JPS5928328A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5928328A JPS5928328A JP57140421A JP14042182A JPS5928328A JP S5928328 A JPS5928328 A JP S5928328A JP 57140421 A JP57140421 A JP 57140421A JP 14042182 A JP14042182 A JP 14042182A JP S5928328 A JPS5928328 A JP S5928328A
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- island
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- melted
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法、特に絶縁体りに半導
体結晶層を形成する方法に関するものである。
体結晶層を形成する方法に関するものである。
平面ディスプレイ装置の画素である液晶を駆動するもの
として、透明基板上にトランジスタな形成する試みがな
されており、そのため絶縁物、たとえば石英基板ｔに半
導体の単結晶層または大結晶粒の結晶層を形成する方法
が考えられている。
として、透明基板上にトランジスタな形成する試みがな
されており、そのため絶縁物、たとえば石英基板ｔに半
導体の単結晶層または大結晶粒の結晶層を形成する方法
が考えられている。
この方法として、石英基板虹に多結晶または非晶質の半
導体を堆積し、その表面にレーザ光、電子線などのエネ
ルギー線を照射することにより表面層のみを加熱し、半
導体の単結晶ｊ−または大結晶粒の結晶層を形成する方
法がある。
導体を堆積し、その表面にレーザ光、電子線などのエネ
ルギー線を照射することにより表面層のみを加熱し、半
導体の単結晶ｊ−または大結晶粒の結晶層を形成する方
法がある。
従来の半導体装置の製造方法の一例を工程１＋ｌ［に示
す図をもとに説明する。第１図（ａ）においｒ、（１）
は基板となるべき石英基板（８１０２）である。この基
板（１）Ｌに第１図（ｂ）に示すように減圧ＣＶＩ）法
でポリシリコン層（２）を７０００人堆積する。次に第
１図（ｅ）に示すように９５０°Ｃで酸化して酸化膜（
３）を形成した後、減圧０ＶＩ）法による窒化膜（４）
を堆積し、写真製版による窒化膜（４）のパターニング
を行なう。さらに９５０ ’Ｃ酸化雰囲気に長時間さら
した後、パターニングされた窒化膜（４］及び酸化膜（
３）を除去すると第１図（ｄ）に示すように、基板（１
） ｆ：、に多結晶または非晶質の半導体、この場合は
ポリシリコン、が形成される。（５）は酸化されたポリ
シリコンＪ−である。
す図をもとに説明する。第１図（ａ）においｒ、（１）
は基板となるべき石英基板（８１０２）である。この基
板（１）Ｌに第１図（ｂ）に示すように減圧ＣＶＩ）法
でポリシリコン層（２）を７０００人堆積する。次に第
１図（ｅ）に示すように９５０°Ｃで酸化して酸化膜（
３）を形成した後、減圧０ＶＩ）法による窒化膜（４）
を堆積し、写真製版による窒化膜（４）のパターニング
を行なう。さらに９５０ ’Ｃ酸化雰囲気に長時間さら
した後、パターニングされた窒化膜（４］及び酸化膜（
３）を除去すると第１図（ｄ）に示すように、基板（１
） ｆ：、に多結晶または非晶質の半導体、この場合は
ポリシリコン、が形成される。（５）は酸化されたポリ
シリコンＪ−である。
第１図（ｅ）は第１図（ｄ）の平面図を示す。次に第１
図（ｅ）の島状のポリシリコン層（２）に、短辺の１倍
から２倍程度のスポットに絞ったレーザー光をパターン
の長手方向に走査しながら照射する。この時、ポリシリ
コン１１ （２）は溶融し、照射後固化すると同時にポ
リシリコン層の結晶粒は増大するかまたは単結晶化する
。さらにこの単結晶または結晶粒が大きくなったポリシ
リコンの再結晶層に、Ｍ０８トランジスタを公知のプロ
セスで形ｈｓ スる。
図（ｅ）の島状のポリシリコン層（２）に、短辺の１倍
から２倍程度のスポットに絞ったレーザー光をパターン
の長手方向に走査しながら照射する。この時、ポリシリ
コン１１ （２）は溶融し、照射後固化すると同時にポ
リシリコン層の結晶粒は増大するかまたは単結晶化する
。さらにこの単結晶または結晶粒が大きくなったポリシ
リコンの再結晶層に、Ｍ０８トランジスタを公知のプロ
セスで形ｈｓ スる。
ところが従来の方法に二ｔ５いて、下地が絶縁物、たと
えば石英基板（１）であるため、絶縁体で囲まれた島状
半導体層（２）の周辺部は中央部より多く絶縁体に熱を
うばわれる。このためレーザー光照射時に充分温度が辷
らず、溶融を起こさないので、周辺部の半導体層は（周
辺から幅約２μＩｒｌにわたって）細かい結晶粒のまま
で残ってしまう。したがってこの半導体層にＭＵＳ ト
ランジスタなどの素子を形成する場合にリーク電流が多
いなど、電気的特性が悪いという欠点があった。
えば石英基板（１）であるため、絶縁体で囲まれた島状
半導体層（２）の周辺部は中央部より多く絶縁体に熱を
うばわれる。このためレーザー光照射時に充分温度が辷
らず、溶融を起こさないので、周辺部の半導体層は（周
辺から幅約２μＩｒｌにわたって）細かい結晶粒のまま
で残ってしまう。したがってこの半導体層にＭＵＳ ト
ランジスタなどの素子を形成する場合にリーク電流が多
いなど、電気的特性が悪いという欠点があった。
この発明はＬ記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、島状半’４１４７ｕの周辺部に反
射防止膜を設けて局部加熱することにより、島状半導体
層の周辺部に溶融を起こさせ、電半導体装ｄの製造が法
を提供することを目的としている。
めになされたもので、島状半’４１４７ｕの周辺部に反
射防止膜を設けて局部加熱することにより、島状半導体
層の周辺部に溶融を起こさせ、電半導体装ｄの製造が法
を提供することを目的としている。
以Ｆ、この発明の一実施例を図をもとに説明する。従来
と同じ方法で石英基板（１）ヒに多結晶又は非晶質の島
状ポリシリコン層（２）を形成する。しかるのち、第２
図（１１）に示すように島状ポリシリコン層（２）の周
辺部に反射防止膜たとえば窒化膜（６）を化学的気相成
長法等で６１０人はど堆積させる。この後レーザ光を照
射すると、第８図に示すように厚さ６１０人の窒化膜は
、島状ポリシリコン層（２）表面での光の反射率が小さ
くなる。（はぼｏ９６）ため、島の周辺部のポリシリコ
ン層（２）は、島の中央部より光の吸収がよくなり、中
央部と同様に溶融を起こして十分な大きさの結晶粒又は
単結晶に成長する。レーザ光照射後、窒化膜（６）は熱
リン酸によってエツチングして除去する。この後従来の
ＭＵＳ トランジスタのプロセスに従ってトランジスタ
を作成する。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の平面図な示
す。
と同じ方法で石英基板（１）ヒに多結晶又は非晶質の島
状ポリシリコン層（２）を形成する。しかるのち、第２
図（１１）に示すように島状ポリシリコン層（２）の周
辺部に反射防止膜たとえば窒化膜（６）を化学的気相成
長法等で６１０人はど堆積させる。この後レーザ光を照
射すると、第８図に示すように厚さ６１０人の窒化膜は
、島状ポリシリコン層（２）表面での光の反射率が小さ
くなる。（はぼｏ９６）ため、島の周辺部のポリシリコ
ン層（２）は、島の中央部より光の吸収がよくなり、中
央部と同様に溶融を起こして十分な大きさの結晶粒又は
単結晶に成長する。レーザ光照射後、窒化膜（６）は熱
リン酸によってエツチングして除去する。この後従来の
ＭＵＳ トランジスタのプロセスに従ってトランジスタ
を作成する。第２図（ｂ）は第２図（ａ）の平面図な示
す。
なお、上記実施例では厚さ６１０人の窒化膜を反射防止
膜として使用したが、第４図にボすように厚さ８８５人
の酸化膜（８ｉ０．）でも同様の効果が得られるつまた
、反射防Ｉｆ：膜の厚さはたとえば窒化膜で６１０人と
限ることはなく、注入される光のｍｅ調節するために適
当な厚さにしてもよい７反射防止膜としては、物質表面
で反射する光の反射率を丁げる作用がゐる限り、どのよ
うな材質でｉ〕ってもかまわない。
膜として使用したが、第４図にボすように厚さ８８５人
の酸化膜（８ｉ０．）でも同様の効果が得られるつまた
、反射防Ｉｆ：膜の厚さはたとえば窒化膜で６１０人と
限ることはなく、注入される光のｍｅ調節するために適
当な厚さにしてもよい７反射防止膜としては、物質表面
で反射する光の反射率を丁げる作用がゐる限り、どのよ
うな材質でｉ〕ってもかまわない。
以ヒのように、この発明によれば多結晶または非晶質の
島状半導体層の周辺部に反射防止膜を設けた後局部７Ｊ
１熱することにより、結晶性のよい半導体装置の製造゛
方法が得られ、リーク電流の少ない電気的特性の良好な
回路素子の作成が可能となる。
島状半導体層の周辺部に反射防止膜を設けた後局部７Ｊ
１熱することにより、結晶性のよい半導体装置の製造゛
方法が得られ、リーク電流の少ない電気的特性の良好な
回路素子の作成が可能となる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来の島状半導体装置の製造が
法を工程順に示す断面図であり、第１図ｊ６）は＠１図
（ｄ）の平面図である。第２図（ａ）はこの発明の一実
施例による途中工程を示す断面図で第２図（ｂ）は第２
図［８）の平面図である。 図において（１）は石英基板、（２）はポリシリコン層
、（５）はポリシリコン層の酸化−１（６）は反射防止
膜である。 また、第８西は、波長４８８０人の光に対する反射率（
６）と窒化膜厚■との関係をボす特性図であり、第４因
は、波長４８８０人の光に対する反射率し）と酸
□化膜厚（／７）とのＮ係を示す特性図である。 なお、１中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 窒化損の厚ざ（Ａ） 第４図 １酸化服の厚さ Ｃμ） 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−１４０４２１号２
、発明の名称 車導体装置の製造方法３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書中筒４頁第１０行に「後」とある後に「波長４８
８０人の」を挿入する。 以上 １１２
法を工程順に示す断面図であり、第１図ｊ６）は＠１図
（ｄ）の平面図である。第２図（ａ）はこの発明の一実
施例による途中工程を示す断面図で第２図（ｂ）は第２
図［８）の平面図である。 図において（１）は石英基板、（２）はポリシリコン層
、（５）はポリシリコン層の酸化−１（６）は反射防止
膜である。 また、第８西は、波長４８８０人の光に対する反射率（
６）と窒化膜厚■との関係をボす特性図であり、第４因
は、波長４８８０人の光に対する反射率し）と酸
□化膜厚（／７）とのＮ係を示す特性図である。 なお、１中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 窒化損の厚ざ（Ａ） 第４図 １酸化服の厚さ Ｃμ） 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−１４０４２１号２
、発明の名称 車導体装置の製造方法３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書中筒４頁第１０行に「後」とある後に「波長４８
８０人の」を挿入する。 以上 １１２
Claims (1)
- 絶縁ｔｉｃ ｔに形成され、周囲を絶縁物によって取り
囲まれた島状の多結晶または非晶質の半導体層を局部加
熱により浴融し結晶化するものにおいて、Ｌ記島状半導
体層の周辺部に反射防止膜を設けて局部加熱することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140421A JPS5928328A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140421A JPS5928328A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928328A true JPS5928328A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15268313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140421A Pending JPS5928328A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928328A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249312A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61135110A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61145819A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Sony Corp | 半導体薄膜の熱処理方法 |
| JPS62250630A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005347765A (ja) * | 1999-08-31 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法並びにシリコン薄膜の形成方法 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP57140421A patent/JPS5928328A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60249312A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61135110A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61145819A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | Sony Corp | 半導体薄膜の熱処理方法 |
| JPS62250630A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005347765A (ja) * | 1999-08-31 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法並びにシリコン薄膜の形成方法 |
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