JPS6355925A - 半導体薄膜の再結晶化方法 - Google Patents
半導体薄膜の再結晶化方法Info
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- JPS6355925A JPS6355925A JP19927986A JP19927986A JPS6355925A JP S6355925 A JPS6355925 A JP S6355925A JP 19927986 A JP19927986 A JP 19927986A JP 19927986 A JP19927986 A JP 19927986A JP S6355925 A JPS6355925 A JP S6355925A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は！＠緑基板上の半導体薄膜のレーザアニール等
による再結晶化方法に関し、薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ
Ｔ）等のＳ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ １ｎｓ
ｕｌｓＬｏｒ）半導体装置の製造方法に関わる。
による再結晶化方法に関し、薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ
Ｔ）等のＳ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ １ｎｓ
ｕｌｓＬｏｒ）半導体装置の製造方法に関わる。
絶縁基板上の半導体薄膜をビームアニールにより再結晶
化するに際し、半導体薄膜に厚み分布をもたせ厚い方の
第１領域と薄い第２領域とを同時にアニールすることに
より、第２領域の温度上昇を第１領域とほぼ同時にして
、冷却を第１領域に比し、速くして再結晶化を第２領域
から開始させるものである。このため第２領域の膜厚は
ビームがある程度透過する様に選ばれる。応用例として
第１頷城を不純物密度の低い第１半導体薄膜と不純物密
度の高い第２半専体薄膜の２Ｎ構造とし、第２領域を第
１半導体Ｔｙｔ膜にする例、第２領域上にのみヒートシ
ンクとしての絶縁膜を形成しておく例とがある。
化するに際し、半導体薄膜に厚み分布をもたせ厚い方の
第１領域と薄い第２領域とを同時にアニールすることに
より、第２領域の温度上昇を第１領域とほぼ同時にして
、冷却を第１領域に比し、速くして再結晶化を第２領域
から開始させるものである。このため第２領域の膜厚は
ビームがある程度透過する様に選ばれる。応用例として
第１頷城を不純物密度の低い第１半導体薄膜と不純物密
度の高い第２半専体薄膜の２Ｎ構造とし、第２領域を第
１半導体Ｔｙｔ膜にする例、第２領域上にのみヒートシ
ンクとしての絶縁膜を形成しておく例とがある。
（従来の技術〕
Ｓｏｌ技術は三次元集積回路の重要な部分を占め、レー
ザビーム、電子ビーム、赤外線等のエネルギービームを
半導体薄膜に照射し溶融再結晶化させるものである。こ
の技術は日経エレクトロニクス１９８５年１０月７日号
２２９頁に詳しく記載され、従来（１）ビーム強度を変
化させる方法 （２）半導体１）り表面に反射膜や吸収
膜を設はビーム強度分布をもたせる方法 （３）熱の逃
げ方に差をつける方法などがある。（１）の方法はビー
ム強度分布の↑、フ度な制御と安定性が必要であり、（
２）及び（３）の方法は光学的または放熱設計が必要で
、かつ構造が複雑になる問題を有していた。
ザビーム、電子ビーム、赤外線等のエネルギービームを
半導体薄膜に照射し溶融再結晶化させるものである。こ
の技術は日経エレクトロニクス１９８５年１０月７日号
２２９頁に詳しく記載され、従来（１）ビーム強度を変
化させる方法 （２）半導体１）り表面に反射膜や吸収
膜を設はビーム強度分布をもたせる方法 （３）熱の逃
げ方に差をつける方法などがある。（１）の方法はビー
ム強度分布の↑、フ度な制御と安定性が必要であり、（
２）及び（３）の方法は光学的または放熱設計が必要で
、かつ構造が複雑になる問題を有していた。
本発明は叙上の間ｎ点に鑑み、構造が節単でかつ再結晶
半導体膜の粒径が大きい再結晶化方法を提供するもので
ある。
半導体膜の粒径が大きい再結晶化方法を提供するもので
ある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明はビームアニールされるべき半導体薄膜に膜厚分
布を設は厚い第１ ｔｌ’［域と薄い第２領域とを同時
にアニールする。第２領域の厚みはビームがｉ１遇する
程度に薄く、１／α（α：吸収係媚１つオーダーである
。
布を設は厚い第１ ｔｌ’［域と薄い第２領域とを同時
にアニールする。第２領域の厚みはビームがｉ１遇する
程度に薄く、１／α（α：吸収係媚１つオーダーである
。
本方法は、ビームの吸収強度に差をつけ、かっ熱容量に
差をつけるものである。半導体薄膜の膜厚が１／αオー
ダーで小さいときは、吸収されるビームエネルギーはほ
ぼ膜厚に比例する。そのため、膜質が同一の場合、上記
第１及び第２領域はビーム照射によってほぼ同時に溶融
するが、放熱が均一に行われるときには、膜厚が厚く熱
容量の大きい第１領域の冷却は第２領域に比して遅くな
る。
差をつけるものである。半導体薄膜の膜厚が１／αオー
ダーで小さいときは、吸収されるビームエネルギーはほ
ぼ膜厚に比例する。そのため、膜質が同一の場合、上記
第１及び第２領域はビーム照射によってほぼ同時に溶融
するが、放熱が均一に行われるときには、膜厚が厚く熱
容量の大きい第１領域の冷却は第２領域に比して遅くな
る。
結果的に再結晶化は第２ ’ｐ’ｆＪ域から開始して第
１領域へ拡がり、大きな粒径の再結晶半導体膜が得られ
る。第１及び第２領域の膜質に異なる部分があるときに
は、吸収係数の大きい方（第１領域）側が早く溶融し、
上記と同様に冷却が遅くなる０本発明は、熱容量の差及
びエネルギー吸収に差をつけることにより、従来のビー
ム強度に差をつける方法等と同４ｉな効果を得るもので
ある。
１領域へ拡がり、大きな粒径の再結晶半導体膜が得られ
る。第１及び第２領域の膜質に異なる部分があるときに
は、吸収係数の大きい方（第１領域）側が早く溶融し、
上記と同様に冷却が遅くなる０本発明は、熱容量の差及
びエネルギー吸収に差をつけることにより、従来のビー
ム強度に差をつける方法等と同４ｉな効果を得るもので
ある。
ａ、実施例１ （第１図）
第１図（ａｌ〜（ｃ＋には本発明による再結晶化方法に
よる試料断面図が示される。第１図＋ａｌは、絶縁基板
１上に半導体膜例えばａ−５ｉ膜を均一に堆積した断面
である。絶縁基板ｌには石英ミガラス、セラミックス等
の絶縁体や、Ｓｉや金属に絶縁Ｂタコートしたものが用
いられる。特に基板１が低融点のガラス等の場合にはそ
の表面をＳｉｎｇやｓｔａ膜でコートすることが基板槍
償を防ぐ上で有効である。
よる試料断面図が示される。第１図＋ａｌは、絶縁基板
１上に半導体膜例えばａ−５ｉ膜を均一に堆積した断面
である。絶縁基板ｌには石英ミガラス、セラミックス等
の絶縁体や、Ｓｉや金属に絶縁Ｂタコートしたものが用
いられる。特に基板１が低融点のガラス等の場合にはそ
の表面をＳｉｎｇやｓｔａ膜でコートすることが基板槍
償を防ぐ上で有効である。
ａ−３ｉｌｌｉ２は、ｐｃｖｏ、スバンク、光ＣＶＤ等
で堆積され膜厚は例えば３０００Å以下に選ばれる。即
ち、エネルギー吸収が膜厚にほぼ比例する範囲以下に選
ばれ、それは用いるビームの種類、波長等による。第１
図（ｂｌは、ａ−３ｔ膜２の選択エッチによって膜厚の
薄い第２領域２１を形成したもので、元の膜厚部分は第
１領域２となる。第２や置載２１の厚みは第１ ’６Ｍ
域２より２０％以上薄く、例えば２０００人に選ばれる
。この形状の試料にビーム４０を均一な強度で照射して
、第１図ｆｃ）の様にＳｔの再結晶化膜を第１領域３、
第２領域３１について得る。ビーム４０には例えばＣＷ
、Ａｒ レーザを用いる。基板１が透明な場合には、基
板裏側からレーザ光を入射することもできる。第１図（
ｄ＋は、試料内位置によるレーザ光透過強度分布と、冷
却時の温度分布を模式的に示す、 ａ−３ｔ膜２の薄い
部分である第２領域２１の透ｉ！強度は大きい、ＷＩち
吸収が少ない、ビーム照射直後ではａ−３ｔ膜２Ｉ２１
の温度はｔ＋−ｏはほぼ一定である。冷却過程で放熱が
基板１側に均一に行なわれるため熱容量の差に応じ、第
２領域２１側の温度が融点Ｔｍにより速く近づき、再結
晶化の核が形成される（ｔ−ｔｏ） 。
で堆積され膜厚は例えば３０００Å以下に選ばれる。即
ち、エネルギー吸収が膜厚にほぼ比例する範囲以下に選
ばれ、それは用いるビームの種類、波長等による。第１
図（ｂｌは、ａ−３ｔ膜２の選択エッチによって膜厚の
薄い第２領域２１を形成したもので、元の膜厚部分は第
１領域２となる。第２や置載２１の厚みは第１ ’６Ｍ
域２より２０％以上薄く、例えば２０００人に選ばれる
。この形状の試料にビーム４０を均一な強度で照射して
、第１図ｆｃ）の様にＳｔの再結晶化膜を第１領域３、
第２領域３１について得る。ビーム４０には例えばＣＷ
、Ａｒ レーザを用いる。基板１が透明な場合には、基
板裏側からレーザ光を入射することもできる。第１図（
ｄ＋は、試料内位置によるレーザ光透過強度分布と、冷
却時の温度分布を模式的に示す、 ａ−３ｔ膜２の薄い
部分である第２領域２１の透ｉ！強度は大きい、ＷＩち
吸収が少ない、ビーム照射直後ではａ−３ｔ膜２Ｉ２１
の温度はｔ＋−ｏはほぼ一定である。冷却過程で放熱が
基板１側に均一に行なわれるため熱容量の差に応じ、第
２領域２１側の温度が融点Ｔｍにより速く近づき、再結
晶化の核が形成される（ｔ−ｔｏ） 。
第２頌域２１の幅はこの意味で小さいことが望ましく、
例えば５μｍ以下に選ばれる。第２領域２１はストライ
プ状に形成され、レーザ光４０はこれに平行に走査され
る。
例えば５μｍ以下に選ばれる。第２領域２１はストライ
プ状に形成され、レーザ光４０はこれに平行に走査され
る。
ｂ、実施再２ ＴＦ’ｒ５＋ＪＪ工程例 （第２図）
第１図の方法によるＳｉ再結晶膜３．３１を用いたＴＰ
Ｔ製造工程例を第２図（ａ）〜（ｄｌに示す、第２図（
ａｌは本発明により形成したＳｉ再再結Ｖ ＜第１領域
３、第２領域３１）の断面である。第２図（ｂｌは、第
２領域３１のみ島状に残した状態、第２図（Ｃ１はゲー
ト絶縁膜４、ゲート電極５を形成した状態を示す、第２
図（ｄｌは、ゲート電極５をマスクにイオン注入によっ
て００ソース、ドレイン領域１６．１７をＳｉ再結晶膜
３１内に形成し、コンタクト開孔後ソース及びドレイン
電極６，７を設けて完成した状態である。
第１図の方法によるＳｉ再結晶膜３．３１を用いたＴＰ
Ｔ製造工程例を第２図（ａ）〜（ｄｌに示す、第２図（
ａｌは本発明により形成したＳｉ再再結Ｖ ＜第１領域
３、第２領域３１）の断面である。第２図（ｂｌは、第
２領域３１のみ島状に残した状態、第２図（Ｃ１はゲー
ト絶縁膜４、ゲート電極５を形成した状態を示す、第２
図（ｄｌは、ゲート電極５をマスクにイオン注入によっ
て００ソース、ドレイン領域１６．１７をＳｉ再結晶膜
３１内に形成し、コンタクト開孔後ソース及びドレイン
電極６，７を設けて完成した状態である。
この例では第２領域３１内にｎ０ソース、ドレイン領域
１６．１７を設けたが、チャンネル領域に第２領域３１
、ｎ°ソース、ドレイン領域１６．１７に第１領域３を
用いることもでき、いずれも粒径の大きい第２領域３１
をチャンネル長方向に用いられる。ＴＰＴ製造にあった
ワては、再結晶Ｓ１膜３．３１に不純物（例えばＢ）を
添加することもあり、それは当初のａ−５ｌ膜２の堆積
時、堆積後、ビームアニール後等に行える。
１６．１７を設けたが、チャンネル領域に第２領域３１
、ｎ°ソース、ドレイン領域１６．１７に第１領域３を
用いることもでき、いずれも粒径の大きい第２領域３１
をチャンネル長方向に用いられる。ＴＰＴ製造にあった
ワては、再結晶Ｓ１膜３．３１に不純物（例えばＢ）を
添加することもあり、それは当初のａ−５ｌ膜２の堆積
時、堆積後、ビームアニール後等に行える。
Ｃ１実施例３ ７ＦＴ構造 （第３図）第２図の例は、
レーザ光の走査方向とほぼ垂直にチャンネル長方向をも
つＴＦＴの例を示したが、第３図（ａｌ〜（Ｃ１にはビ
ーム走査方向と平行なチャンネル長方向をもつＴＰＴ構
造例を示す、第３図＋ａｌは平面図、第３図（ｂｌ及び
第３図（Ｃ１はそれぞれ第３図（ａｌのＡ−Ａ線及びＢ
−ＢＬＡに沿った断面図である。この例では、チャンネ
ル領域として粒界が発生しやすい第１ ｆｉｉ城を除い
た第２餌域だけで形成したものである。ｎ０ソース、ド
レイン領域は第１ Ｈ域である３６．３７．第２領域で
ある１６．１７から成っている。
レーザ光の走査方向とほぼ垂直にチャンネル長方向をも
つＴＦＴの例を示したが、第３図（ａｌ〜（Ｃ１にはビ
ーム走査方向と平行なチャンネル長方向をもつＴＰＴ構
造例を示す、第３図＋ａｌは平面図、第３図（ｂｌ及び
第３図（Ｃ１はそれぞれ第３図（ａｌのＡ−Ａ線及びＢ
−ＢＬＡに沿った断面図である。この例では、チャンネ
ル領域として粒界が発生しやすい第１ ｆｉｉ城を除い
た第２餌域だけで形成したものである。ｎ０ソース、ド
レイン領域は第１ Ｈ域である３６．３７．第２領域で
ある１６．１７から成っている。
ｄ、実施例４ 本発明の応用例 （第４ｒＩ！Ｊ）第４
図ｆａｔはアニール前の半導体薄膜の第１領域２にｎ’
ａ−５ｔ膜２３とＰ型ａ−５ｉ膜２２の２層を、第２領
域２１にＰ型ａ−５ｉ膜を用いた構造を示す、第１ ｗ
ｉ域２と第２ ｗｉ域２１の膜厚差はｎ”ａ−５ｉ膜２
３の膜厚またはそれ以上である。
図ｆａｔはアニール前の半導体薄膜の第１領域２にｎ’
ａ−５ｔ膜２３とＰ型ａ−５ｉ膜２２の２層を、第２領
域２１にＰ型ａ−５ｉ膜を用いた構造を示す、第１ ｗ
ｉ域２と第２ ｗｉ域２１の膜厚差はｎ”ａ−５ｉ膜２
３の膜厚またはそれ以上である。
ｎ″ａ−３ｉ膜２３は例えばＡｒレーザ光をよく吸収す
るので、エネルギー吸収の第２領域２１に対する差はよ
り大きくなる。第４図（ｂｌは、ビームアニール後の断
面であり、ｎ’ ａ−ＳｉｌｌＱ２３中の不純物例えば
Ｐが再分布し、再結晶膜１ Ｒ域３はｎ゛化される。
るので、エネルギー吸収の第２領域２１に対する差はよ
り大きくなる。第４図（ｂｌは、ビームアニール後の断
面であり、ｎ’ ａ−ＳｉｌｌＱ２３中の不純物例えば
Ｐが再分布し、再結晶膜１ Ｒ域３はｎ゛化される。
再結晶第２領域３１にはＰが再分布するが、その拡がり
はビーム走査速度を速くすることにより小さくできる。
はビーム走査速度を速くすることにより小さくできる。
この再結晶第１領域３をｎ゛ソースたはドレインとして
ＴＰＴ製作時に利用できる。
ＴＰＴ製作時に利用できる。
Ｃ０実施再５ 応用例 （第５図）
第５図ｔａ＋は、第４図の例の第２領域２１上にＳｉＯ
□膜１４膜形４したもので、ビームアニールにより第５
図（ｂｌになる。このＳｉｎｇはビームアニール時の不
純物再分布にマスク効果を一部もつと共に放熱の際の第
２領域２１のヒートシンクともなり、本発明を一層効果
的なものとする。勿論、第１図の試Ｆ）構造にも適用で
きる。この絶縁膜１４はＳ１０□に限らすＳｉＮ等でも
用いられ、ビームに対しほぼ透明でかつ耐熱性があれば
よい。
□膜１４膜形４したもので、ビームアニールにより第５
図（ｂｌになる。このＳｉｎｇはビームアニール時の不
純物再分布にマスク効果を一部もつと共に放熱の際の第
２領域２１のヒートシンクともなり、本発明を一層効果
的なものとする。勿論、第１図の試Ｆ）構造にも適用で
きる。この絶縁膜１４はＳ１０□に限らすＳｉＮ等でも
用いられ、ビームに対しほぼ透明でかつ耐熱性があれば
よい。
本発明によれば、簡Ｊｌｉな試料構造で大粒径または単
結晶の再結晶半導体ＲＨ２がｉ）られる、特に薄い半導
体薄膜に有効なので、耐光性やキャリア移動度に優れた
ＴＦＴなどのデバイスを得ることができる。第４図の例
では、不純物拡散も同時に行えるので、工程前単化にも
なる。
結晶の再結晶半導体ＲＨ２がｉ）られる、特に薄い半導
体薄膜に有効なので、耐光性やキャリア移動度に優れた
ＴＦＴなどのデバイスを得ることができる。第４図の例
では、不純物拡散も同時に行えるので、工程前単化にも
なる。
主にａ−５１膜をレーザアニールする例を述べてきたが
、多結晶３１や他の半導体にも、また他のビームアニー
ル方法例えば電子ビーム、赤外線ビームランプ光のＣ−
やパルスアニールにも適用できる。
、多結晶３１や他の半導体にも、また他のビームアニー
ル方法例えば電子ビーム、赤外線ビームランプ光のＣ−
やパルスアニールにも適用できる。
また、不純物添加されたＳ＋膜として、ｎ’ａ−３ｉの
例を述べたが、これはＰｏでも、またはＧｅ等の不純物
を含んでも同様な効果が得られる。
例を述べたが、これはＰｏでも、またはＧｅ等の不純物
を含んでも同様な効果が得られる。
第１図ｆａｔ〜（Ｃ）は本発明により再結晶化工程の断
面図、第１図（ｄｉは温度、透過光強度分布図であり、
第２図（ａｔ〜（ｄｉ及び第３図（ａｌ〜ｆｃｌはそれ
ぞれ本発明による再結晶化膜を用いたＴＰＴの製造工程
図及び構造図、第４図（ａｌ〜（ｂ）及び第５図（ａｌ
〜（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例により試料構造
図である。 ｌ・・・基板 ２・・・ａ−８ｉ膜 第１ｆＩｌＴ域 ２１・・・第２ ｗｉ域 ａ−５ｉｌｌＱ３・・・再結
晶膜（第１ ｗｉ域） ３１・・・第２ ｗｉ域再結晶膜 ４０・・・レーザ光 ４・・・ゲート絶縁膜 ５ ・ ・ ・ゲート電極 ６・・・ソース電極 ７・・・ドレイン電極 １６．１？、３６，３Ｌ ・・ｎ’ ｗＩＶｉ以上 第１図０本発明による製造工程断面図 位置 第２図、ＴＰＴ製造工程断古目 第３図、ＴＰＴ構造図
面図、第１図（ｄｉは温度、透過光強度分布図であり、
第２図（ａｔ〜（ｄｉ及び第３図（ａｌ〜ｆｃｌはそれ
ぞれ本発明による再結晶化膜を用いたＴＰＴの製造工程
図及び構造図、第４図（ａｌ〜（ｂ）及び第５図（ａｌ
〜（ｂ）はそれぞれ本発明の他の実施例により試料構造
図である。 ｌ・・・基板 ２・・・ａ−８ｉ膜 第１ｆＩｌＴ域 ２１・・・第２ ｗｉ域 ａ−５ｉｌｌＱ３・・・再結
晶膜（第１ ｗｉ域） ３１・・・第２ ｗｉ域再結晶膜 ４０・・・レーザ光 ４・・・ゲート絶縁膜 ５ ・ ・ ・ゲート電極 ６・・・ソース電極 ７・・・ドレイン電極 １６．１？、３６，３Ｌ ・・ｎ’ ｗＩＶｉ以上 第１図０本発明による製造工程断面図 位置 第２図、ＴＰＴ製造工程断古目 第３図、ＴＰＴ構造図
Claims (4)
- （１）絶縁基板上の半導体薄膜にエネルギービームを照
射して再結晶半導体薄膜を形成するにあたり、前記半導
体薄膜に厚みの厚い第一領域と、前記ビームがある程度
透過する厚みの薄い第２領域とを設け、第１領域と第２
領域とに同時に前記ビームを照射して第２領域の温度上
昇が第１領域より少なくすることを特徴とした半導体薄
膜の再結晶化方法。 - （２）前記半導体薄膜が非晶質または多結晶のシリコン
膜で、前記第２領域の厚みが３０００Å以下であり、前
記ビームが可視光またはそれ以下の波長をもつレーザ光
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体薄膜の再結晶化方法。 - （３）前記第１領域が不純物密度の低い第１半導体薄膜
と不純物密度の高い第２半導体薄膜の２層構造より成り
、第２領域が前記第１半導体薄膜の１層構造から成り第
２領域の第１半導体薄膜の厚み以下の厚みを有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
半導体薄膜の再結晶化方法。 - （４）前記半導体薄膜の第１領域上の少なく共一部には
前記ビームに対しほぼ透明な絶縁膜が選択形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項の
いずれか記載の半導体薄膜の再結晶化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19927986A JPS6355925A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19927986A JPS6355925A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355925A true JPS6355925A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16405146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19927986A Pending JPS6355925A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体薄膜の再結晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07509814A (ja) * | 1993-01-07 | 1995-10-26 | ユー、シイ−チャン | リードオンリーメモリセル |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939791A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の製造方法 |
| JPS59175116A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
| JPS627116A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｓｏｉ単結晶作製法 |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP19927986A patent/JPS6355925A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939791A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の製造方法 |
| JPS59175116A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶半導体薄膜の製造方法 |
| JPS627116A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｓｏｉ単結晶作製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07509814A (ja) * | 1993-01-07 | 1995-10-26 | ユー、シイ−チャン | リードオンリーメモリセル |
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