KR100682272B1 - 질화물계 기판 제조 방법 및 이에 따른 질화물계 기판 - Google Patents
질화물계 기판 제조 방법 및 이에 따른 질화물계 기판 Download PDFInfo
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- 기판 위에 질화물계 버퍼층을 압력과 온도를 증가시키면서 성장시키는 제1단계; 상기 질화물계 버퍼층 위에 질화물계 박막층을 성장시키는 제2단계를 거치는 것으로, 상기 질화물계 버퍼층의 그레인(Grain) 크기가 초기에 증착된 크기보다 커진 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 압력은 10 토르(torr) 내지 750 토르 범위 내의 초기 성장 압력으로부터 증가 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 온도는 400 ℃ 내지 800 ℃ 범위 내의 초기 성장 온도로부터 증가 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1단계의 압력은 상기 초기 성장 압력보다 높은 압력 내지 800 토르 범위 내까지 증가 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1단계의 온도는 상기 초기 성장 온도보다 높은 온도 내지 1100 ℃ 범위 내까지 증가 되는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Sapphire), SiC, ZnO, Si 및 GaAs 로 이루어진 군에서 하나 이상이 선택되어 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 질화물계 버퍼층을 성장시키기 전에 상기 기판을 열처리하는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 질화물계 버퍼층을 성장시키기 전에 상기 기판을 열처리한 후, 온도를 내리면서 암모니아를 흘려주어 기판의 표면을 질화시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화물계 버퍼층의 두께는 10nm 내지 100nm 범위 내인 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화물계 버퍼층은 AlxGayInzN(0<X≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1) 및 SiN 중에서 적어도 하나 이상이 선택된 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 AlxGayInzN 및 SiN는 적층 된 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 기판 제조 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 기판으로써, 상기 질화물계 버퍼층의 그레인(Grain) 크기가 초기에 증착된 크기보다 커진 것을 특징으로 하는 질화물계 기판.
- 제12항에 있어서, 상기 그레인(Grain) 크기가 초기에 증착된 크기보다 커져 서 0.2 ㎛ 내지 2 ㎛ 범위 내로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 기판.
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