JP5704039B2 - 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 140
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 39
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 39
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 27
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 160
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 18
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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Description
前記剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。
ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500℃で30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。
1000℃で30秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均の取り代は120nmとなりウェーハ周辺部は中心部と比較しては約5nm薄くなる傾向があった。
1100℃で30秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は98nmとなりウェーハ周辺部はウェーハ中心部と比較すると4nm薄くなる傾向があった。
1050℃で5秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は112nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部10mm近傍に平均より4nm程度薄いリング状の領域が存在した。
1050℃で10秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は110nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると面内で1.5nm以内であり、特別薄い領域も厚い領域も無く、SOI層の膜厚均一性は良好であった。
1050℃で20秒のRTA処理したSOIウェーハをCMPすると平均取り代は105nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部30mm近傍に平均より4nm程度厚いリング状の領域が存在した。
ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500℃で30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。
1000℃で30秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにCMPすると平均の取り代は120nmとなりウェーハ周辺部は中心部と比較しては約5nm薄くなる傾向があった。
1100℃で30秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにCMPすると平均取り代は98nmとなり、ウェーハ周辺部はウェーハ中心部と比較すると4.5nm薄くなる傾向があった。
1050℃で5秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにCMPすると平均取り代は114nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部10mm近傍に平均より3.5nm程度薄いリング状の領域が存在した。
1050℃で10秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにCMPすると平均取り代は111nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると面内で1.5nm以内であり、特別薄い領域も厚い領域も無く、SOI層の膜厚均一性は良好であった。
1050℃で20秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにCMPすると平均取り代は104nmとなった。ウェーハの膜厚分布を見ると外周部30mm近傍に平均より4.2nm程度厚いリング状の領域が存在した。
ボンドウェーハとして直径300mm、抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用意し、ボンドウェーハに熱酸化により150nmの酸化膜を形成し、その酸化膜を通して、水素イオンを5.5×1016/cm3、40keVの条件にてイオン注入を実施した。これらのウェーハを抵抗率10Ωcm、p型のシリコン単結晶ウェーハのベースウェーハと貼り合わせ、500℃で30分の剥離熱処理を行いSOIウェーハを製造した。
1000℃で30秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにArアニールするとSOI層の膜厚は周辺部が中心部と比べ3nm薄くなる傾向があった。
1100℃で30秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにArアニールするとSOI層の膜厚は周辺部が中心部と比べ3nm薄くなる傾向があった。
1050℃で5秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにArアニールしたSOIウェーハでは面内均一性が1nm以下になり、リング状等の特別なパターンは見られず、SOI層の膜厚均一性は良好であった。
(比較例11)
1050℃で20秒のRTA処理した後のSOIウェーハを犠牲酸化処理後さらにArアニールしたSOIウェーハの膜厚分布を見ると外周35mm近傍に平均より3.5nm程度厚いリング状の領域が存在した。
Claims (3)
- シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上に前記ボンドウェーハの薄膜からなるSOI層を有する貼り合わせSOIウェーハを作製し、その後、前記剥離面を平坦化する平坦化処理を行う貼り合わせSOIウェーハの製造方法であって、
前記剥離後の貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でRTA処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせSOIウェーハに対し、前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように前記平坦化処理を行い、
前記RTA処理の条件は、前記平坦化処理後の前記SOI層の面内膜厚レンジが1.5nm以下となるように、前記平坦化処理における前記SOI層の除去量の面内分布特性に合わせて設定することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。 - 前記平坦化処理として、研磨処理、犠牲酸化処理、及び不活性ガス雰囲気による熱処理のうち、少なくともいずれか一種類以上の処理を行うことを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記RTA処理は1025〜1075℃の温度範囲で、1〜60秒の熱処理時間で行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011221872A JP5704039B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011221872A JP5704039B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013084663A JP2013084663A (ja) | 2013-05-09 |
JP5704039B2 true JP5704039B2 (ja) | 2015-04-22 |
Family
ID=48529594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011221872A Active JP5704039B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5704039B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6200273B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-09-20 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP6380245B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2018-08-29 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
JPH11307472A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
JP2000124092A (ja) * | 1998-10-16 | 2000-04-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 水素イオン注入剥離法によってsoiウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたsoiウエーハ |
US6291298B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-09-18 | Advanced Analogic Technologies, Inc. | Process of manufacturing Trench gate semiconductor device having gate oxide layer with multiple thicknesses |
JP5135935B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2013-02-06 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
-
2011
- 2011-10-06 JP JP2011221872A patent/JP5704039B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013084663A (ja) | 2013-05-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131021 |
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