KR100839224B1 - GaN 후막의 제조방법 - Google Patents
GaN 후막의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100839224B1 KR100839224B1 KR1020070029481A KR20070029481A KR100839224B1 KR 100839224 B1 KR100839224 B1 KR 100839224B1 KR 1020070029481 A KR1020070029481 A KR 1020070029481A KR 20070029481 A KR20070029481 A KR 20070029481A KR 100839224 B1 KR100839224 B1 KR 100839224B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gan
- nanorod
- thick film
- substrate
- temperature
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/1033—Gallium nitride [GaN]
Abstract
Description
Claims (10)
- (a) 반응원료 기체화영역의 열원부의 온도가 800∼850℃인 반응원료 기체화영역, 혼합가스 반응영역의 열원부의 온도가 900∼1150℃인 혼합가스 반응영역 및 나노막대 형성영역의 열원부의 온도가 600∼750℃인 나노막대 형성영역으로 구분되어 있는 반응챔버를 포함하는 나노막대 제조용 HVPE 증착장치를 사용하여 이종기판상에 GaN 나노막대를 성장시켜 GaN 나노막대 템플레이트를 형성키는 단계;(b) 상기 GaN 나노막대 템플레이트 상에 GaN 보호막을 성장시키는 단계; 및(c) 상기 GaN 보호막 상에 GaN 후막을 성장시키는 단계;를 포함하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 이종기판은 Al2O3, Si, SiC, GaN 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계는 HVPE법에 의하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 GaN 보호막을 성장시키는 단계는 MOCVD법에 의하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계는, 반응원료로서, NH3, HCl 및 Ga을 사용하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계의 반응시간은 30분 내지 6시간인 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 MOCVD법 수행시 반응기체로서는 TMGa(Trimethyl Gallium) 및 NH3를 사용하고 이종기판의 온도를 800∼950℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 4항 내지 제 5항 또는 제 7항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MOCVD법 수행시 1차적으로 800∼850℃에서 GaN 저온버퍼층을 형성한 후, 2차적으로 900∼950℃에서 GaN 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 (c)단계 이후에 레이져 리프트 오프 또는 기판 냉각에 의하여 상기 이종기판과 상기 GaN 후막을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070029481A KR100839224B1 (ko) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | GaN 후막의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070029481A KR100839224B1 (ko) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | GaN 후막의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100839224B1 true KR100839224B1 (ko) | 2008-06-19 |
Family
ID=39771749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070029481A KR100839224B1 (ko) | 2007-03-26 | 2007-03-26 | GaN 후막의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100839224B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040061703A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 김화목 | GaN 나노막대를 이용하는 단결정 GaN 기판 제조방법 |
KR100450785B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2004-11-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨후막제조방법 |
KR20060079736A (ko) * | 2005-01-03 | 2006-07-06 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 단결정 기판의 제조방법 및 제조장치 |
-
2007
- 2007-03-26 KR KR1020070029481A patent/KR100839224B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100450785B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2004-11-16 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨후막제조방법 |
KR20040061703A (ko) * | 2002-12-31 | 2004-07-07 | 김화목 | GaN 나노막대를 이용하는 단결정 GaN 기판 제조방법 |
KR20060079736A (ko) * | 2005-01-03 | 2006-07-06 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 단결정 기판의 제조방법 및 제조장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4529846B2 (ja) | Iii−v族窒化物系半導体基板及びその製造方法 | |
JP5792209B2 (ja) | 有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法 | |
US9129977B2 (en) | Method of controlling stress in group-III nitride films deposited on substrates | |
JP4335187B2 (ja) | 窒化物系半導体装置の製造方法 | |
US8405128B2 (en) | Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition | |
JP5244487B2 (ja) | 窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム基板の製造方法 | |
JP2005343713A (ja) | Iii−v族窒化物系半導体自立基板及びその製造方法並びにiii−v族窒化物系半導体 | |
JP2009505938A (ja) | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | |
US20060175681A1 (en) | Method to grow III-nitride materials using no buffer layer | |
JP4860736B2 (ja) | 半導体構造物及びそれを製造する方法 | |
JP4727169B2 (ja) | エピタキシャル基板、当該エピタキシャル基板の製造方法、当該エピタキシャル基板の反り抑制方法、および当該エピタキシャル基板を用いた半導体積層構造 | |
US8383494B2 (en) | Method for forming buffer layer for GaN single crystal | |
KR100682272B1 (ko) | 질화물계 기판 제조 방법 및 이에 따른 질화물계 기판 | |
JP2011051849A (ja) | 窒化物半導体自立基板とその製造方法 | |
JP2005032823A (ja) | 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法 | |
JP2005210084A (ja) | エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板 | |
KR20100104997A (ko) | 전위 차단층을 구비하는 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2011216549A (ja) | GaN系半導体エピタキシャル基板の製造方法 | |
JP4051311B2 (ja) | 窒化物系半導体の結晶成長方法 | |
KR100839224B1 (ko) | GaN 후막의 제조방법 | |
JP2010251743A (ja) | Iii族窒化物半導体成長用基板、iii族窒化物半導体自立基板、iii族窒化物半導体素子、ならびに、これらの製造方法 | |
RU2750295C1 (ru) | Способ изготовления гетероэпитаксиальных слоев III-N соединений на монокристаллическом кремнии со слоем 3C-SiC | |
KR20090030651A (ko) | 질화갈륨계 발광소자 | |
EP3050075A1 (en) | A semiconductor wafer and a method for producing the semiconductor wafer | |
JP2024042982A (ja) | 窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130607 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140602 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150602 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160602 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170601 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180531 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 12 |