JP2010517286A5

JP2010517286A5 -

Info

Publication number: JP2010517286A5
Application number: JP2009546830A
Authority: JP
Filing date: 2008-01-16
Publication date: 2011-02-03
Anticipated expiration: 2028-01-16

Claims

シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）タイプのウェハの製造方法であって、
ａ）シリコンの初期ドナー基板（１）を用意するステップと、
ｂ）前記初期ドナー基板（１）上に二酸化シリコンの絶縁層（３）を形成するステップと、
ｃ）前記初期ドナー基板（１）に所定の分割エリアを形成するステップと、
ｄ）前記初期ドナー基板をハンドル基板（９）に貼り付けるステップと、
ｅ）前記所定の分割エリア（７）で前記ドナー基板（１）を剥離することで、前記初期ドナー基板（１）の層（１３）を前記ハンドル基板（９）上に転写して、ＳＯＩウェハを形成するステップと、
を備え、
当該製造方法が、少なくとも３回、好ましくは、５回〜１０回繰り返され、
前記初期ドナー基板（１）の残部（１５）が、後続する製造ランにおいて初期ドナー基板（１）として再利用される、方法において、
前記絶縁層（３）が、９００℃未満、好ましくは、８５０℃以下の温度で実行される熱処理によって形成されることを特徴とするＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
前記被転写層（１５）の厚さが、１０００Å以下である、請求項１に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
仕上げステップ後、特に、研磨およびアニールを実行した後、前記被転写層が、エピタキシャル堆積により、特に、６０００Åの層の厚さを達成するように、さらに厚層化される、請求項１または２に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
第１の製造ランの前の新しい初期ドナー基板（１）の格子間酸素濃度が、２５ｐｐｍａ（ｏｌｄＡＳＴＭ）未満、特に、１６ｐｐｍａ（ｏｌｄＡＳＴＭ）未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
前記初期ドナー基板（１）、および、後続する残部（１５）を用いた各製造ランにおいて、前記被転写層のＨＦ欠陥密度が、０．１欠陥／ｃｍ^２未満、特に、０．０５欠陥／ｃｍ^２未満であるように熱処理が実行される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
製造ランごとに、前記絶縁層（３）がより高い温度で形成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳＯＩタイプのウェハの製造方法。
前記絶縁層（３）の厚さが、少なくとも１０００Å、特に、約１４５０Åである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。