JP5585570B2 - ムライトを主成分とする焼結体 - Google Patents
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また、III族窒化物半導体エピタキシャル層の形成用基板として同種のIII族窒化物半導体基板を用いると、III族窒化物半導体基板と該基板上に成長したIII族窒化物半導体エピタキシャル層との間の熱膨張係数の差がないかまたは小さくまた格子整合性が高いため、特性の高い半導体デバイスが得られるが、III族窒化物半導体基板は非常に高価であり、半導体デバイスを作製するためのコストが非常に高くなるという問題があった。
しかしながら、熱膨張係数がGaNに充分に近く、かつGaN基板との貼り合わせ性が良好で、かつ安価な下地基板は未だ得られていなかった。また、他のIII族窒化物半導体の作製においても同様に、貼り合わせ性が良好で、かつ安価な下地基板は未だ見出されていない。
本発明は以下の構成よりなる。
前記下地基板は、ムライト粉末と、アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末との焼結体であって、
前記アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10〜50質量%であり、
前記焼結体の主表面の面粗さRaが0.1〜3.0nmである
ことを特徴とするムライトを主成分とするIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。
(2)前記焼結体は、室温から1000℃までの平均熱膨張係数が5.5〜6.5ppm/Kであることを特徴とする上記(1)に記載のIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。
(3)前記III族窒化物半導体が窒化ガリウム(GaN)であることを特徴とする上記(1)又は(2)に記載のIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。
(4)上記(1)から上記(3)のいずれか一項に記載の下地基板と、III族窒化物半導体とが貼り合わされたIII族窒化物半導体貼り合わせ基板。
ムライトは酸化アルミニウム(アルミナ)と酸化ケイ素(シリカ)の化合物であるが、本発明においては、アルミナとシリカを3:2の割合で混合して焼結して得られたムライト(3Al2O3・2SiO2)を好ましく使用することができる。
焼結方法は特に限定されないが、例えば、HP(ホットプレス)やHIP(熱間静水圧成形)による方法が好ましい。焼結体の密度を高くできる方法が好ましい。
下地基板の厚さは特に限定されないが、III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させる際において充分な強度を持っていることが望ましい。この観点から下地基板の厚さは、400μm〜700μmであることが好ましい。
ムライト粉末にYSZ(Y2O310mol%)粉末を30質量%混合した。
この混合粉末をプレス成形により予備成形し、続いてCIPを行なって成形体を得た。プレス成形においては10MPaの圧力をかけ、CIPにおいては200MPaの圧力をかけた。
続いて、上記成形体を大気雰囲気下に載置し、1500℃で、9時間、保持することにより焼結を行った。更に、得られた焼結体をアルゴン雰囲気中に載置し、200MPaの圧力を加えながら1600℃に加熱し、2時間、保持することによりHIPを行った。
得られた下地基板の室温から1000℃までの平均熱膨張係数は6.0ppm/Kであり、表面粗さは0.6nmであった。
原料ムライト粉末にジルコニア粉末を30質量%混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。
得られた下地基板の室温から1000℃までの平均熱膨張係数は5.7ppm/Kであり、表面粗さは0.8nmであった。
原料ムライト粉末にアルミナ粉末を12質量%混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。
得られた下地基板の室温から1000℃までの平均熱膨張係数は5.4ppm/Kであり、表面粗さは0.8nmであった。
原料ムライト粉末にアルミナ粉末を12質量%とYSZ(Y2O310mol%)30質量%を混合した以外は、実施例1と同様にして下地基板を作製した。得られた下地基板の室温から1000℃までの平均熱膨張係数は6.3ppm/Kであり、表面粗さは0.9nmであった。
Claims (4)
- III族窒化物半導体と下地基板とを貼り合わせたIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板であって、
前記下地基板は、ムライト粉末と、アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末との焼結体であって、
前記アルミナ、ジルコニア、およびイットリア安定化ジルコニアからなる群より選ばれる少なくとも一種類以上の粉末の含有割合が合計で10〜50質量%であり、
前記焼結体の主表面の面粗さRaが0.1〜3.0nmである
ことを特徴とするムライトを主成分とするIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。 - 前記焼結体は、室温から1000℃までの平均熱膨張係数が5.5〜6.5ppm/Kであることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。
- 前記III族窒化物半導体が窒化ガリウム(GaN)であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物半導体貼り合わせ基板用の下地基板。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の下地基板と、III族窒化物半導体とが貼り合わされたIII族窒化物半導体貼り合わせ基板。
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