JP2008504715A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 上面を有するシリコン基板と、
   前記基板の前記上面の大部分を覆う非晶質窒化ケイ素からなる材料層と、
   前記窒化ケイ素からなる材料層上に形成される窒化物からなる材料の上部層とを備える半導体構造。
2. 前記窒化ケイ素からなる材料層が実質的に前記基板の上面全体を覆う請求項１に記載の構造。
3. 前記窒化ケイ素からなる材料層がＳｉＮからなる請求項１に記載の構造。
4. 前記上部層が単結晶である請求項１に記載の構造。
5. 前記上部層が窒化ケイ素からなる材料層の上にじかに形成される請求項１に記載の構造。
6. 前記上部層が窒化アルミニウムからなる材料からなる請求項１に記載の構造。
7. 前記上部層が前記基板とのエピタキシャル関係を有する請求項１に記載の構造。
8. 前記上部層が窒化ガリウム材料合金からなる請求項１に記載の構造。
9. 前記窒化ケイ素からなる材料層が１００オングストローム未満の厚さを有する請求項１に記載の構造。
10. 前記窒化ケイ素からなる材料層が１０オングストロームより大きい厚さを有する請求項１に記載の構造。
11. 前記上部層一面に形成される窒化ガリウム材料領域をさらに備える請求項１に記載の構造。
12. 前記上部層の欠陥が１ｃｍ ^２ あたり約１０ ^１０ 個未満というミスフィット転位密度を有する請求項１に記載の構造。
13. 上面を有するシリコン基板と、
    １００オングストローム未満の厚さを有し、前記基板の上面の大部分を覆う窒化ケイ素からなる材料層と、
    前記窒化ケイ素からなる材料層の上方に形成され、単結晶窒化物からなる材料上部層とを備える半導体構造。
14. 反応室内にシリコン基板を提供する工程と、
    前記反応室の中に窒素源を導入し、非晶質窒化ケイ素からなる材料層を形成する工程と、
    前記反応室の中に第２のソースを導入し、前記窒化ケイ素からなる材料層の上に窒化物からなる材料の上部層を形成する工程と、
    を備える半導体構造を形成する方法。
15. 前記窒素源が前記室内に導入されるときに、前記反応室内の前記温度が約１０００℃と約１１００℃の間である請求項１４に記載の方法。
16. 前記窒素源が前記室内に導入されると、前記反応室内の前記圧力が２．６７×１０ ^３ Ｐａ〜５．３３×１０ ^３ Ｐａ（約２０トールと約４０トールの間）である請求項１４に記載の方法。
17. 前記窒素源がアンモニアである請求項１４に記載の方法。
18. 前記窒素源が前記シリコン基板と反応し、窒化ケイ素からなる材料層を形成する請求項１４に記載の方法。
19. 前記第２のソースがアルミニウム源からなる請求項１４に記載の方法。
20. 前記アルミニウム源が前記窒素源と反応し、窒化アルミニウムの層を形成する請求項１９に記載の方法。