JP2005347302A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005347302A5 JP2005347302A5 JP2004161566A JP2004161566A JP2005347302A5 JP 2005347302 A5 JP2005347302 A5 JP 2005347302A5 JP 2004161566 A JP2004161566 A JP 2004161566A JP 2004161566 A JP2004161566 A JP 2004161566A JP 2005347302 A5 JP2005347302 A5 JP 2005347302A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- manufacturing
- bonding
- forming
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
Claims (11)
- 第１の基板の結合面と第２の基板の結合面とを結合して結合基板を製造する基板の製造方法であって、
前記第１の基板の結合面及び前記第２の基板の結合面の少なくとも一方の結合面を部分的に処理して疎水性領域及び親水性領域を有する結合面を形成する工程と、
前記第１の基板の結合面と前記第２の基板の結合面とを結合させる工程と、
を含むことを特徴とする基板の製造方法。 - 前記結合面を形成する工程では、
前記第１、第２の基板の少なくとも一方に弗化水素酸を供給して前記疎水性領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。 - 前記結合面を形成する工程では、
前記第１、第２の基板の少なくとも一方の裏面から弗化水素酸を供給し、該第１、第２の基板の少なくとも一方の表面に該弗化水素酸を回り込ませて前記疎水性領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。 - 前記第１、第２の基板の少なくとも一方を回転させながら前記弗化水素酸を供給することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板の製造方法。
- 前記疎水性領域は、前記第１の基板の結合面及び前記第２の基板の結合面の少なくとも一方の外周部分に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
- 前記結合させる工程の後に、前記結合された基板の前記第１の基板側の面を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
- 前記第１の基板は、該第１の基板を２つに分離するための分離層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
- 半導体基板の表面を多孔質化して前記分離層を形成する工程と、
前記分離層の表面に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に絶縁体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。 - 前記結合させる工程の後に、前記結合された基板を熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
- 前記分離層は、前記第１の基板中にイオンを注入して形成されるイオン注入層であることを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
- 前記結合された基板を前記分離層の部分で分離する工程を含むことを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004161566A JP2005347302A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 基板の製造方法 |
| US11/139,567 US7396734B2 (en) | 2004-05-31 | 2005-05-31 | Substrate manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004161566A JP2005347302A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005347302A JP2005347302A (ja) | 2005-12-15 |
| JP2005347302A5 true JP2005347302A5 (ja) | 2007-05-24 |
Family
ID=35425914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004161566A Withdrawn JP2005347302A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7396734B2 (ja) |
| JP (1) | JP2005347302A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7344957B2 (en) * | 2005-01-19 | 2008-03-18 | Texas Instruments Incorporated | SOI wafer with cooling channels and a method of manufacture thereof |
| FR2888402B1 (fr) * | 2005-07-06 | 2007-12-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'assemblage de substrats par depot d'une couche mince de collage d'oxyde ou de nitrure et structure ainsi assemblee |
| JP5064695B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-10-31 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7575988B2 (en) * | 2006-07-11 | 2009-08-18 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabricating a hybrid substrate |
| FR2903808B1 (fr) * | 2006-07-11 | 2008-11-28 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de collage direct de deux substrats utilises en electronique, optique ou opto-electronique |
| US7361574B1 (en) * | 2006-11-17 | 2008-04-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc | Single-crystal silicon-on-glass from film transfer |
| FR2920912B1 (fr) * | 2007-09-12 | 2010-08-27 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche |
| TWI492275B (zh) | 2008-04-10 | 2015-07-11 | Shinetsu Chemical Co | The method of manufacturing the bonded substrate |
| FR2931843A1 (fr) * | 2008-06-02 | 2009-12-04 | Alex Hr Roustaei | Systeme intelligent de production d'energie solaire a haut rendement en chambres multiples de capture muni de cellules photovoltaiques a base des nano particules |
| KR101548173B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-08-31 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 다이렉트 본딩(ｓｄｂ)을 이용한 임시 웨이퍼 임시 본딩 방법, 및 그 본딩 방법을 이용한 반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법 |
| FR2956869B1 (fr) * | 2010-03-01 | 2014-05-16 | Alex Hr Roustaei | Systeme de production de film flexible a haute capacite destine a des cellules photovoltaiques et oled par deposition cyclique des couches |
| JP2011181632A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN102722084B (zh) * | 2011-03-31 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻方法和设备 |
| JP6040123B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2016-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法および接合システム |
| FR3016733A1 (fr) * | 2014-01-23 | 2015-07-24 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de traitement d'une plaque destinee a etre assemblee par collage direct sur une autre plaque, et plaque correspondante |
| US20170092725A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-03-30 | International Business Machines Corporation | Activated thin silicon layers |
| KR20240012544A (ko) * | 2021-06-30 | 2024-01-29 | 다이킨 고교 가부시키가이샤 | 적층체의 제조 방법 및 적층체 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688048A3 (en) | 1990-08-03 | 1996-02-28 | Canon Kk | Semiconductor substrate with SOI structure |
| US5750000A (en) | 1990-08-03 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor member, and process for preparing same and semiconductor device formed by use of same |
| JP2608351B2 (ja) | 1990-08-03 | 1997-05-07 | キヤノン株式会社 | 半導体部材及び半導体部材の製造方法 |
| US5451547A (en) * | 1991-08-26 | 1995-09-19 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate |
| FR2681472B1 (fr) | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| JP2605597B2 (ja) * | 1993-09-09 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3294934B2 (ja) | 1994-03-11 | 2002-06-24 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体基板 |
| TW308707B (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-21 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Manufacturing method of bonding SOI wafer |
| JPH09331049A (ja) | 1996-04-08 | 1997-12-22 | Canon Inc | 貼り合わせｓｏｉ基板の作製方法及びｓｏｉ基板 |
| JP3720515B2 (ja) | 1997-03-13 | 2005-11-30 | キヤノン株式会社 | 基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
| US7045878B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
| KR100457053B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
-
2004
- 2004-05-31 JP JP2004161566A patent/JP2005347302A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-05-31 US US11/139,567 patent/US7396734B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005347302A5 (ja) | ||
| EP1788621A3 (en) | Method for manufacturing bonded substrate and bonded substrate manufactured by the method | |
| KR101160316B1 (ko) | 점진적인 트리밍 방법 | |
| KR101384504B1 (ko) | 기판 흡착 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4723455B2 (ja) | 複合材料を製造する方法及びウエハを選択する方法 | |
| EP0961312A3 (en) | SOI Substrate formed by bonding | |
| CN108122823B (zh) | 晶圆键合方法及晶圆键合结构 | |
| WO2005104192A3 (en) | A METHOD FOR THE FABRICATION OF GaAs/Si AND RELATED WAFER BONDED VIRTUAL SUBSTRATES | |
| EP0867921A3 (en) | Substrate and production method thereof | |
| EP1978554A3 (en) | Method for manufacturing semiconductor substrate comprising implantation and separation steps | |
| EP0867922A3 (en) | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| WO2006031641A3 (en) | Method of manufacturing carrier wafer and resulting carrier wafer structures | |
| JP2000223681A5 (ja) | 基板の製造方法 | |
| EP1365447A3 (en) | Manufacturing method of semiconductor substrate | |
| JP2002334973A5 (ja) | ||
| JP2009111375A5 (ja) | ||
| WO2007127074A3 (en) | Semiconductor on glass insulator made using improved thinning process | |
| EP1398829A3 (en) | Substrate and manufacturing method therefor | |
| TW200625433A (en) | Method for manufacturing silicon wafer | |
| JP2007526652A5 (ja) | ||
| US20090117706A1 (en) | Manufacturing Method of SOI Wafer and SOI Wafer Manufactured by This Method | |
| JP2005311199A5 (ja) | ||
| WO2009004889A1 (ja) | 薄膜シリコンウェーハ及びその作製法 | |
| JP2003243356A5 (ja) | ||
| EP1396883A3 (en) | Substrate and manufacturing method therefor |