜５の上面にガラス基板２を配置する。この
状態で、加熱ヒータ６により単結晶シリコン基板１を徐
々に加熱し、ガラス基板２と接合用絶縁膜５との界面が
６００°〜７００°程度になるまで加熱する。すると、
ガラス基板２の表面と酸化シリコンからなる接合用絶縁
膜５の表面が相互に溶けて、ガラス基板２と接合用絶縁
膜５とが融合する。これにより、ガラス基板２と接合用
絶縁膜５とが融合層７を介して接合され、この結果ガラ
ス基板２と単結晶シリコン基板１とが一体化される。
【００１０】次に、図１（ｃ）に示すように、一体化さ
れた単結晶シリコン基板１とガラス基板２とを上下反転
させて、単結晶シリコン基板１を上側にし、この状態で
単結晶シリコン基板１を所定の層厚（薄膜トランジスタ
の半導体層として使用できる層厚）までエッチングす
る。これにより、膜厚の薄い単結晶シリコン層８が形成
される。
れた単結晶シリコン基板１とガラス基板２とを上下反転
させて、単結晶シリコン基板１を上側にし、この状態で
単結晶シリコン基板１を所定の層厚（薄膜トランジスタ
の半導体層として使用できる層厚）までエッチングす
る。これにより、膜厚の薄い単結晶シリコン層８が形成
される。
【００１１】次に、図２に示すように、フォトリソグラ
フィ技術により、トランジスタ形成領域に対応する部分
のみに単結晶シリコン層８を残し、それ以外の部分を除
去する。次に、単結晶シリコン層８が除去された不純物
拡散防止用絶縁層４の上面に、アルミニウムからなるソ
ース電極９およびドレイン電極１０を単結晶シリコン層
８の両端部を覆ってパターン形成するとともに、窒化シ
リコンからなるゲート絶縁膜１１を各電極９、１０およ
び単結晶シリコン層８を覆って形成する。次に、ゲート
絶縁膜１１の上面にアルミニウムからなるゲート電極１
２を電極９、１０間に位置する単結晶シリコン層８に対
応させてパターン形成する。これにより、単結晶シリコ
ン層８を活性層とする薄膜トランジスタ１３が製造され
る。
フィ技術により、トランジスタ形成領域に対応する部分
のみに単結晶シリコン層８を残し、それ以外の部分を除
去する。次に、単結晶シリコン層８が除去された不純物
拡散防止用絶縁層４の上面に、アルミニウムからなるソ
ース電極９およびドレイン電極１０を単結晶シリコン層
８の両端部を覆ってパターン形成するとともに、窒化シ
リコンからなるゲート絶縁膜１１を各電極９、１０およ
び単結晶シリコン層８を覆って形成する。次に、ゲート
絶縁膜１１の上面にアルミニウムからなるゲート電極１
２を電極９、１０間に位置する単結晶シリコン層８に対
応させてパターン形成する。これにより、単結晶シリコ
ン層８を活性層とする薄膜トランジスタ１３が製造され
る。
【００１２】このようにして製造された薄膜トランジス
タ１３では、単結晶シリコン層８とガラス基板２との間
に不純物拡散防止用絶縁層４が介在されているので、ガ
ラス基板２と単結晶シリコン層８とを一体化しても、ガ
ラス基板２に含まれているＮａなどの不純物が単結晶シ
リコン層８に拡散されるのを防ぐことができる。また、
この単結晶シリコン層８を薄膜トランジスタの活性層と
して用いているので、アモルファスシリコンやポリシリ
コンなどの半導体層に比べて非常に電気移動度の高いも
のを得ることができる。このため、各画素ごとに薄膜ト
ランジスタを搭載するアクティブタイプの液晶表示装置
などに良好に適用することができる。また、この薄膜ト
ランジスタの製造方法では、ガラス基板２の主成分が酸
化シリコンであることに着目し、不純物拡散防止用絶縁
層４上にガラス基板２と融合する酸化シリコンからなる
接合用絶縁膜５を形成し、この接合用絶縁膜５とガラス
基板２とを加熱して融合させることにより、確実かつ強
固に単結晶シリコン基板１とガラス基板２とを接合する
ことができ、今まで不可能であったガラス基板２と単結
晶シリコン基板１との接合を可能にした。
タ１３では、単結晶シリコン層８とガラス基板２との間
に不純物拡散防止用絶縁層４が介在されているので、ガ
ラス基板２と単結晶シリコン層８とを一体化しても、ガ
ラス基板２に含まれているＮａなどの不純物が単結晶シ
リコン層８に拡散されるのを防ぐことができる。また、
この単結晶シリコン層８を薄膜トランジスタの活性層と
して用いているので、アモルファスシリコンやポリシリ
コンなどの半導体層に比べて非常に電気移動度の高いも
のを得ることができる。このため、各画素ごとに薄膜ト
ランジスタを搭載するアクティブタイプの液晶表示装置
などに良好に適用することができる。また、この薄膜ト
ランジスタの製造方法では、ガラス基板２の主成分が酸
化シリコンであることに着目し、不純物拡散防止用絶縁
層４上にガラス基板２と融合する酸化シリコンからなる
接合用絶縁膜５を形成し、この接合用絶縁膜５とガラス
基板２とを加熱して融合させることにより、確実かつ強
固に単結晶シリコン基板１とガラス基板２とを接合する
ことができ、今まで不可能であったガラス基板２と単結
晶シリコン基板１との接合を可能にした。
【００１３】なお、上記実施例では、透明基板としてガ
ラス基板２を用いた場合について述べたが、これに限ら
ず、例えば透明な合成樹脂からなる基板を用いても良
い。また、不純物拡散防止用絶縁層は、必ずしも窒化シ
リコンである必要はなく、透明基板の材質によって異な
り、要は透明基板に含まれている不純物の拡散を防止す
ることができるものであれば良い。また、ガラス基板と
接合用絶縁膜を接合する際の加熱は、加熱ヒータによる
方法に限られるものではなく、レーザビームを照射する
などの他の方法によっても良い。さらに、単結晶シリコ
ン層８を活性層として用いる能動素子は、必ずしも薄膜
トランジスタである必要はなく、例えばダイオードなど
の能動素子でもよい。
ラス基板２を用いた場合について述べたが、これに限ら
ず、例えば透明な合成樹脂からなる基板を用いても良
い。また、不純物拡散防止用絶縁層は、必ずしも窒化シ
リコンである必要はなく、透明基板の材質によって異な
り、要は透明基板に含まれている不純物の拡散を防止す
ることができるものであれば良い。また、ガラス基板と
接合用絶縁膜を接合する際の加熱は、加熱ヒータによる
方法に限られるものではなく、レーザビームを照射する
などの他の方法によっても良い。さらに、単結晶シリコ
ン層８を活性層として用いる能動素子は、必ずしも薄膜
トランジスタである必要はなく、例えばダイオードなど
の能動素子でもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、透明基板に含まれる不純物の拡散を防止するための
不純物拡散防止用絶縁層を単結晶半導体基板に形成し、
この不純物拡散防止用絶縁層上に直接または絶縁膜を介
して透明基板を接合するので、透明基板に含まれている
不純物が単結晶半導体基板に拡散するのを防ぐことがで
き、これにより良好に単結晶半導体基板と透明基板との
一体化が安価かつ能率的となり、またこの単結晶半導体
基板を活性層として用いて能動素子を形成するので、従
来のようなアモルファスシリコンやポリシリコンなどの
半導体層を用いたものに比べて非常に電気移動度の高い
半導体装置を得ることができる。また、不純物拡散防止
用絶縁層上に透明基板と融合する絶縁材料からなる絶縁
膜を形成しているので、この絶縁膜を介して透明基板を
接合する際、透明基板と絶縁膜とを融合させて接合で
き、このため確実かつ強固に透明基板と単結晶半導体基
板との一体化ができる。
ば、透明基板に含まれる不純物の拡散を防止するための
不純物拡散防止用絶縁層を単結晶半導体基板に形成し、
この不純物拡散防止用絶縁層上に直接または絶縁膜を介
して透明基板を接合するので、透明基板に含まれている
不純物が単結晶半導体基板に拡散するのを防ぐことがで
き、これにより良好に単結晶半導体基板と透明基板との
一体化が安価かつ能率的となり、またこの単結晶半導体
基板を活性層として用いて能動素子を形成するので、従
来のようなアモルファスシリコンやポリシリコンなどの
半導体層を用いたものに比べて非常に電気移動度の高い
半導体装置を得ることができる。また、不純物拡散防止
用絶縁層上に透明基板と融合する絶縁材料からなる絶縁
膜を形成しているので、この絶縁膜を介して透明基板を
接合する際、透明基板と絶縁膜とを融合させて接合で
き、このため確実かつ強固に透明基板と単結晶半導体基
板との一体化ができる。
【図１】この発明の一実施例である薄膜トランジスタの
製造工程の一部を示し、（ａ）は単結晶シリコン基板上
に熱酸化膜、不純物拡散防止用絶縁層、接合用絶縁膜を
順次形成した状態を示す要部拡大断面図、（ｂ）は熱酸
化膜、不純物拡散防止用絶縁層、接合用絶縁膜を介して
ガラス基板と単結晶シリコン基板とを一体化した状態を
示す要部拡大断面図、（ｃ）は一体化された単結晶シリ
コン基板とガラス基板とを上下反転させて単結晶シリコ
ン基板をエッチングして単結晶シリコン層を形成した状
態を示す要部拡大断面図。
製造工程の一部を示し、（ａ）は単結晶シリコン基板上
に熱酸化膜、不純物拡散防止用絶縁層、接合用絶縁膜を
順次形成した状態を示す要部拡大断面図、（ｂ）は熱酸
化膜、不純物拡散防止用絶縁層、接合用絶縁膜を介して
ガラス基板と単結晶シリコン基板とを一体化した状態を
示す要部拡大断面図、（ｃ）は一体化された単結晶シリ
コン基板とガラス基板とを上下反転させて単結晶シリコ
ン基板をエッチングして単結晶シリコン層を形成した状
態を示す要部拡大断面図。
【図２】図１（ｃ）の単結晶シリコン層を活性層として
用いた薄膜トランジスタの構造を示す拡大断面図。
用いた薄膜トランジスタの構造を示す拡大断面図。
１ 単結晶シリコン基板 ２ ガラス基板 ４ 不純物拡散防止用絶縁層 ５ 接合用絶縁膜 ８ 単結晶シリコン層 １３ 薄膜トランジスタ
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板と、この透明基板に直接または
絶縁膜を介して形成され、前記透明基板に含まれる不純
物の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層と、
この不純物拡散防止用絶縁層に形成された単結晶半導体
層を活性層とする能動素子とを具備してなることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は前記透明基板と融合する絶
縁材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - 【請求項３】 前記透明基板はガラスからなり、前記不
純物拡散防止用絶縁層は窒化シリコンからなり、前記他
の絶縁膜は酸化シリコンからなることを特徴とする請求
項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 単結晶半導体基板上に透明基板に含まれ
る不純物の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁
層を形成し、この不純物拡散防止用絶縁層上に直接また
は絶縁膜を介して前記透明基板を接合し、前記単結晶半
導体基板を活性層として用いて能動素子を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁膜は前記透明基板と融合する絶
縁材料からなり、この絶縁膜と前記透明基板とを融合さ
せて接合することを特徴とする請求項４記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16297094A JPH088438A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16297094A JPH088438A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088438A true JPH088438A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15764743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16297094A Pending JPH088438A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041044A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板及びその作製方法 |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP16297094A patent/JPH088438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010041044A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板及びその作製方法 |
| US8633542B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | SOI substrate and manufacturing method thereof |
| US8884371B2 (en) | 2008-07-08 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | SOI substrate and manufacturing method thereof |
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