JP2005311199A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 少なくとも表面に絶縁体を有する第１の基板に第２の基板を結合した結合基板を準備する工程と、
   前記結合基板の表面に金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層を形成し複合基板を作製する工程と、
   前記複合基板を熱処理する工程と、
   前記複合基板から前記ゲッタリング層を除去する工程と、
   を含むことを特徴とする基板の製造方法。
2. 前記複合基板を作製する工程では、前記結合基板の前記第２の基板側の露出面に前記ゲッタリング層を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
3. 前記ゲッタリング層を除去する工程の後に、前記第２の基板を薄くする工程を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の基板の製造方法。
4. 前記複合基板を作製する工程では、前記結合基板の前記第１の基板側の露出面に前記ゲッタリング層を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
5. 前記複合基板を作製する工程では、前記結合基板の前記第１、第２の基板側の露出面にそれぞれ前記ゲッタリング層を形成することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
6. 前記ゲッタリング層を除去する工程では、前記複合基板の前記第２の基板側の露出面に形成された前記ゲッタリング層を除去することを特徴とする請求項５に記載の基板の製造方法。
7. 前記ゲッタリング層を除去する工程の後に、前記第２の基板を薄くする工程を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の基板の製造方法。
8. 前記第２の基板を薄くする工程の後に、前記複合基板の前記第１の基板側の露出面に形成された前記ゲッタリング層を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
9. 前記ゲッタリング層を除去する工程の後に、さらに、還元性雰囲気、不活性ガス雰囲気又は両者の混合ガス雰囲気中で、前記複合基板に熱処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
10. 前記結合基板を準備する工程の後で且つ前記複合基板を作製する工程の前に、該結合基板に熱処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
11. 前記熱処理を施す工程の後で且つ前記複合基板を作製する工程の前に、さらに、前記結合基板に含まれる前記第２の基板を薄くする工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板の製造方法。
12. 前記複合基板を作製する工程の後で且つ前記ゲッタリング層を除去する工程の前に、還元性雰囲気、不活性ガス雰囲気又は両者の混合ガス雰囲気中で、前記複合基板に熱処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板の製造方法。
13. 前記結合基板を準備する工程では、前記第１の基板に多孔質層を形成し、更に前記多孔質層の上に移設層を形成し、これにより第１の基板を作製し、該第１の基板と第２の基板とを結合して、結合基板を作製し、
    当該製造方法は、前記熱処理する工程の後に、さらに、前記複合基板を前記多孔質層の部分で分離する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
14. 少なくとも表面に絶縁体を有する第１の基板と表面に金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層が形成された第２の基板とを準備する工程と、
    その表面に前記ゲッタリング層が配置されるように前記第１の基板と前記第２の基板とを結合して複合基板を作製する工程と、
    前記複合基板を熱処理する工程と、
    前記複合基板から前記ゲッタリング層を除去する工程と、
    を含むことを特徴とする基板の製造方法。
15. 前記準備する工程では、前記第１の基板に多孔質層を形成し、更に前記多孔質層の上に移設層を形成し、これにより第１の基板を作製し、
    当該製造方法は、前記熱処理する工程の後に、さらに、前記複合基板を前記多孔質層の部分で分離する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板の製造方法。