JP2012509581A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Claims (12)
- サファイアからなる第１基板（１２０）と、前記第１基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する材料からなる第２基板（１１０）とを少なくとも備えるヘテロ構造（２００）を作製する製造方法であって、前記製造方法はサファイアからなる前記第１基板（１２０）に前記第２基板（１１０）を分子結合する工程を含み、２つの前記基板を互いに結合する前に、１００℃から５００℃の範囲の温度で前記第１基板（１２０）をストービング（stoving）する工程を含み、前記ストービングを１００℃から２００℃の範囲の温度で実施する場合は、前記ストービングの時間幅を少なくとも１ｈとすることを特徴とする、製造方法。
- 前記ストービングの工程を、約２００℃で約２ｈ以上実施することを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
- 前記ストービングを、空気または不活性ガスの雰囲気中で実施することを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
- 前記ストービングの工程の後に、湿式化学洗浄の工程を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
- ２つの前記基板を互いに結合する前であって前記ストービングの工程の後に、サファイアからなる前記第１基板（１２０）の結合面（１２０ａ）をプラズマ処理により活性化させる工程を含み、用いるプラズマの平均電力密度を、１Ｗ／ｃｍ2よりも小さいかまたはそれに等しくすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
- サファイアからなる前記第１基板（１２０）の前記結合面（１２０ａ）を、酸素に由来するプラズマに曝露することを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。
- ２つの前記基板を互いに結合する前に、前記第２基板（１１０）の結合面（１１１ａ）に酸化物層（１１４）を形成することを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
- ２つの前記基板を互いに結合する前に、プラズマ処理により、前記第２基板（１１０）の結合面（１１１ａ）を活性化させる工程を含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
- ２つの前記基板を互いに結合させた後に、３００℃よりも低い温度でのアニール処理により結合を安定化させる工程を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第２基板を、シリコンの層により構成することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第２基板（１１０）を、ＳＯＩ構造により構成することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
- サファイアからなる前記第１基板（１２０）に前記第２基板（１１０）を分子結合する工程を、雰囲気温度で実施することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0857854 | 2008-11-19 | ||
| FR0857854A FR2938702B1 (fr) | 2008-11-19 | 2008-11-19 | Preparation de surface d'un substrat saphir pour la realisation d'heterostructures |
| PCT/EP2009/065202 WO2010057842A1 (en) | 2008-11-19 | 2009-11-16 | Preparing a surface of a sapphire substrate for fabricating heterostructures |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012509581A JP2012509581A (ja) | 2012-04-19 |
| JP2012509581A5 true JP2012509581A5 (ja) | 2012-12-06 |
Family
ID=40796247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011536838A Withdrawn JP2012509581A (ja) | 2008-11-19 | 2009-11-16 | ヘテロ構造を作製するためのサファイア基板の表面の前処理 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120015497A1 (ja) |
| EP (1) | EP2359391A1 (ja) |
| JP (1) | JP2012509581A (ja) |
| KR (1) | KR20110086038A (ja) |
| CN (1) | CN102217037A (ja) |
| FR (1) | FR2938702B1 (ja) |
| WO (1) | WO2010057842A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101794390B1 (ko) | 2011-04-08 | 2017-12-01 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼 영구 접합 방법 |
| FR2977260B1 (fr) | 2011-06-30 | 2013-07-19 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une couche epitaxiale epaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procede |
| US8778737B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-07-15 | International Business Machines Corporation | Flattened substrate surface for substrate bonding |
| US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
| SG2014009930A (en) * | 2012-07-24 | 2014-05-29 | Ev Group E Thallner Gmbh | Method and device for permanent bonding of wafers |
| US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
| US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
| US9608433B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-03-28 | Hubbell Incorporated | GFCI test monitor circuit |
| US9741603B2 (en) * | 2013-05-01 | 2017-08-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing hybrid substrate, and hybrid substrate |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
| US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
| FR3034252B1 (fr) | 2015-03-24 | 2018-01-19 | Soitec | Procede de reduction de la contamination metallique sur la surface d'un substrat |
| US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
| CN109075037B (zh) * | 2016-02-16 | 2023-11-07 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于接合衬底的方法与设备 |
| FR3068508B1 (fr) | 2017-06-30 | 2019-07-26 | Soitec | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat support presentant des coefficients de dilatation thermique differents |
| CN108493321A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-09-04 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN111041423B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-11-19 | 太原理工大学 | 蓝宝石表面结构与成分梯度层设计改善其焊接性能的方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5849627A (en) * | 1990-02-07 | 1998-12-15 | Harris Corporation | Bonded wafer processing with oxidative bonding |
| JPH0636413B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
| JPH05235312A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Fujitsu Ltd | 半導体基板及びその製造方法 |
| US5441591A (en) * | 1993-06-07 | 1995-08-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silicon to sapphire bond |
| JP3250721B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2002-01-28 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| WO1999010927A1 (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-04 | Farrens Sharon N | In situ plasma wafer bonding method |
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| US6930041B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Photo-assisted method for semiconductor fabrication |
| US20030089950A1 (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-15 | Kuech Thomas F. | Bonding of silicon and silicon-germanium to insulating substrates |
| SE521938C2 (sv) * | 2001-12-27 | 2003-12-23 | Cerbio Tech Ab | Keramiskt material, förfarande för framställning av keramiskt material och benimplantat, tandfyllnadsimplantat och biocement innefattande det keramiska materialet |
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| US7601271B2 (en) * | 2005-11-28 | 2009-10-13 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Process and equipment for bonding by molecular adhesion |
-
2008
- 2008-11-19 FR FR0857854A patent/FR2938702B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-16 CN CN2009801460442A patent/CN102217037A/zh active Pending
- 2009-11-16 KR KR1020117010800A patent/KR20110086038A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-11-16 EP EP09749151A patent/EP2359391A1/en not_active Withdrawn
- 2009-11-16 JP JP2011536838A patent/JP2012509581A/ja not_active Withdrawn
- 2009-11-16 WO PCT/EP2009/065202 patent/WO2010057842A1/en active Application Filing
- 2009-11-16 US US13/130,239 patent/US20120015497A1/en not_active Abandoned
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