JP2011512040A5 -

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半導体基板の表面を処理するための方法であって、
ａ）前記半導体基板（１）の前記表面を酸化させ、それにより、自然酸化物（５）を人工酸化物（７）に変換するステップと、
ｂ）前記人工酸化物（７）を除去し、特に、還元性気体プラズマおよび不活性ガスプラズマを備えた還元性プラズマによって、酸化物のない基板表面（１１）を得るステップと、
ｃ）特に、接合することによって、前記半導体基板（２１）を、前記半導体基板（２１）の前記酸化物のない基板表面（２５）側を用いて、第２の半導体基板（２３）に貼り合わせるステップと、
を備えた方法。
前記半導体基板（１）が、Ｓｉ（１１０）基板、もしくはＳｉ（１００）基板、または、ＳｉＧｅ緩衝層および／またはＳｉＧｅ緩和層もしくは歪みシリコン層を備えたＳｉ基板である、請求項１に記載の方法。
ステップａ）が、前記人工酸化物（７）が化学量論的なＳｉＯ_２となるように実行される、請求項１に記載の方法。
前記第２の半導体基板（２３）が、同様に、ステップａ）およびステップｂ）に基づいて処理されている請求項１に記載の方法。