JP2008177531A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. ・熱処理によって２つの基板を貼り合わせるステップと、
   ・貼り合わせられるべき表面を前記基板ごとにプラズマ活性化するステップであり、前記２つの基板の中の第１の基板の前記貼り合わせられるべき表面が酸化物層を備える、前記プラズマ活性化するステップと、
   を実行する、半導体材料の中から選択された材料に実施される２つの基板を貼り合わせる方法において、
   前記酸化物層の前記プラズマ活性化が、酸素を含む雰囲気中において実行され、第２の基板の前記貼り合わせられるべき表面の前記プラズマ活性化が、不活性雰囲気中において実行され、
   前記酸化物層の厚さが、５００Å未満であることを特徴とする、方法。
2. 表面が酸化物層を備えた前記基板が、レシーバ基板へ層を転写するためのドナー基板であることを特徴とする、請求項１に記載の貼り合わせる方法。
3. 前記酸化物層が、前記ドナー基板の熱酸化によって得られることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記酸化物層が、前記ドナー基板上に堆積されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
5. 前記転写によって、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型構造が得られることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
   
6. 前記レシーバ基板が、シリコンであることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記不活性雰囲気に含まれる不活性ガスが、アルゴンであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. プラズマ活性化中の電力密度が、０．４Ｗ／ｃｍ^２であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記不活性雰囲気に含まれる不活性ガスが、窒素であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
10. プラズマ活性化中の電力密度が、０．８Ｗ／ｃｍ^２であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. 前記レシーバ基板が、前記プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施されることを特徴とする、請求項２と組み合わせた、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. 前記ドナー基板が、前記プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施されることを特徴とする、請求項２と組み合わせた、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記熱貼り合わせ処理が、２５℃と１，１００℃との間に存在する温度において実行されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記熱貼り合わせ処理が、２００℃と６００℃との間に存在する温度において実行されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記熱貼り合わせ処理が、３０分から５時間までの期間にわたって実行されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 前記熱貼り合わせ処理が、約２時間にわたって実行されることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。