JP2008538658A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基板の製造方法であって、
   焼結材料がハンドル基板の焼結多結晶材料から拡散するのを抑制する拡散隔膜層を有する焼結多結晶材料のハンドル基板を提供する工程、
   単結晶ＩＩＩ族窒化物半導体層のエピタキシャル成長に適した第１材料の薄い単結晶層を、単結晶ＩＩＩ族窒化物半導体層の熱膨張係数に一致した熱膨張係数を持つハンドル基板上に移動させる工程、
   前記第１材料の薄い単結晶層上で厚い単結晶ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、および
   前記ハンドル基板を除去する工程を備える。
2. 前記厚い単結晶ＩＩＩ族窒化物半導体層が１００ミクロンを越える厚さの自立単結晶ＩＩＩ族窒化物基板を形成するように、前記第１材料の薄い単結晶層を除去する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
3. 薄い単結晶層を移動させる前記工程が、
   ＧａＮソース基板のＮ末端面にイオン注入することで前記ＧａＮソース基板中に弱いインターフェースを形成する工程、
   前記ＧａＮソース基板の前記Ｎ末端面を前記ハンドル基板に接合する工程、および
   剥離された薄いＧａＮ単結晶層が前記ハンドル基板に接合された状態で残り、かつ、前記薄いＧａＮ単結晶層のＮ末端面が露出されるように、前記薄いＧａＮ単結晶層をソース基板から剥離する工程、を含む請求項１に記載の方法。
4. 前記ハンドル基板が多結晶窒化アルミニウムを含む請求項１に記載の方法。
5. 前記薄い単結晶層がＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ（１１１）の単結晶層を含む請求項１に記載の方法。
6. 前記ハンドル基板が多結晶のＡｌＮを含み、前記焼結材料がイットリアを含む請求項１に記載の方法。
7. 前記ハンドル基板が多結晶のＡｌＮを含み、前記拡散隔膜層が、多結晶のＡｌＮと第１材料の単結晶薄膜との間に位置する窒化ケイ素の層またはアモルファス炭化ケイ素を含む請求項１に記載の方法。
8. 前記拡散隔膜層が前記ハンドル基板を封入している請求項１に記載の方法。
9. 前記ハンドル基板が接合層を有し、前記拡散隔膜層が前記接合層と前記焼結多結晶材料との間に位置する請求項１に記載の方法。