JP2009504392A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. ゲルマニウムの薄層（２２）を、シリコンから形成される第１の支持体（１８、２４）上に転写する薄膜転写方法であって、
   少なくとも一部がゲルマニウムのバルク基板からもたらされる層（３）を含む構造を提供するステップを含み、層（３）が、シリコンから形成される第２の支持体（６、１０）に取り付けられ、前記層の厚みが、１μｍ〜５０μｍであり、前記薄膜転写方法がさらに、
   少なくとも１つのガス種を注入することにより、薄層（２２）が転写される構造に境界を定める所定の深さで、層（３）内に埋設され弱められた領域（１４）を形成するステップと、
   第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）を、第１の支持体（１８、２４）に接合するステップと、
   少なくとも１つの熱処理ステップを含む、弱められた領域（１４）において層（３）を破断するステップとを含むことを特徴とする、方法。
2. 層（３）の厚みが、接合後に得られる構造の温度に応じる機械的挙動が、第２の支持体（６、１０）および第１の支持体によって付与されるようなものである、請求項１に記載の薄層転写方法。
3. 破断ステップが、さらに、機械的負荷を加えるステップを含む、請求項１または２に記載の薄層転写方法。
4. 第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）の厚みが、第２の支持体（６、１０）の厚みの１５％未満である、請求項１から３のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
5. ゲルマニウムのバルクプレート（２）を第２の支持体（６、８）に接合する予備ステップを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
6. 接合する予備ステップが、１００℃〜２００℃の温度で行なわれる、請求項５に記載の薄層転写方法。
7. 第２の支持体（６、１０）に取り付けられた層（３）を得るために、前記ゲルマニウムのバルクプレート（２）を薄くするステップを含む、請求項５または６に記載の薄層転写方法。
8. 破断後に第２の支持体（６）に取り付けられた残存する層（３）の部分（２０）上にゲルマニウムをエピタキシャル堆積するステップを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
9. エピタキシャル層内に埋設され弱められた領域を形成するステップと、
   エピタキシャル層を第３の支持体に接合するステップと、
   弱められた領域においてエピタキシャル層を破断するステップとを含む、請求項８に記載の薄層転写方法。
10. 第２の支持体に取り付けられた層が、完全にバルク基板から得られる、請求項１から９のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
11. 第２の支持体に取り付けられた層が、ゲルマニウムのエピタキシャル層を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の薄層転写方法。
12. 第２の支持体に取り付けられた層が、ある材料のエピタキシャル層の結晶構造がゲルマニウムによって付与されるような厚みの前記材料のエピタキシャル層を含む、請求項１１に記載の薄層転写方法。
13. 停止層として前記材料のエピタキシャル層を使用して、破断後のゲルマニウムのエピタキシャル層を取り除くステップを含む、請求項１２に記載の薄層転写方法。