JP7326759B2

JP7326759B2 - ＧａＮ単結晶製造方法

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Description

本発明はＧａＮ単結晶を製造する方法に関する。

サファイア基板上にＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）でＧａＮ結晶を成長させるときに、最初は成長表面にピットが生じる条件を用い、その後、該ピットが閉じる条件に変更したところ、均一性よく低減された転位密度を有するＧａＮ結晶が得られたとの報告がある（特許文献１、特許文献２）。

特開２００６－５２１０２号公報特表２００７－５１９５９１号公報

本発明は、低減された転位密度を有するＧａＮ単結晶を製造するための新規な方法に関する。

本発明者等は、１０^６ｃｍ^－２台前半まで低減された均一な転位密度を有する単結晶ＧａＮ基板の（０００１）表面上に、ピット化されたＧａＮ結晶層を成長させることが、成長温度を十分に下げることにより可能であることを見出し、その知見に基づいて検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。

本発明の実施形態には、下記のＧａＮ単結晶製造方法が含まれる。
［１］ＧａＮ単結晶製造方法であって、該製造方法は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備するシード準備工程と、該単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上にＨＶＰＥでＧａＮ結晶を成長させるＨＶＰＥ工程とを有し、該ＨＶＰＥ工程では、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させる操作が行われることを特徴とする方法。
［２］前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面における転位密度が１０^６ｃｍ^－２台前半である、前記［１］に記載の方法。
［３］前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の酸素濃度が２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である、前記［２］に記載の方法。
［４］前記ピット化層の厚さが１００μｍ以下である、前記［１］～［３］のいずれかに記載の方法。
［５］前記ピット化層の成長温度が９００℃以下である、前記［１］～［４］のいずれかに記載の方法。
［６］前記平坦化層の成長温度が１０００℃以上である、前記［５］に記載の方法。
［７］前記ＨＶＰＥ工程では前記操作が２回以上行われる、前記［１］～［６］のいずれかに記載の方法。
［８］前記ＨＶＰＥ工程で最後に成長される平坦化層の厚さが１ｍｍ以上である、前記［１］～［７］のいずれかに記載の方法。
［９］前記平坦化層を加工してｃ面単結晶ＧａＮ基板を得る工程を有する、前記［１］～［８］のいずれかに記載の方法。
［１０］前記シード準備工程で準備される前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、サファイア基板上に剥離層を介してＧａＮ結晶厚膜をＨＶＰＥで成長させ、次いで該ＧａＮ結晶厚膜を自発的に該ヘテロ基板から剥離させることにより製造される、前記［１］～［９］のいずれかに記載の方法。
［１１］前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、ＨＶＰＥ装置のリアクター内で製造されるとともに、該リアクターから取り出されることなく前記ＨＶＰＥ工程に供される、前記［１０］に記載の方法。
［１２］前記シード準備工程と前記ＨＶＰＥ工程の間で、前記ＨＶＰＥ装置のガリウムボートおよびサセプターの少なくとも一方の温度を７００℃以上に保つ、前記［１１］に記載の方法。

低減された転位密度を有するＧａＮ単結晶を製造するための新規な方法が提供される。

図１は、ＧａＮ単結晶製造方法のフロー図である。図２（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、ＨＶＰＥ工程で形成され得る積層体の断面図である。図３は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板上にＧａＮ結晶層を成長させてなる積層体の断面の蛍光顕微鏡像である。図４は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板上にＧａＮ結晶層を成長させてなる積層体の断面の蛍光顕微鏡像である。

本明細書にいうＧａＮ結晶は、特に断らない限り、ウルツ鉱型の結晶構造を有する六方晶ＧａＮ結晶を意味する。
ＧａＮ結晶では、［０００１］および［０００－１］に平行な結晶軸がｃ軸、＜１０－１０＞に平行な結晶軸がｍ軸、＜１１－２０＞に平行な結晶軸がａ軸と呼ばれる。ｃ軸に直交する結晶面はｃ面（c-plane）、ｍ軸に直交する結晶面はｍ面（m-plane）、ａ軸に直交する結晶面はａ面（a-plane）と呼ばれる。
以下において、結晶軸、結晶面、結晶方位等に言及する場合には、特に断らない限り、ＧａＮ結晶の結晶軸、結晶面、結晶方位等を意味する。
六方晶のミラー指数（ｈｋｉｌ）は、ｈ＋ｋ＝－ｉの関係があることから、（ｈｋｌ）と３桁で表記されることもある。例えば、（０００４）を３桁で表記すると（００４）である。
特に断らない限り、本明細書にいう転位は貫通転位（threading dislocation）を意味する。本明細書では、螺旋転位、混合転位および刃状転位を区別せず、総称して貫通転位と呼ぶ。
以下、適宜図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

１．ＧａＮ単結晶製造方法
本発明の実施形態に係るＧａＮ単結晶製造方法では、図１にフロー図を示すように、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備するシード準備工程Ｐ１と、該シード準備工程Ｐ１で準備した単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上に、ＨＶＰＥでＧａＮ結晶を成長させるＨＶＰＥ工程Ｐ２が、この順に実行される。
ＨＶＰＥ工程Ｐ２は、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させることを含む。
各工程について以下に詳述する。

１．１．シード準備工程
シード準備工程Ｐ１で準備される単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、後に続くＨＶＰＥ工程Ｐ２でＧａＮ結晶層を成長させるときにシードとしての役割を果たす。
単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、ＧａＮ単結晶のみからなる自立したウエハであって、（０００１）結晶面と平行または（０００１）結晶面から僅かにオフカットされた大面積表面を有し、この大面積表面を（０００１）表面と呼ぶ。オフカットは、好ましくは２．５°以下、より好ましくは１．５°以下である。

シード準備工程Ｐ１で準備すべき単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、インバージョン・ドメイン（結晶の極性が局所的に反転した微小ドメイン）を有さない。
シード準備工程Ｐ１で準備すべき単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、転位密度の均一性が良好であり、好適例では、（０００１）表面において転位密度が最も低い場所と最も高い場所の間の転位密度差が４倍以下である。ここでいう転位密度は、観察面積を１００μｍ×１００μｍとして測定される転位密度をいう。
この好適例の単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、周囲の領域に比べ突出して高い転位密度を有する局所領域を例外的に有し得るが、かかる例外的領域の密度は１領域／ｃｍ^２未満であり、その総面積は（０００１）表面の面積の０．１％未満である。

この好適例のように転位密度の均一性が良好な単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、通常２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の酸素濃度を有する。多数の転位集中領域またはインバージョンドメインの形成を必然的に伴うファセット成長法で製造されるＧａＮ結晶は、このような低い酸素濃度を有し得ない。
シード準備工程Ｐ１で準備すべき単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面における転位密度は、例えば１０^６ｃｍ^－２台前半である。実施形態に係るＧａＮ単結晶製造方法の特徴のひとつは、かかる転位密度を有するＧａＮ基板の上に、より低減された転位密度を有するＧａＮ単結晶を成長させ得ることである。

単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面に存在する転位は、カソードルミネセンス像において暗点として観察される。キャリア濃度が低過ぎてカソードルミネセンス像の暗点を数えるのが困難なときは、エッチピットを数える方法により転位密度を求めればよい。２７０℃に加熱した濃度８９％の硫酸で１時間エッチングしたとき、単結晶（０００１）ＧａＮ基板の（０００１）表面には転位に対応するエッチピットが形成される。

シード準備工程Ｐ１では、ヘテロ基板上に剥離層を介してＧａＮ結晶厚膜をＨＶＰＥで成長させ、次いで、該ＧａＮ結晶厚膜を該ヘテロ基板から剥離させる方法により、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を製造してもよい。
ヘテロ基板とは、ＧａＮとは組成の異なる化合物からなる単結晶基板であり、例えばサファイア基板である。

好ましい剥離層は、サファイア基板上にＭＯＶＰＥで低温バッファ層を介して厚さ数百ｎｍのＧａＮ層を成長させ、更に、その上に真空蒸着で厚さ数十ｎｍのＴｉ（チタン）層を形成した後、８０％のＨ_２（水素ガス）と２０％のＮＨ_３（アンモニア）の混合ガス中、例えば１０６０℃で３０分間アニールすることにより形成される。
かかる剥離層の上にＨＶＰＥでＧａＮ結晶厚膜を成長させ、その後、該ＧａＮ結晶厚膜をサファイア基板から自発的に剥離させる単結晶ＧａＮ基板の製造方法は、ＶＡＳ（Void-Assisted Separation）法として知られている［Y. Oshima, et al., Japanese Journal of Applied Physics 42 (2003) pp. L1-L3］。
好ましい一例において、単結晶ＧａＮ（０００１）基板は、後のＨＶＰＥ工程Ｐ２で使用されるＨＶＰＥ装置のリアクター内で、上記のＶＡＳ法により製造された後、該リアクターから取り出されることなくＨＶＰＥ工程Ｐ２に供される。

ＶＡＳ法では、ＧａＮ結晶の成長温度が１０５０℃のとき、成長後の冷却過程で熱応力による剥離が起こる温度は９５０℃以上と推定されている[T. Yoshida,et al., Journal of Crystal Growth 310 (2008) pp. 5-7]。従って、一例では、ＧａＮ結晶厚膜の成長後、ＨＶＰＥ装置が備えるガリウムボートやサセプターの温度を７００℃以上、好ましくは７５０℃以上、より好ましくは８００℃以上、特に好ましくは８５０℃以上に保ったまま、ＨＶＰＥ装置のリアクター内で該ＧａＮ結晶厚膜をサファイア基板から剥離させて自立した単結晶ＧａＮ（０００１）基板とし、次のＨＶＰＥ工程に進むことができる。そうすれば工程間でＨＶＰＥ装置の温度を大きく変える必要がないので、製造効率が良好となる。
他の一例では、リアクター内でＧａＮ結晶厚膜をサファイア基板から確実に剥離させるために、ＨＶＰＥ工程に移る前にサセプターの温度を該ＧａＮ結晶厚膜の成長温度から４００℃以上、５００℃以上または６００℃以上低下させてもよい。

１．２．ＨＶＰＥ工程
ＨＶＰＥ工程Ｐ２では、シード準備工程Ｐ１で準備された単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上に、ＨＶＰＥ法でＧａＮ結晶が成長される。
ＨＶＰＥ工程Ｐ２では、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させる操作が１回以上行われる。この操作は２回以上繰り返すことができる。
図２（ａ）～（ｃ）は、それぞれ、ＨＶＰＥ工程Ｐ２において形成され得る積層体を表す断面図である。各積層体は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板１と、その（０００１）表面上に成長したＧａＮ結晶２とからなっている。

図２（ａ）の例では、ＧａＮ結晶２が、単結晶ＧａＮ（０００１）基板１の直上に成長したピット化層２２と、ピット化層２２の上に積層された平坦化層２４とからなっている。
図２（ｂ）の例では、ＧａＮ結晶２が、単結晶ＧａＮ（０００１）基板１の直上に平坦に成長した下地層２１と、下地層２１の上に積層されたピット化層２２と、ピット化層２２の上に積層された平坦化層２４とからなっている。
図２（ｃ）の例では、ピット化層２２を成長させ、その上に平坦化層２４を成長させる操作を２回繰り返すことにより、ＧａＮ結晶２が形成されている。

ピット化層の成長中は、転位がピットに向かって集まること、また、ピット同士が合体するときに転位の伝搬方向が曲げられることから、転位の対消滅が起こる確率が高くなる。従って、ＧａＮ結晶の転位密度は、ピット化層の上に積層される平坦化層において、ピット化層の下側よりも低くなる。
ピット化層の厚さは、通常１０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上である。驚くべきことに、１００μｍ以下の厚さしか持たないピット化層の形成によって、十分に効果的な転位密度の低減が生じる。

ピット化したＧａＮ層を成長させることは、単結晶成長が困難とならない範囲で、成長温度を十分に下げることにより可能であり、ＳＡＧ（Selective Area Growth）技法を必要としない。すなわち、シード準備工程Ｐ１で準備する単結晶ＧａＮ（０００１）基板上に選択成長マスクを設けたり、パターンエッチングによる凹凸加工を施したりする必要はない。

本発明者等による実験によれば、Ｖ／ＩＩＩ比が約５、キャリアガスのＦ値が約０．４、成長温度が約９００℃というＨＶＰＥ条件を用いたとき、１０^６ｃｍ^－２台前半の均一な転位密度を有する単結晶ＧａＮ（０００１）基板の、ＣＭＰ仕上げされた平坦な（０００１）表面上に成長させたＧａＮ結晶層の表面はピット化した。
一方、同じシード基板、同じＶ／ＩＩＩ比、同じキャリアガスのＦ値を用いたときに、温度９５０℃以上で成長したＧａＮ結晶層の表面はピット化せず平坦であった。
ここで、Ｖ／ＩＩＩ比とは原料として供給されるＮＨ_３（アンモニア）とＧａＣｌ（塩化ガリウム）のモル比のことであり、キャリアガスのＦ値とはリアクター内に導入されるキャリアガスに占めるＨ_２（水素ガス）のモル比である。

ピット化層の上に平坦化層を成長させるには、成長条件を変更すればよい。平坦化層の成長温度は、好ましくは１０００℃以上である。必要に応じて、表面の平坦化を加速するために、平坦化層を成長させるときのＶ／ＩＩＩ比およびキャリアガスのＦ値のいずれか一方または両方を、ピット化層を成長させるときよりも低くしてよい。

平坦化層は、表面のピットが実質的に消失するように成長させる。ピットが実質的に消失した状態とは、外周近傍を除いた平坦化層の表面におけるピット密度が１ピット／ｃｍ^２以下となった状態をいう。外周近傍を除く理由は、外周近傍では成長条件に関わりなくピットが発生し易い傾向があるからである。
平坦化層の表面におけるピット密度は、好ましくは０．５ピット／ｃｍ^２以下、より好ましくは０．１ピット／ｃｍ^２以下、最も好ましくは０ピット／ｃｍ^２である。
平坦化層の成長途中で、平坦層の表面から実質的にピットが消失してもよい。

平坦化層を成長させた後であっても、その下のピット化層の厚さは、ＧａＮ結晶のｃ面に垂直な断面を蛍光顕微鏡で観察することにより調べることができる。ピット化層と平坦化層とでは、恐らく成長時に取り込まれる不純物の濃度および／または種類が異なるせいで、蛍光顕微鏡像における色調が明瞭に異なっており、容易に識別できる。蛍光顕微鏡像では、ピット化層の方が平坦化層よりも暗く見える。
ピット化層と平坦化層で特に濃度が異なる不純物は酸素であり、ピット化層は平坦化層よりも高い酸素濃度を有する。

ＨＶＰＥ工程Ｐ２において、最後に成長させる平坦化層（以下では「最終平坦化層」とも呼ぶ）の厚さは、通常１ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上、より好ましくは４ｍｍ以上、更に好ましくは８ｍｍ以上とする。
図２（ａ）および（ｂ）の各例では、ＧａＮ結晶２にひとつだけ含まれる平坦化層２４が最終平坦化層である。図２（ｃ）の例では、ＧａＮ層２に２つ含まれる平坦化層２４のうち、後から成長される方が最終平坦化層である。
最終平坦化層の成長条件は終始同じとしてもよいし、あるいは、成長の途中で変更してもよい。

最終平坦化層のうち、表面からピットが実質的に消失した後に成長した部分では、酸素濃度が通常２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。
最終平坦化層は、Ｓｉ（ケイ素）やＧｅ（ゲルマニウム）のようなドナー不純物でドープしたり、あるいは、Ｆｅ（鉄）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｒ（クロム）およびＣ（炭素）のような、ドナー不純物の補償を通してＧａＮを半絶縁性にする作用のある不純物でドープしたりすることができる。
最終平坦化層のドーピングは、表面のピットが実質的に消失した後から開始してもよい。
平坦化層を複数回成長させる場合、最終平坦化層のみ不純物でドープし、他の平坦化層は全てアンドープで成長させることができる。

最終平坦化層をスライスすることにより、好ましい品質を有するｃ面単結晶ＧａＮ基板を製造することができる。
ｃ面単結晶ＧａＮ基板とは、ＧａＮ単結晶のみからなる自立したウエハであって、ｃ面と平行またはｃ面から僅かにオフカットされた大面積表面であるｃ面表面を有する。ｃ面単結晶ＧａＮ基板の厚さは、ｃ面表面の面積に応じて、２００μｍ～１ｍｍの間で適宜設定することができる。
最終平坦化層のうち、ｃ面単結晶ＧａＮ基板の材料として特に好ましいのは、表面からピットが実質的に消失した後に成長した部分である。

２．ＧａＮ基板の用途
実施形態に係るＧａＮ単結晶製造方法により製造されるｃ面単結晶ＧａＮ基板は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）などの発光デバイス、および、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）などの電子デバイスを含む、各種の窒化物半導体デバイスの製造に使用することができる。
窒化物半導体は、窒化物系III－V族化合物半導体、III族窒化物系化合物半導体、ＧａＮ系半導体などとも呼ばれ、ＧａＮを含む他、ＧａＮのガリウムの一部または全部を他の周期表第１３族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ等）で置換した化合物を含む。

３．実験結果
以下に、本発明者等が行なった実験の結果を記す。
３．１．実験１
（１）シード基板の準備
ＨＶＰＥで成長させたＧａＮ結晶からなる、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備した。該基板の（０００１）表面は、研削により平坦化された後、ＣＭＰ処理された。該基板の（０００１）表面の転位密度は良好な均一性を有し、カソードルミネセンス像観察から２×１０^６ｃｍ^－２から４×１０^６ｃｍ^－２の間と見積もられた。

（２）ＨＶＰＥによるＧａＮ結晶層の成長
石英製のホットウォール型リアクターと、その内部に設置された石英製のガリウムボートおよびパイロリティックグラファイト製のサセプターとを備えるＨＶＰＥ装置を用いて、上記（１）で準備した単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上にＧａＮ結晶を成長させた。
成長時間は合計８時間で、最初の１時間は下記表１に示す条件１を用い、残りの７時間は下記表１に示す条件２を用いた。

成長後のＧａＮ結晶の表面には、外周からの距離が５ｍｍ以下の領域を除いて実質的にピットがなく、ピット密度は０．１ピット／ｃｍ^２であった。
ＧａＮ結晶の成長により形成された積層体の、ｃ面に垂直な断面の蛍光顕微鏡像を図３に示す。蛍光顕微鏡像に明瞭に観察される三層構造は、中央がピット化層、下が単結晶ＧａＮ（０００１）基板、上が平坦化層である。成長したＧａＮ結晶の厚さはトータルで４４０μｍであり、ピット化層の厚さは７８μｍであった。
カソードルミネセンス像観察によれば、平坦化層の表面における転位密度は７．０×１０^５～８．５×１０^５ｃｍ^－２で、シードＧａＮ基板の（０００１）表面における転位密度の半分未満であった。

３．２．実験２
ＧａＮ結晶層を成長させるときに、上記条件１での１時間の成長と上記条件２での４時間の成長を交互に２回ずつ行った点を除き、上記実験１と同様にして、単結晶ＧａＮ（０００１）基板上にＧａＮ結晶を成長させた。
成長後のＧａＮ結晶の表面には、外周からの距離が５ｍｍ以下の領域を除いて実質的にピットがなく、ピット密度は０．６ピット／ｃｍ^２であった。
ＧａＮ結晶層の成長により形成された積層体の、ｃ面に垂直な断面の蛍光顕微鏡像を図４に示す。蛍光顕微鏡像は、積層体が五層構造を有することを明瞭に示している。五層構造の一番下にあるのがシード基板、その次が最初のピット化層、その次が最初の平坦化層、その次が第二のピット化層で、一番上の層が第二の平坦化層である。
カソードルミネセンス像観察によれば、第二の平坦化層の表面における転位密度は５．１×１０^５～７．６×１０^５ｃｍ^－２で、実験１で成長させたＧａＮ結晶の表面における転位密度より低かった。

以上、本発明を具体的な実施形態に即して説明したが、各実施形態は例として提示されたものであり、本発明の範囲を限定するものではない。本明細書に記載された各実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、様々に変形することができ、かつ、実施可能な範囲内で、他の実施形態により説明された特徴と組み合わせることができる。

１単結晶ＧａＮ（０００１）基板
２ＧａＮ結晶
２１下地層
２２ピット化層
２４平坦化層
Ｐ１シード準備工程
Ｐ２ＨＶＰＥ工程

Claims

ＧａＮ単結晶製造方法であって、該製造方法は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備するシード準備工程と、該単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上にＨＶＰＥでＧａＮ結晶を成長させるＨＶＰＥ工程とを有し、該ＨＶＰＥ工程では、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させる操作が行われ、
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面における転位密度が１０ ^６ｃｍ ^－２台前半であり、
前記ピット化層の成長温度が９００℃以下であることを特徴とする方法。
ＧａＮ単結晶製造方法であって、該製造方法は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備するシード準備工程と、該単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上にＨＶＰＥでＧａＮ結晶を成長させるＨＶＰＥ工程とを有し、該ＨＶＰＥ工程では、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させる操作が行われ、
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面における転位密度が１０ ^６ｃｍ ^－２台前半であり、
前記ＨＶＰＥ工程では前記操作が２回以上行われることを特徴とする方法。
前記ＨＶＰＥ工程では前記操作が２回以上行われる、請求項１に記載の方法。
前記ピット化層の成長温度が９００℃以下である、請求項２に記載の方法。
前記平坦化層の成長温度が１０００℃以上である、請求項１、３又は４に記載の方法。
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の酸素濃度が２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の方法。
前記シード準備工程で準備される前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、サファイア基板上に剥離層を介してＧａＮ結晶厚膜をＨＶＰＥで成長させ、次いで該ＧａＮ結晶厚膜を自発的に該サファイア基板から剥離させることにより製造される、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、ＨＶＰＥ装置のリアクター内で製造されるとともに、該リアクターから取り出されることなく前記ＨＶＰＥ工程に供される、請求項７に記載の方法。
ＧａＮ単結晶製造方法であって、該製造方法は、単結晶ＧａＮ（０００１）基板を準備するシード準備工程と、該単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面上にＨＶＰＥでＧａＮ結晶を成長させるＨＶＰＥ工程とを有し、該ＨＶＰＥ工程では、ピット化層（pitted layer）を成長させた後、成長条件を変更して平坦化層を成長させる操作が行われ、
前記シード準備工程で準備される前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、サファイア基板上に剥離層を介してＧａＮ結晶厚膜をＨＶＰＥで成長させ、次いで該ＧａＮ結晶厚膜を自発的に該サファイア基板から剥離させることにより製造され、
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板が、ＨＶＰＥ装置のリアクター内で製造されるとともに、該リアクターから取り出されることなく前記ＨＶＰＥ工程に供されることを特徴とする方法。
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の（０００１）表面における転位密度が１０^６ｃｍ^－２台前半である、請求項９に記載の方法。
前記単結晶ＧａＮ（０００１）基板の酸素濃度が２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である、請求項１０に記載の方法。
前記ピット化層の成長温度が９００℃以下である、請求項９～１１のいずれか一項に記載の方法。
前記平坦化層の成長温度が１０００℃以上である、請求項１２に記載の方法。
前記ＨＶＰＥ工程では前記操作が２回以上行われる、請求項９～１３のいずれか一項に記載の方法。
前記シード準備工程と前記ＨＶＰＥ工程の間で、前記ＨＶＰＥ装置のガリウムボートおよびサセプターの少なくとも一方の温度を７００℃以上に保つ、請求項８～１４のいずれか一項に記載の方法。
前記ピット化層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１～１５のいずれか一項に記載の方法。
前記ＨＶＰＥ工程で最後に成長される平坦化層の厚さが１ｍｍ以上である、請求項１～１６のいずれか一項に記載の方法。
前記平坦化層を加工してｃ面単結晶ＧａＮ基板を得る工程を有する、請求項１～１７のいずれかに記載の方法。