JP2003192442A

JP2003192442A - 窒化アルミニウム基板、薄膜付き窒化アルミニウム基板およびこれからなるレーザー発光素子用サブマウント材

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Publication number: JP2003192442A
Application number: JP2001394867A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Okamoto; 本光弘岡; Keiichi Yano; 野圭一矢; Takao Shirai; 井隆雄白
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-12-26
Filing date: 2001-12-26
Publication date: 2003-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】結晶粒子脱落が防止されたバイアホールを有
する窒化アルミニウム基板および接続信頼性が高い薄膜
付きの前記気窒化アルミニウム基板の提供。【解決手段】バイアホールを有する窒化アルミニウム
基板であって、このバイアホールにはタングステンまた
はモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、
窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離
５０μｍの直線上に１５〜３０個存在することを特徴と
する窒化アルミニウム基板、前記の窒化アルミニウム基
板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されてなるこ
とを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板、およ
び。前記の薄膜付き窒化アルミニウム基板からなること
を特徴とするレーザー発光素子用サブマウント材。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バイアホールを有
する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板に関するものであ
る。さらに詳細には、本発明は、バイアホールによって
基板の表裏面間を導通させた窒化アルミニウム基板に関
するものであって、窒化アルミニウムの結晶組織を制御
することにより窒化アルミニウム結晶の脱粒を低減さ
せ、信頼性を大幅に向上させた窒化アルミニウム基板、
この基板の表面に導電性金属薄膜が形成されてなる薄膜
付き窒化アルミニウム基板、およびこの薄膜付き窒化ア
ルミニウム基板からなるレーザー発光素子用サブマウン
ト材に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＣＤやＤＶＤなどの読み出し用
途などに多用されている半導体レーザー発光素子は、レ
ーザーダイオードが窒化アルミニウム等の熱伝導性が高
い基板からなるサブマウント材に接合されている構造を
している。この基板の片面（表面）にはレーザーダイオ
ードが実装され、もう片面（裏面）は素子パッケージの
放熱ベースに接合されてレーザーダイオード素子の熱を
外部に放熱できるようになっている。そして、サブマウ
ント材である窒化アルミニウム基板の表・裏面には金属
薄膜が例えばスパッタ法などで形成され、この薄膜を介
してレーザーダイオード素子からの電気信号の伝達がな
されるように構成されている。このようなレーザーダイ
オード素子パッケージでは、レーザーダイオード素子へ
の配線は一般的にワイヤボンディング法が採用されてい
る。

【０００３】ワイヤボンディング法は、製造が容易であ
り、目的のところにワイヤによる配線接続ができること
から汎用性があるものの、ワイヤであるが故に断線の不
安は常に付きまとうのも事実である。また、ワイヤを設
ける構造であると、そのワイヤを設ける分だけスペース
が必要となり、必ずしも小型化の要求に応えているとは
言えなかった。

【０００４】一方、サブマウント材の所定位置に導体金
属を充填したバイアホールを設ける構造とすることによ
り、ワイヤボンディング工程の省略と省スペース化を図
ることが試みられている。この場合、サブマウント材表
面の導体薄膜層とバイアホール金属との間の接続信頼性
が重要となることは言うまでもない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化ア
ルミニウム基板は、表面研削・研磨工程において結晶粒
子単位で粒子が脱落剥離する脱粒現象が起こりやすいも
のであって、この脱粒によってバイアホール金属の接続
信頼性が低下しがちであった。特に高熱伝導性の窒化ア
ルミニウム焼結体は熱伝導率を高めるために高温で焼成
されて製造されるのが普通であることから、この際に結
晶粒子が大きく成長しやすい傾向がある。そのため、研
磨工程において脱粒が生じた場合、脱粒痕が大きな穴と
なって表面の平坦性が悪化しやすい。脱粒を防ぐために
研磨における仕上げ工程を長時間かけることは、サブマ
ウント材のコスト高につながる。

【０００６】また、脱粒の存在する面に薄膜層を形成す
ると、サブマウント材が高温にさらされた際に脱粒付近
を起点にフクレが発生しやすく、素子の信頼性を著しく
損なってしまう場合がある。特にバイアホールにより表
裏間に導通をとる構造の場合、バイアホール近傍におけ
る薄膜フクレは、最悪の場合導通不良となるので、バイ
アホールを有する窒化アルミニウムサブマウント材の場
合、研磨後の表面の脱粒は極力小さくかつ数を少なくす
ることが必要である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、窒化アルミニ
ウム焼結体の結晶組織を制御することにより、窒化アル
ミニウムの結晶脱粒が低減された、信頼性が大幅に向上
された窒化アルミニウム基板を提供するものである。

【０００８】したがって、本発明による窒化アルミニウ
ム基板は、バイアホールを有する窒化アルミニウム基板
であって、このバイアホールにはタングステンまたはモ
リブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒化
アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５０
μｍの直線上に１５〜３０個存在すること、を特徴とす
るものである。

【０００９】また、本発明による薄膜付き窒化アルミニ
ウム基板は、上記の窒化アルミニウム基板の片面あるい
は両面に金属薄膜層が形成されてなること、を特徴とす
るものである。

【００１０】また、本発明によるレーザー発光素子用サ
ブマウント材は、上記の薄膜付き窒化アルミニウム基板
からなること、を特徴とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明による窒化アルミニウム基
板は、バイアホールを有するものであって、このバイア
ホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とす
る導電部を具備するものである。このような本発明によ
る窒化アルミニウム基板は、窒化アルミニウム基板の上
下面（あるいは表裏面）の表面に露出しているバイアホ
ール部分間において導電性が確保されているものであ
る。

【００１２】この窒化アルミニウム基板の片面（あるい
は両面）に導電性薄膜が形成されかつこの薄膜とバイア
ホール内の前記導電部との導電性が確保されているもの
は、この窒化アルミニウム基板の片方の薄膜と、この窒
化アルミニウム基板の反対面側のバイアホール露出部あ
るいはその露出部上に形成された薄膜との間には導電性
が実現されることになる。

【００１３】このような本発明による薄膜付き窒化アル
ミニウム基板の好ましい一具体例は、図１に示される通
りのものである。この図１において、１は窒化アルミニ
ウム板基板であり、２はタングステンまたはモリブデン
を主成分とする焼結体からからなる導電部を具備するバ
イアホールであり、３は導電性薄膜である。

【００１４】１の窒化アルミニウム基板（この窒化アル
ミニウム基板は、窒化アルミニウム焼結体からなる）
は、熱伝導率が１８０Ｗ／ｍＫ以上と高熱伝導性を示す
ものが好ましい。熱伝導率が上記値未満であると、熱伝
導特性が満足できるレベルになく、基板上に実装された
素子の放熱を十分に行うことが難しくなる。

【００１５】そして、本発明による窒化アルミニウム基
板は、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直
線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在することを
特徴としている。直線距離５０μｍ中の窒化アルミニウ
ム結晶粒子の数が１４個以下では窒化アルミニウム結晶
粒子の粒子サイズが大きすぎるため、高熱伝導性を具備
することはできても強度が低下してしまう。また、粒子
サイズが大きいと（即ち、直線距離５０μｍ中の窒化ア
ルミニウム結晶粒子の数が１４個以下）、後述する表面
粗さＲａ０．０５μｍ以下の鏡面加工を施した際に脱粒
痕が所定数以上かつ所定深さ以上になり易い。一方、直
線距離５０μｍ中の窒化アルミニウム結晶粒子の数が３
１個以上では窒化アルミニウム結晶粒子サイズが小さく
なりすぎて、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上を達成し難く
なる。

【００１６】窒化アルミニウム焼結体中には、主として
使用された焼結助剤に基づく粒界相が存在する。従来か
ら粒界相を実質的に排除した窒化アルミニウム焼結体あ
るいは最初から焼結助剤を使用しない窒化アルミニウム
焼結体は存在するが、このような焼結助剤を使用しない
窒化アルミニウム焼結体では熱伝導率を１８０Ｗ／ｍＫ
以上にできたとしても強度が十分ではなく、必ずしもサ
ブマウント材等の回路基板に適しているとは言えない。

【００１７】従って、本発明における窒化アルミニウム
焼結体は、主として焼結助剤成分からなる粒界相を具備
した熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上を示すものにおいて、
直線距離５０μｍ中に窒化アルミニウム結晶粒子が１５
〜３０個存在するものである。直線距離５０μｍ中に窒
化アルミニウム結晶粒子が１５〜３０個存在するという
ことは、窒化アルミニウム結晶粒子サイズが実質的にほ
ぼ均一であることを示すものである。

【００１８】なお、直線距離５０μｍ中の窒化アルミニ
ウム結晶粒子数の測定方法に関しては、拡大写真（２０
００倍以上）を撮り直線距離５０μｍに相当する直線
（線径０．５ｍｍ）を引き、その直線上に存在するすべ
ての窒化アルミニウム結晶粒子をカウントするものとす
る。このような測定方法の一例としてＳＥＭ写真を画像
処理により画像解析を行う方法が有効である。

【００１９】また、本発明における窒化アルミニウム焼
結体は、強度その他の観点から焼結助剤を使用したもの
が好ましい。焼結助剤としては、酸化イットリウムや酸
化イッテルビウムなどの希土類化合物、酸化カルシウム
などのアルカリ土類金属化合物など様々なものが使用可
能である。その添加量は、２〜１０質量％が好ましく、
さらに好ましくは２〜６質量％である。焼結助剤の添加
量が２質量％未満では添加の効果が十分得られず、緻密
化が難しくて、熱伝導率および強度の向上が十分図れな
い。一方、１０質量％を超えて使用すると、粒界相量が
多くなりすぎて高熱伝導化が図り難くなってしまう。

【００２０】本発明による窒化アルミニウム焼結体では
タングステンまたはモリブデンを主成分とする高融点金
属からなる導電部が形成されている。窒化アルミニウム
を焼結した後の焼結体中にバイアホールを形成すること
は工程上あるいはその形成作業上の制約があって効率や
コストの点で好ましくない場合があるので、好ましくは
焼結前の窒化アルミニウム材（通常、シート状をしてい
る）の中にバイアホール充填用のタングステンまたはモ
リブデンを主成分とする高融点金属粉末のペーストを予
め埋め込んでおき、必要に応じ乾燥した後、窒化アルミ
ニウム材の焼結の際にこの高融点金属の焼成も同時に行
ってバイアホール導電部の形成を行うことからなる、同
時焼成法を採用することが好ましい。

【００２１】好ましい同時焼成法の具体例としては、窒
素ガス等の非酸化性雰囲気中で６００〜８００℃で脱脂
後、非酸化性雰囲気中１７００〜１９５０℃にて焼成す
る方法が挙げられる。焼成温度が１７００℃未満である
と焼成が不十分であるため高融点金属が焼成できないお
それがある。一方、１９５０℃を超えると窒化アルミニ
ウム結晶粒子が必要以上に粒成長するため本発明の好ま
しい窒化アルミニウム結晶粒子径を得難くなる。また、
同時焼成を行う際は高融点金属ペースト中に窒化アルミ
ニウム粉末を１〜１０質量％（高融点金属粉末との合計
で１００質量％）添加してもよい。

【００２２】薄膜形成のためには、窒化アルミニウム基
板を表面研磨して表面を平坦化する必要がある。表面粗
さ（Ｒａ）は、０．５μｍ以下、好ましくは０．０２〜
０．３μｍ、である。表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ超
過では基板表面の凹凸が大きいことから、その上に導電
性薄膜を設けた場合に薄膜と基板との間に隙間ができ易
いことから薄膜のフクレ等の不具合の原因になり易い。
一方、０．０２μｍ未満にまで鏡面加工を施してもよい
が、必要以上に鏡面加工を施すことは加工費の増大に繋
がることから必ずしも製造性がよいとは言えない。言い
換えると、本発明の窒化アルミニウム基板は表面粗さ
（Ｒａ）が０．０２〜０．５μｍと適度な鏡面加工であ
っても導電性薄膜との接合強度等がよいものが得られる
ことを示すものである。

【００２３】また、従来の熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上
の窒化アルミニウム基板は結晶粒子サイズが大きいこと
から、鏡面加工を施すと大きな脱粒痕が多くでき易かっ
た。これは結晶粒子サイズが大きいことから一つの窒化
アルミニウム結晶粒子が脱粒するだけで、例えば最大径
７μｍ以上の大きな脱粒痕ができてしまう。また、結晶
粒子サイズが大きいことから単位面積当たりにおいて結
晶粒子を固定するための粒界相の割合が実質的に少なく
なってしまい脱粒が起き易くなってしまっていた。窒化
アルミニウム基板上にこのような脱粒痕が多いと、薄膜
を形成後の加熱によって、薄膜とバイアホールとの未接
合部を形成し易くなり、信頼性が低下する。また、バイ
アホールとの接合部に電気抵抗のバラツキが生じてしま
い、素子の信頼性させてしまうことになる。

【００２４】それに対し、本発明の窒化アルミニウム基
板は、直線距離５０μｍ中に窒化アルミニウム結晶粒子
が１５〜３０個存在するものであるように実質的に均一
な結晶粒子サイズを有するものである。このような形態
であると、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ以上を保ちつつ、適
度な粒界相量を具備していることから脱粒が起き難く、
仮に脱粒が起きたとしても最大径５μｍ以上の脱粒痕は
少なくて済むことになる。

【００２５】窒化アルミニウム基板の表面に存在する最
大径５μｍ以上の脱粒痕は、単位面積５０μｍ×５０μ
ｍ中に５個以下であることが好ましい。ここで、脱粒痕
の数およびその大きさはＳＥＭ等の拡大写真によって判
断することができる。

【００２６】バイアホールの大きさ、その数およびその
配置場所は、本発明による窒化アルミニウム基板の具体
的用途、目的等に応じて適宜決定することができる。バ
イアホールの直径は好ましくは０．１〜０．７ｍｍであ
る。バイアホールの直径が０．１ｍｍ未満であってもよ
いが、０，１ｍｍ未満の場合、前述の同時焼成法を用い
ると焼成時の窒化アルミニウム成形体の収縮によりバイ
アホールの形状が維持しない等の導通不良の原因になり
易い。一方、０．７ｍｍを超えてもよいが導通の信頼性
としてそれ以上の効果が得られない。特に、後述するよ
うに窒化アルミニウム基板の板厚が薄いときに大きなバ
イアホールを形成すると基板の強度低下の原因になる。

【００２７】また、窒化アルミニウム基板の厚さも、窒
化アルミニウム基板の具体的用途、目的等に応じて適宜
決定することができる。好ましくは０．１〜１ｍｍであ
り、さらに好ましくは０．２〜０．７ｍｍである。基板
の厚さが０．１ｍｍ未満であると基板の強度が弱くな
る。特に本発明の窒化アルミニウム基板はバイアホール
を具備していることからバイアホール周辺は強度が低下
し易いため、あまり基板厚さが薄いのは好ましいとは言
えない。一方、基板厚さが１ｍｍを超えてもよいが、基
板が厚いとバイアホールを設けワイヤボンディングレス
（ワイヤボンディングを行わない）とすることによる省
スペース化の効果が十分ではなくなるので、必ずしも好
ましいとは言えない。

【００２８】このような本発明による窒化アルミニウム
基板には、従来の窒化アルミニウムと同様に、基板の片
面あるいは両面に導電性金属薄膜層を形成することがで
きる。

【００２９】本発明による窒化アルミニウム基板は、前
記の通りに、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板にお
ける直線距離５０μｍの直線上に１５〜３０個存在し、
窒化アルミニウム結晶の脱落が少ないことにより、バイ
アホール導電部と基板上の導電性金属薄膜層との接合が
良好であるので、前記のバイアホール導電部と導電性金
属薄膜層との電気的接続信頼性を高いレベルで実現する
ことができる。導電性金属薄膜の好ましい具体例として
は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム
（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等を例示することができ、これら
導電性金属薄膜を積層構造とすることも可能である。こ
の薄膜の厚さは任意であるが、好ましくは３〜７０ｎｍ
（３０〜７００オングストローム）である。また、導電
性金属薄膜の積層構造の一例としては、窒化アルミニウ
ム基板側からチタン５〜１０ｎｍ／ニッケル１０〜２０
ｎｍ／金２０〜５０ｎｍやチタン５〜１０ｎｍ／パラジ
ウム１０〜２０ｎｍ／金２０〜５０ｎｍ等が挙げられ
る。

【００３０】また、この薄膜の形成方法も、任意であ
り、例えばスパッタリング法、蒸着法等を例示すること
ができる。この薄膜は、窒化アルミニウム基板の片面ま
たは両面に形成することもできるし、窒化アルミニウム
基板の表面の一部に連続または独立したパターンで形成
させ窒化アルミニウム基板表面に電気回路を形成させる
こともできる。

【００３１】上記の本発明による窒化アルミニウム基板
および薄膜付き窒化アルミニウム基板は、その優れた電
気的特性および機械的特性を利用して種々の用途に適応
可能なものである。このような本発明による窒化アルミ
ニウム基板および薄膜付き窒化アルミニウム基板は、好
ましくはレーザー発光素子用サブマウント材に利用する
ことができる。

【００３２】

【実施例】＜実施例１〜４、比較例１〜２＞平均粒径
０．８μｍ以下の窒化アルミニウム粉末を９４〜９８重
量％、平均粒径０．９μｍ以下の酸化イットリウム粉末
を２〜６重量％を混合した混合粉末に、有機バインダー
加え、この混合物をドクターブレード法によりシート成
形して、窒化アルミニウムグリーンシートを得た。

【００３３】一方、高融点金属ペーストとして、平均粒
径１μｍ以下のタングステン粉末９５質量％と平均粒径
０．８μｍ以下の窒化アルミニウム粉末５質量％混合
し、有機バインダーを加えて高融点金属ペーストを調整
した。

【００３４】次に、前記窒化アルミニウムグリーンシー
トに直径約０．２５ｍｍのバイアホールを打抜き加工に
より形成し、その後、前記高融点金属ペーストを充填し
た。

【００３５】このグリーンシートを窒素雰囲気中６００
〜８００℃で脱脂した後、圧力約０．５ＭＰａの窒素雰
囲気中１７００〜１８５０℃×２〜６時間の焼成を行っ
た後、表面粗さＲａが０．０４μｍになるように研磨加
工を施して、表１に示した窒化アルミニウム結晶粒子数
を具備する窒化アルミニウム焼結体（バイアホールを具
備する窒化アルミニウム基板）を得た。

【００３６】この窒化アルミニウム焼結体に対して、レ
ーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。なお、
これらの各窒化アルミニウム基板は、縦２０ｍｍ×横２
０ｍｍ×厚さ０．６３５ｍｍのサイズのものであり、焼
成後、直径約０．２ｍｍのバイアホールが縦１０個×横
１０個の合計１００個を均等に配置されたものである。

【００３７】比較のために、窒化アルミニウム結晶粒子
数が少ないものを比較例１、結晶粒子数が多いものを比
較例２として同様の測定を行った。

【００３８】なお、直線距離５０μｍ中の窒化アルミニ
ウム結晶粒子の数の測定は単位面積５０μｍ×５０μｍ
を焼結体の表面２ヶ所、断面２ヶ所の合計４ヶ所を測定
しその上限下限を示した。

【００３９】

【表１】表１から分かる通り、本実施例にかかる窒化アルミニウ
ム基板は熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、かつ
表面研磨を施した際の脱粒痕が少ないことが分かる。

【００４０】＜実施例５〜９＞基板の厚さ、表面粗さ
（Ｒａ）を表２の通りに変えた窒化アルミニウムを用意
し、実施例１と同様の測定を行った。

【００４１】なお、いずれの基板も直線距離５０μｍ中
の窒化アルミニウム結晶粒子の数（個）は１５〜３０
個、熱伝導率１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものを用意した。

【００４２】

【表２】表２から分かる通り、本実施例にかかる窒化アルミニウ
ム基板は基板の厚さや表面粗さを変えても有効なもので
ある。

【００４３】＜実施例１０〜１２＞バイアホールの径、
数を表３のように変えたものを用意した。各窒化アルミ
ニウムに対し、同様の調査を行った。なお、いずれの基
板も直線距離５０μｍ中の窒化アルミニウム結晶粒子の
数（個）は１５〜３０個、熱伝導率１８０Ｗ／ｍ・Ｋ以
上のものを用意した。

【００４４】

【表３】表３から分かる通り、本実施例にかかる窒化アルミニウ
ム基板はバイアホールの径を変えても有効である。

【００４５】＜実施例１３〜２４、比較例３〜４＞実施
例１〜１２、比較例１〜２の窒化アルミニウム基板上
に、表４に示した金属薄膜を形成することにより薄膜付
き窒化アルミニウム基板を作製した。なお、各金属薄膜
はスパッタリング法により、すべてのバイアホールを覆
うように基板の裏表面に形成したベタ膜とした。

【００４６】各薄膜付き窒化アルミニウム基板に対し、
加熱サイクル特性試験、金属薄膜の接合強度試験、バイ
アホールの導通試験を行った。

【００４７】接合強度は、薄膜付き窒化アルミニウム基
板をエポキシ系接着剤により支持台に固定した後、金属
薄膜を覆うようにテープを張りつけテープを剥がした際
に、窒化アルミニウム基板における１００個のバイアホ
ールのうち金属薄膜の剥がれによりバイアホールがオー
プンしなかったバイアホールの数によって評価するテー
プテストにより実施した。表中においては（オープンに
ならなかったバイアホールの数／全バイアホールの数）
で示した。なお、テープテストとはスコッチテープ（３
Ｍ社製；商標）を用いたスコッチテープ法のことであ
る。

【００４８】加熱サイクル特性試験は、ホットプレート
上で３８０℃×１０分加熱した際の金属薄膜のフクレの
有無を確認することにより対応した。また、バイアホー
ルの導通性試験として、各薄膜付き窒化アルミニウム基
板を切断することにより、例えばレーザー発光素子用の
サブマウント材として使用可能なバイアホールを１個具
備する薄膜付き窒化アルミニウム基板を各１００個作製
する。その後、前述の加熱サイクル特性試験と同様に３
８０℃×１０分加熱した後のバイアホールの導通の有無
を測定することにより、バイアホールの導通の信頼性を
確認した。なお、表中では（導通したもの／全測定数）
で表示した。

【００４９】

【表４】表４から分かる通り、本実施例にかかる薄膜付き窒化ア
ルミニウム基板は金属薄膜およびバイアホールの信頼性
が優れていると言える。

【００５０】

【発明の効果】本発明による窒化アルミニウム基板およ
び薄膜付き基板は、結晶組織を制御することによって窒
化アルミニウム結晶の脱粒が著しく低減されたものであ
る。従って、バイアホール導電部と薄膜との接続信頼性
が良好であるところから、各種の用途、好ましくはレー
ザー発光素子用サブマウント材に利用することができる
ものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による薄膜付き窒化アルミニウム基板の
好ましい一具体例を示す断面図

【符号の説明】

１窒化アルミニウム焼結体２タングステンまたはモリブデンを主成分とする焼結
体からからなる導電部を具備するバイアホール３導電性薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者白井隆雄神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内Ｆターム(参考） 4G001 BA09 BA36 BA61 BB09 BB36 BB61 BC13 BC22 BC33 BC72 BC73 BD03 BD38 BE31 BE32 BE35 5F073 BA05 EA29 FA15

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バイアホールを有する窒化アルミニウム基
板であって、このバイアホールにはタングステンまたは
モリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒
化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離５
０μｍの直線上に１５〜３０個存在することを特徴とす
る、窒化アルミニウム基板。
【請求項２】窒化アルミニウム基板が熱伝導率が１８０
Ｗ／ｍＫ以上のものである、請求項１記載の窒化アルミ
ニウム基板。
【請求項３】窒化アルミニウム基板が表面粗さ（Ｒａ）
０．５μｍ以下のものである、請求項１または２記載の
窒化アルミニウム基板。
【請求項４】窒化アルミニウム基板が、その表面に存在
する最大径５μｍ以上の脱粒痕の数が単位面積５０μｍ
×５０μｍ中に５個以下のものである、請求項１ないし
３のいずれか１項に記載の窒化アルミニウム基板。
【請求項５】同時焼成法により作製されたものである、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の窒化アルミニ
ウム基板。
【請求項６】窒化アルミニウム基板の厚さが０．１〜１
ｍｍのものである、請求項１ないし５のいずれか１項に
記載の窒化アルミニウム基板。
【請求項７】バイアホールの径が０．０５〜０．７ｍｍ
のものである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載
の窒化アルミニウム基板。
【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化
アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形
成されてなることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニ
ウム基板。
【請求項９】請求項８に記載の薄膜付き窒化アルミニウ
ム基板からなることを特徴とする、レーザー発光素子用
サブマウント材。