JP2006528422A5 - - Google Patents

Claims (31)

1. 積重ね構造を製造する方法であって、
   ａ）第１の板（１）および第２の板（５）を選択するステップであって、ここで前記第１（１）および第２（５）の板のうちの少なくとも１つが表面（２、７）を有し、この表面が他方の板の表面に付着できないよう少なくとも部分的に粗さを有しているステップと、
   ｂ）犠牲層（３、８）を、前記第１の板（１）の表面（２）および／または前記第２の板（５）の表面（７）の少なくとも部分に生成するステップと、
   ｃ）前記２つの板（１、５）を互いに結合するステップと、
   を上記の順序で含み、さらに下記：
   ｄ）前記犠牲層（３）の少なくとも部分を除去して、粗さを有する前記表面が他方の板と少なくとも部分的に向かい合うようにするステップと、
   を含むことを特徴とする、前記製造方法。
2. 粗さが約０．２ｎｍＲＭＳより大きいことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 板（１、５）の少なくとも１つが初めに表面層（６、９）を有していることを特徴とする、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
4. 表面層（６、９）が単結晶であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
5. 表面層（６、９）がシリコンであることを特徴とする、請求項３または請求項４に記載の方法。
6. 表面層（６、９）が、この表面層（６、９）の物理化学的性質により、表面（２、７）を構造化する効果を有していることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
7. 表面層（６、９）が窒化珪素であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. 犠牲層（３、８）の自由表面（４、１０）および／または板（１、５）のうちの１つの自由表面が、ステップｃ）の前に平滑化されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
9. ステップｃ）の結合が分子結合であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
10. ステップｃ）の結合が犠牲結合剤を使用することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
11. ステップｃ）の結合が、機械的手段および／またはプラズマ処理および／または熱処理によって補助され、これらの工程が結合前または結合中に特定の雰囲気または開放大気中で行なわれることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
12. ２つの板の少なくとも１つ（１）および／または（５）が、ステップｃ）の後で薄くされることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 板（１、５）のうちの少なくとも１つの塊状部分が、半導体材料から成ることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 塊状部分がシリコンから成ることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
15. 犠牲層（３、８）がシリコン酸化物から成ることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
16. 犠牲層（３、８）を構成する材料が重合体であることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法によって製造されることを特徴とする、積重ね構造（１００）。
18. 第１の基板（１）と第２の基板（５）の間に犠牲層（３、８）を含むこと、および前記第１（１）および第２（５）の基板のうちの少なくとも１つが「構造化された」表面（２、７）を少なくとも部分的に有していることを特徴とする、積重ね構造（１００）。
19. 表面（２、７）が、その物理化学的性質により構造化されていることを特徴とする、請求項１８に記載の積重ね構造。
20. 表面（２、７）の構造化が、予め決められた閾値よりも大きな粗さ（ｒ’_２、ｒ’_７）であることを特徴とする、請求項１８に記載の積重ね構造。
21. 予め決められた閾値が約０．２ｎｍに等しいことを特徴とする、請求項２０に記載の積重ね構造。
22. 基板（１、５）のうちの少なくとも１つが、表面層（６、９）を有していることを特徴とする、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の積重ね構造。
23. 表面層（６、９）が単結晶であることを特徴とする、請求項２２に記載の積重ね構造。
24. 表面層（６、９）がシリコンから成ることを特徴とする、請求項２２または請求項２３に記載の積重ね構造。
25. 表面層（６、９）が、この表面層（６、９）の物理化学的性質により表面（２、７）を構造化する効果を有していることを特徴とする、請求項２２に記載の積重ね構造。
26. 表面層（６、９）が窒化珪素から成ることを特徴とする、請求項２５に記載の積重ね構造。
27. 基板（１、５）のうちの少なくとも１つの塊状部分が半導体材料から成ることを特徴とする、請求項１８〜２６のいずれか一項に記載の積重ね構造。
28. 塊状部分がシリコンから成ることを特徴とする、請求項２７に記載の積重ね構造。
29. 犠牲層（３、８）がシリコン酸化物から成ることを特徴とする、請求項１８〜２８のいずれか一項に記載の積重ね構造。
30. 犠牲層（３、８）を構成する材料が重合体であることを特徴とする、請求項１８〜２８のいずれか一項に記載の積重ね構造。
31. 基板（１、５）のうちの少なくとも１つが薄い層であることを特徴とする、請求項１８〜３０のいずれか一項に記載の積重ね構造。