JP4051164B2

JP4051164B2 - 窒化珪素質回路基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP4051164B2
Application number: JP30965299A
Authority: JP
Inventors: 智英長谷川; 晃久牧野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-10-29
Filing date: 1999-10-29
Publication date: 2008-02-20
Anticipated expiration: 2019-10-29
Also published as: JP2001127388A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種配線基板や半導体素子収納用パッケージ等に適用される窒化珪素質回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体装置から発生する熱も増加しており、該半導体装置の誤動作をなくす為には、このような熱を装置外に速やかに放出する基板が必要となっている。しかしながら、従来から絶縁基板材料として用いられてきたアルミナ質焼結体は、熱伝導率が約２０Ｗ／ｍ・Ｋと低いことからそれに代わるものとして高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム質焼結体が注目され始めた。しかし、窒化アルミニウム質焼結体は、強度や破壊靭性値が低く高応力のかかる部品や高信頼性の要求される分野には適用できないことが分かってきている。
【０００３】
そこで、高熱伝導率と高強度、高信頼性の要求に応える材料として、最近、窒化珪素質焼結体が絶縁基板材料として注目されてきている。最近では、高温焼成によって、窒化珪素質焼結体の高純度化および粒界の結晶化などによって１２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上という窒化アルミニウム並みの高熱伝導性の窒化珪素質焼結体も、特開平８−３１９１８７号、特開平９−３０８６６号などに提案されている。
【０００４】
この窒化珪素質焼結体を絶縁基板とする回路基板としては、窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面に銅箔などを活性金属法によって張りつけた後、エッチング処理することより表面に回路形成する方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の高熱伝導性窒化珪素質焼結体の場合、高熱伝導化を図る上で、１８００℃以上の高温で焼成されるが、その場合、窒化珪素結晶粒子は粒成長し表面は窒化珪素の柱状の結晶がランダムに配列した表面組織から形成される。このような表面組織は、配線回路層を金属箔などを活性金属によって接合する上では接合強度を高めることができる点で有利である。
【０００６】
しかしながら、金属箔または金属板からなる配線回路層の表面に、半田などのロウ材によって半導体素子を実装したりする場合、ロウ材との濡れ性が悪く、充分な接合強度が得られない。そこで、このようなロウ材と濡れ性を改善するために、配線回路層の表面にＮｉなどの無電解メッキ層を形成することが行なわれている。
【０００７】
ところが、このような窒化珪素質回路基板における配線回路層の表面に無電解メッキ層を形成する場合、メッキ前に配線回路層に対して、活性パラジウムを塗布し洗浄するが、その際に、活性パラジウムが配線回路層の表面のみならず、窒化珪素質焼結体の表面の柱状の結晶がランダムに配列した表面組織内にパラジウムがトラップされてしまい、その結果、その後の無電解メッキ時に、配線回路層の表面のみならず、配線回路層間の基板表面にまでメッキされてしまい、メッキ付着による外観不良、さらには配線回路層間でショートするといった不具合が発生するという問題があった。
【０００８】
従って、本発明は、金属箔または金属板からなる配線回路層の表面に無電界メッキ層を形成した場合においても、配線回路層間の窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板表面にメッキの付着やショート等が発生することがない高信頼性の窒化珪素質回路基板とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題に対して鋭意検討を重ねた結果、窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面を研磨して、所定の表面粗さに制御することにより、上記の目的が達成できることを見いだし、本発明に至った。
【００１０】
即ち、本発明の窒化珪素質回路基板は、窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面に、金属箔または金属板からなる配線回路層を活性金属を含有する接着層によって被着形成するとともに、前記配線回路層のパラジウムが付着した表面に無電解メッキ層を被着形成してなるものであって、前記絶縁基板表面における少なくとも隣接する前記配線回路層間の絶縁基板表面の表面粗さＲｍａｘが１〜３μｍであり、且つ前記絶縁基板の厚みが０．３〜０．７ｍｍであることを特徴とするものである。
【００１１】
また、かかる回路基板においては、前記金属箔または金属板からなる配線回路層を前記絶縁基板表面に活性金属を用いて接合形成することによって配線回路層の絶縁基板への密着強度を高めることができる。
【００１２】
また、前記窒化珪素質焼結体の鏡面における窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比を５以下とすることによって、絶縁基板表面の窒化珪素結晶の自形によって表面の荒れを抑制し、表面粗さを前記の範囲に容易に制御することができる。
【００１３】
特に、アスペクト比を上記の範囲に制御する上で、前記窒化珪素質焼結体が、焼結助剤として希土類元素酸化物およびアルカリ土類元素酸化物を合計で３〜３０モル％の割合で含有することが望ましい。
【００１４】
また、本発明の窒化珪素質回路基板の製造方法によれば、（ａ）窒化珪素質焼結体からなる厚みが０．３〜０．７ｍｍの絶縁基板を作製する工程と、（ｂ）前記絶縁基板全面を表面粗さＲｍａｘが１〜３μｍとなるように処理を施す工程と、（ｃ）前記絶縁基板の表面の所定箇所に活性金属ロウを塗布する工程と、（ｄ）前記活性金属ロウ材を塗布した部分に金属箔または金属板を接合する工程と、（ｅ）前記金属箔または金属板の所定箇所をエッチング除去して所定の配線回路層を形成する工程と、（ｆ）前記配線回路層を含む絶縁基板全面にパラジウムを含む活性液を塗布した後、洗浄する工程と、（ｇ）前記配線回路層の表面に無電解メッキを施す工程と、を具備することを特徴とするものである。特に、前記窒化珪素質焼結体は、焼結助剤として希土類元素酸化物およびアルカリ土類元素酸化物を合計で３〜３０モル％の割合で添加してなる成形体を１８００℃以下の低温で焼成することによって窒化珪素結晶の粒成長を抑制することができる。
【００１５】
本発明によれば、少なくとも配線回路層間の絶縁基板の表面粗さＲｍａｘを１．０〜３．０μｍ、厚みを０．３〜０．７ｍｍに制御することにより、金属箔、金属板等の配線回路層の絶縁基板への密着強度を高めることができるとともに、表面に無電解メッキを施した場合においても基板表面への活性液の残留によるメッキ付着を防止でき配線間のショートによる不良をなくすことができ、且つ熱抵抗の低い回路基板を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の窒化珪素質回路基板について詳細に述べる。本発明における窒化珪素質回路基板１によれば、図１の概略断面図に示されるように、窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板２の表面に金属箔または金属板からなる配線回路層３が活性金属を含有する接着層４によって接合されている。また、この配線回路層３の表面には、無電解メッキ層５が被着形成されている。
【００１７】
本発明によれば、かかる絶縁基板における少なくとも隣接する配線回路層３、３間の絶縁基板１表面の表面粗さＲｍａｘが１〜３μｍであることが重要である。即ち、表面粗さが３μｍよりも大きいと、無電解メッキ処理を施した場合に、活性液が基板１表面の窒化珪素結晶粒子間にトラップされてメッキが付着してしまい、配線回路層３間の絶縁抵抗が低下したり、場合によっては、ショートするなどの問題が発生する。また、表面粗さが１μｍよりも小さいと、活性金属を含有する接着層４による配線回路３の接着強度が低下してしまう。
【００１８】
本発明における絶縁基板を構成する窒化珪素質焼結体は、β−窒化珪素相を主体とするものであり、この焼結体中における窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比が５以下であることが望ましい。これは、上記基板表面の表面粗さを１〜３μｍとするにあたり、平均アスペクト比が５よりも大きいと、焼き上げ時の表面粗さが大きく、研磨などの処理に長時間を要したり、研磨量を大きくする必要があるためである。
【００１９】
このように平均アスペクト比を上記の範囲に設定するには、１８００℃以下の低温で焼成可能であることが必要である。かかる観点から焼結体中には、焼結助剤成分として希土類元素、及びアルカリ土類元素を含有することが望ましく、特に希土類元素の酸化物換算量およびアルカリ土類元素の酸化物換算量の合計量が３〜３０モル％、特に５〜２０モル％であることが望ましい。
【００２０】
希土類元素としてはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの何れの元素でも好適に用いることができるが、これらの中でもＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ、とりわけＹ、Ｅｒが特性およびコストの面で望ましい。
【００２１】
またアルカリ土類元素としては、Ｍｇ，Ｓｒ，Ｃａなどが挙げられがとりわけＭｇが最も望ましい。
【００２２】
また、希土類元素の酸化物換算量（ＲＥ₂Ｏ₃）とアルカリ土類元素の酸化物換算量（ＲＯ）とはモル比（ＲＥ₂Ｏ₃／ＲＯ）が０．１〜１５、特に０．５〜１３の範囲となるように制御することが望ましい。
【００２３】
これは、前記合量が３モル％より少量では焼結性が不足し、３０モル％を越えると、焼結体中での窒化珪素の占める割合が少なくなり熱伝導率が低下するためである。また、前記ＲＥ₂Ｏ₃／ＲＯのモル比率が１５を越えたり、０．１より小さいと１８００℃以下の温度での緻密化は不十分となり熱伝導率は低下する。
【００２４】
また、他の成分としてＡｌ₂Ｏ₃等のＡｌ化合物の配合は焼結性の向上に寄与するが、窒化珪素結晶中に固溶してフォノンの拡散を阻害する結果、焼結体の熱伝導率が著しく低下するため、高熱伝導率化の為には存在しないことが最も望ましく、酸化物換算で１．０モル％以下、望ましくは０．５モル％以下、より望ましくは０．１モル％以下、更には０．０５モル％以下にすることが望ましい。
【００２５】
なおこの焼結体中には着色成分としてＴｉ，Ｖ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏなど周期律表第４ａ、５ａ、６ａ属金属のうち少なくとも１種を酸化物換算で０．０５〜１重量％の割合で含んでいてもよい。
【００２６】
また、本発明における窒化珪素質焼結体は、相対密度が９０％以上、特に９５％以上、さらには９７％以上であることが高熱伝導化及び高強度を図る上で重要であり、相対密度が９０％よりも低いと５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導化は困難となるとともに、強度も極端に劣化する。
【００２７】
また、本発明によれば、焼結体の切断面における窒化珪素結晶粒子の平均長軸径が０．５〜３．０μｍ、望ましくは０．５〜２．０μｍであることが望ましい。これは、この長軸径が３．０μｍよりも大きいと、焼結体中の粗大粒子が破壊源となり焼結体の強度を低下させてしまうためである。また、平均長軸径が０．５μｍよりも小さいと熱伝導率が極端に低下してしまう。
【００２８】
本発明における窒化珪素質焼結体を製造するには、窒化珪素粉末に対して、焼結助剤として、希土類元素酸化物、アルカリ土類元素酸化物を用いて成形体組成が、前述したように希土類元素とアルカリ土類元素は酸化物換算による合量で３〜３０モル％、特に５〜２０モル％であり、希土類元素とアルカリ土類元素の酸化物換算のモル比（ＲＥ₂Ｏ₃／ＲＯ）が０．１〜１５、特に０．５〜１３の範囲となるように含有され、また、Ａｌ量が酸化物換算で１．０モル％以下、特に０．５モル％以下、より望ましくは０．１モル％以下、更には０．０５モル％以下に調製する。
【００２９】
用いる窒化珪素原料としては不純物酸素量が０．５〜３．０重量％のものが好ましい。これは不純物酸素量が３．０重量％よりも多いと焼結体表面が荒れ強度劣化を招く恐れがあり、０．５重量％より少ないと焼結性が悪くなるためである。また平均粒径は０．１〜１．５μｍであり、α率が９０％以上、特に９５％以上であることが焼結性を高める上で望ましい。なお、焼結助剤となる希土類元素およびＭｇは、いずれも平均粒径が１μｍ以下、純度９９％以上の酸化物粉末の他に、炭酸塩、酢酸塩など焼成によって酸化物を形成しうる化合物として添加される。
【００３０】
上記のように配合された窒化珪素粉末および焼結助剤粉末からなる混合粉末に対して有機バインダーと溶媒とを添加して調製した成形用原料を用いて、例えばプレス成形法や、ＣＩＰ成形法、ドクターブレード法などのテープ成形法、押し出し成形法、射出成形法等の公知の成形方法でシート状の成形体を得ることができる。このシート状の基板状成形体は、単層でもよいし、薄肉のシート状成形体を積層したものであってもよい。
【００３１】
この時、成形体の相対密度が４８〜５６％であることが、最終焼結体における相対密度および窒化珪素結晶の長軸径を０．５〜３μｍの範囲に制御する上で望ましい。この成形体の密度は、成形圧力などによって容易に制御することができる。
【００３２】
次に、上記のようにして得られた成形体を弱酸化性雰囲気中で脱バインダー処理してから、窒素を含有する非酸化性雰囲気中、１５００〜１８００℃、特に１６００〜１７５０℃の温度で焼成して相対密度９０％以上の焼結体を作製することができる。
【００３３】
このようにして作製される絶縁基板はその厚みが０．３〜０．７ｍｍ、特に０．４〜０．６ｍｍであることが重要である。これは厚みが０．３ｍｍより薄いと、基板の耐電圧が低下し、また、絶縁基板としての強度が不十分となり、回路基板製造時、または回路基板を過酷な環境下で使用した場合に、配線回路層との熱膨張差などに起因する熱応力によってクラック等が発生しやすくなるためである。また、厚みが０．７ｍｍよりも厚いと絶縁基板の熱抵抗が大きくなり基板による放熱性が低下してしまう。
【００３４】
上記の絶縁基板を用いて本発明の窒化珪素質回路基板を作製するには、上記のようにして得られた厚さ０．３〜０．７ｍｍの絶縁基板に、バレル研磨、ラップ研磨、ケミカルエッチングなどによって、表面粗さＲｍａｘを１．０〜３．０μｍに制御する。この際、焼結体の窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比が５よりも大きいと、バレル研磨ではＲｍａｘを１．０〜３．０μｍに調整することは難しく、ラップ研磨などによらざるえないが、このラップ研磨は研削量が大きく加工時間も長くなる。これに対して、平均アスペクト比が５以下の場合には、バレル研磨によって少ない研削量で短時間で容易に形成することができる。
【００３５】
次に、この絶縁基板の所定箇所にＣｕ−Ａｇ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ａｕ−Ｔｉなどの活性金属（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）を含有するロウ材のペーストを厚さ１０〜２０μｍの厚みで塗布する。
【００３６】
そして、このロウ材の表面に厚さ０．１ｍｍ以上の金属箔あるいは金属板を積層し、８００〜９００℃で加圧しながら接合処理を行なう。金属板の接合強度を十分に持たすためには絶縁基板の接合表面の表面粗さＲｍａｘは１．５〜２．５μｍが望ましい。焼き付け後、金属箔や金属板にレジスト塗布、露光、現像、エッチング処理、レジスト剥離などの手法によって、所定の回路パターンからなる配線回路層を形成する。
【００３７】
そして、配線回路層を含む基板全面に活性パラジウムなどの活性液を塗布した後、この基板を洗浄する。この洗浄によってパラジウムなどの金属成分は、配線回路層の表面に付着し、本発明によれば、基板表面の表面粗さが３μｍ以下に調製されているために、絶縁基板の表面に付着することがない。
【００３８】
そして、この基板を無電解メッキ液中に所定時間浸漬し引き上げ後、洗浄することにより配線回路層の表面に所定の金属メッキ層を形成することができる。
【００３９】
このように、金属メッキ層が形成された配線回路層の表面にパワー素子を搭載するには、配線回路層に半田ペーストを塗布した後、自動実装装置にて実装し、３００〜４００℃で加熱してロウ付けする。
【００４０】
さらに、この回路基板の裏面に、金属箔や金属板などのヒートシンクなどの放熱板を取り付けることができる。この場合も配線回路層と同様に活性金属を含有するロウ材のペーストを塗布し、厚さ０．１ｍｍ以上の金属箔あるいは金属板を積層し、８００〜９００℃で加圧しながら焼き付けを行うことにより取り付けられる。
【００４１】
さらに、放熱板を取り付けた配線基板をヒートシンクなどに実装する場合には、Ｐｂ−Ｓｎ共晶半田などの半田ペーストを塗布し、３００〜４００℃でロウ付けすればよい。
【００４２】
また、本発明の回路基板においては、配線回路層３は、Ｃｕ、ＡｌおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも１種の低抵抗金属からなる金属箔、あるいは金属板から形成され、厚さが０．１ｍｍ以上、特に０．２ｍｍ以上であることが望ましい。
【００４３】
【実施例】
実施例１
１μｍ以下の粒子が粒度分布にて累積で６０〜８０％であり平均粒子径が０．４〜０．７μｍ、且つ累積９０％が２〜５μｍであり、酸素量が１．０ｗｔ％、α率９３％の直接窒化法により製造された窒化珪素原料粉末にＥｒ₂Ｏ₃を５モル％，ＭｇＯを１０モル％添加混合し、その混合粉末に対してアクリル樹脂バインダーとトルエンを溶媒として添加し、混練後、ドクターブレード法により０．０３〜０．４ｍｍ厚みのグリーンシートを成形し、適宜積層、切断して、焼成後の大きさが１５ｍｍ×５０ｍｍの基板成形体、および直径１２ｍｍ、厚さ５ｍｍとなるような円板状の成形体を作製した。
【００４４】
かくして得られた成形体を弱酸化性雰囲気中、所定温度で脱バインダーした後、常圧窒素雰囲気中１７２０℃の温度で１〜２４時間焼成して窒化珪素質基板及び焼結体を作製し、評価用の試料とした。
【００４５】
前記円板状の評価試料を用いて、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。さらに支点幅３０ｍｍにて基板の室温における３点曲げ強度を測定した。表面粗さは接触式表面粗さ計にて測定した。
【００４６】
また、焼結体の表面を鏡面加工し、フッ酸にてエッチングした後、走査型電子顕微鏡写真を撮影し、任意の直線を引き、その直線と接する結晶粒子を個々にアスペクト比を求めその平均を求めた結果、平均アスペクト比は２であった。
【００４７】
また、基板表面に対して、所定時間湿式バレル処理を施した。バレル処理後の表面粗さＲｍａｘと、バレル処理による研削量を測定した。また、絶縁基板の耐電圧を測定した。
【００４８】
その後、Ｃｕ−Ａｇ−Ｔｉからなる活性金属含有のロウ材を塗布し、厚さ４００μｍの銅板を接合した後、レジスト形成、露光、現像、レジスト除去を行い、配線回路層を形成した。
【００４９】
そして、この配線回路層の表面にパラジウムを含有する活性液を全面に塗布後、水洗によって洗浄し、この基板をＮｉメッキ液中に浸漬し、配線回路層の表面にＮｉメッキ層を１μｍの厚みで形成した。
【００５０】
この配線回路基板の配線回路層の表面に半導体チップを半田からなるロウ材によって実装し、半導体素子を発熱させ熱抵抗を測定した。その結果を表１に示した。
【００５１】
比較として、１３０Ｗ／ｍ・Ｋ、１５０Ｗ／ｍ・ＫのＡｌＮ絶縁基板に前記と同様に活性金属法によってＣｕ板を接合し、Ｎｉメッキ後、半導体素子を半田によって実装し、熱抵抗を測定した。
【００５２】
【表１】

【００５３】
表１に示すとおり、表面粗さが１〜３μｍ、基板厚みが０．３〜０．７ｍｍの本発明の回路基板は、銅板の接合強度が１００ＭＰａ／ｃｍ以上，熱抵抗が１５℃／Ｗ以下であり、配線回路層間にメッキ付着の無い良好なものであった。
【００５４】
しかし、試料番号１では表面粗さＲｍａｘが０．８μｍのため銅板と基板間のアンカー効果が小さくなり銅板の接合強度が低く、また、試料番号５、６は表面が３μｍを越えて粗れているため３点曲げ強度が低く、しかも配線回路層間にメッキの付着が認められた。また試料番号７では基板厚みが０．２５ｍｍと薄いため耐電圧が低く、回路に電流をかけた際に基板が割れて使用不可能であった。試料番号１０では基板厚みが０．８ｍｍと厚いため熱抵抗が高くなり、半導体チップの温度が上がり、使用不可能であった。
【００５５】
実施例２
実施例１において、添加物の添加量を表２のように、種々変更し平均アスペクト比が異なる種々の焼結体を作製した。そして、この焼結体をバレル研磨またはラップ研磨で処理しそのときの研削量と処理後の表面粗さを表２に示した。
【００５６】
そして、実施例１と同様にして、Ｃｕ箔を活性金属法で接合し、Ｎｉメッキを施し、同様の評価を行なった。
【００５７】
【表２】

【００５８】
表２の結果から明らかなように、Ｅｒ₂Ｏ₃＋ＭｇＯが３〜３０モル％、Ｅｒ₂Ｏ₃ ／ＭｇＯ比が０．１〜１５の試料は平均アスペクト比が５以下であり、バレル研磨で１μｍ以下の研削量で表面粗さ３μｍ以下に調整することができた。
【００５９】
【発明の効果】
以上、詳述したとおり、本発明によれば、窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面粗さＲｍａｘを１〜３μｍに制御することにより、金属箔または金属板からなる配線回路層の表面に無電界メッキ層を形成した場合においても、配線回路層間の窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板表面にメッキの付着やショート等が発生することがない高信頼性の窒化珪素質回路基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の窒化珪素質回路基板の構造を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
１窒化珪素質回路基板
２絶縁基板
３配線回路層
４接着層
５無電解メッキ層

Claims

窒化珪素質焼結体からなる絶縁基板の表面に、金属箔または金属板からなる配線回路層が活性金属を含有する接着層によって被着形成されてなるとともに、前記配線回路層のパラジウムが付着した表面に無電解メッキ層を被着形成してなる窒化珪素質回路基板であって、前記絶縁基板表面における少なくとも隣接する前記配線回路層間の絶縁基板表面の表面粗さＲｍａｘが１〜３μｍであり、且つ前記絶縁基板の厚みが０．３〜０．７ｍｍであることを特徴とする窒化珪素質回路基板。
前記窒化珪素質焼結体の鏡面における窒化珪素結晶粒子の平均アスペクト比が５以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化珪素質回路基板。
前記窒化珪素質焼結体が、焼結助剤として希土類元素酸化物およびアルカリ土類元素酸化物を合計で３〜３０モル％の割合で含有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の窒化珪素質回路基板。
（ａ）窒化珪素質焼結体からなる厚みが０．３〜０．７ｍｍの絶縁基板を作製する工程と、（ｂ）前記絶縁基板全面を表面粗さＲｍａｘが１〜３μｍとなるように処理を施す工程と、（ｃ）前記絶縁基板の表面の所定箇所に活性金属ロウを塗布する工程と、（ｄ）前記活性金属ロウ材を塗布した部分に金属箔または金属板を接合する工程と、（ｅ）前記金属箔または金属板の所定箇所をエッチング除去して所定の配線回路層を形成する工程と、（ｆ）前記配線回路層を含む絶縁基板全面にパラジウムを含む活性液を塗布した後、洗浄する工程と、（ｇ）前記配線回路層の表面に無電解メッキを施す工程と、を具備することを特徴とする窒化珪素質回路基板の製造方法。
前記窒化珪素質焼結体が、焼結助剤として希土類元素酸化物およびアルカリ土類元素酸化物を合計で３〜３０モル％の割合で添加してなる成形体を１８００℃以下の温度で焼成してなることを特徴とする請求項４記載の窒化珪素質回路基板の製造方法。