JP2008533312A - 電子デバイス用のダイヤモンドベースの基板 - Google Patents
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 62
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 85
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 9
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02444—Carbon, e.g. diamond-like carbon
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/915—Separating from substrate
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
CVDダイヤモンド合成の基板として使用するのに適している少なくとも1つの第1の表面を含むシリコンのウェハを形成する工程と、
所定の厚さのCVDダイヤモンドの層を成長させ、成長面をシリコンウェハの第1の表面上に設ける工程と、
シリコンウェハの厚さを所定のレベルまで薄くする工程と、
電子デバイスにおいて使用するのに適している少なくとも1つの半導体層のさらなる合成又は第2の表面自体の上での電子デバイスの合成に適しているシリコンウェハ上に第2の表面を設ける工程とを含む。
広い{111}表面が平行で、少なくとも第1の表面がCVDダイヤモンド合成の基板として使用するのに適している状態にあるように処理されている単結晶シリコンのウェハを形成する工程と、
所定の厚さのCVDダイヤモンドの層を成長させ、成長面を単結晶シリコンウェハの第1の表面上に設ける工程と、
シリコンウェハの厚さを所定のレベルまで薄くする工程と、
電子デバイスで使用するのに好適な半導体層のさらなる合成に適しているシリコンウェハ上に第2の表面を設ける工程と、
適宜AlGaN緩衝層を使用して、シリコンウェハの第2の表面上にGaNを成長させる工程とを含む。
Claims (29)
- 半導体層又はデバイスを加工するための基板を製造する方法であって、
CVDダイヤモンド合成の基板として使用するのに適している少なくとも1つの第1の表面を含むシリコンウェハを形成する工程と、
所定の厚さのCVDダイヤモンドの層を成長させ、成長面を前記シリコンウェハの前記第1の表面上に設ける工程と、
前記シリコンウェハの厚さを所定のレベルまで薄くする工程と、
電子デバイスにおいて使用するのに適している少なくとも1つの半導体層のさらなる合成又は第2の表面自体の上での電子デバイスの合成に適している前記シリコンウェハ上に第2の表面を設ける工程とを含む方法。 - 前記シリコンは、単結晶シリコンである請求項1に記載の方法。
- 前記シリコンウェハは、少なくとも前記対向する広い表面が実質的に平行になるように処理される請求項1及び2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記CVDダイヤモンド層の前記成長面は、実質的に平坦で、前記シリコンウェハの前記第1の表面に平行になるように処理される請求項1から3までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの前記第2の表面は、前記ウェハの前記第1の表面に対向する請求項1から4までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハは、{111}単結晶シリコンウェハである請求項1から5までのいずれか一項に記載の方法。
- さらに、前記ダイヤモンド層の前記成長面を実質的に平面的な基準面に実装する工程を含む請求項1から6までのいずれか一項に記載の方法。
- さらに、前記シリコンウェハの前記第2の表面上にGaNを成長させる工程を含む請求項1から7までのいずれか一項に記載の方法。
- AlGaN緩衝層が使用される請求項8に記載の方法。
- GaN材料を生産する方法であって、
前記広い{111}表面が平行で、少なくとも第1の表面がCVDダイヤモンド合成の基板として使用するのに適している状態にあるように処理されている単結晶シリコンのウェハを形成する工程と、
所定の厚さのCVDダイヤモンドの層を成長させ、成長面を前記単結晶シリコンウェハの前記第1の表面上に設ける工程と、
前記シリコンウェハの前記厚さを所定のレベルまで薄くする工程と、
電子デバイスで使用するのに好適な半導体層の合成に適している前記シリコンウェハ上に第2の表面を設ける工程と、
前記シリコンウェハの前記第2の表面上にGaNを成長させる工程とを含む方法。 - さらに、実質的に平坦で、前記シリコンウェハの前記第1の表面に平行になるように前記CVDダイヤモンド層の成長面を処理する工程を含む請求項10に記載の方法。
- さらに、前記処理済みダイヤモンド面を実質的に平面的な基準面に実装する工程を含む請求項11に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハ上のCVDダイヤモンドの前記層は、厚さが100μmを超える請求項1から12までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハ上のCVDダイヤモンドの前記層は、厚さが300μmを超える請求項13に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハ上のCVDダイヤモンドの前記層は、厚さが400μmを超える請求項13に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハ上のCVDダイヤモンドの前記層は、厚さが500μmを超える請求項13に記載の方法。
- 前記単結晶シリコンウェハ上のCVDダイヤモンドの前記層は、厚さが550μmを超える請求項13に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの厚さを減らすことは、宝石細工技術を使用することにより行われる請求項1から17までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの厚さは、厚さ50μm未満になるまで減らされる請求項1から18までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの厚さは、厚さ20μm未満になるまで減らされる請求項19に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの厚さは、厚さ10μm未満になるまで減らされる請求項19に記載の方法。
- 前記シリコンウェハの厚さは、厚さ5μm未満になるまで減らされる請求項19に記載の方法。
- さらに、前記シリコン表面を高いレベル及び十分に低い欠陥密度になるまで研磨してGaNの前記成長に適したものにする工程を含む請求項1から22までのいずれか一項に記載の方法。
- 前記GaN層は、AlGaN緩衝層の後に来るか、又は組み合われる請求項1から23までのいずれか一項に記載の方法。
- シリコン面に密着しているCVDダイヤモンド層からなるGaNデバイス成長に好適な基板。
- 前記シリコン表面は、単結晶シリコン表面である請求項25に記載の基板。
- 前記シリコン表面は、単結晶{111}シリコン表面である請求項25に記載の基板。
- 実質的に以上で説明され、又は例示されている、本発明による製造の方法。
- 実質的に以上で説明され、又は例示されている、本発明による基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0505752.6A GB0505752D0 (en) | 2005-03-21 | 2005-03-21 | Diamond based substrate for gan devices |
PCT/IB2006/000609 WO2006100559A1 (en) | 2005-03-21 | 2006-03-20 | Diamond based substrate for electronic devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008533312A true JP2008533312A (ja) | 2008-08-21 |
Family
ID=34531585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008502501A Pending JP2008533312A (ja) | 2005-03-21 | 2006-03-20 | 電子デバイス用のダイヤモンドベースの基板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7842134B2 (ja) |
EP (2) | EP2428982A1 (ja) |
JP (1) | JP2008533312A (ja) |
KR (1) | KR20070114218A (ja) |
CN (1) | CN101147235A (ja) |
GB (1) | GB0505752D0 (ja) |
WO (1) | WO2006100559A1 (ja) |
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- 2006-03-20 CN CNA2006800093550A patent/CN101147235A/zh active Pending
- 2006-03-20 US US11/909,204 patent/US7842134B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-20 JP JP2008502501A patent/JP2008533312A/ja active Pending
- 2006-03-20 KR KR1020077024086A patent/KR20070114218A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-03-20 WO PCT/IB2006/000609 patent/WO2006100559A1/en active Application Filing
- 2006-03-20 EP EP11192691A patent/EP2428982A1/en not_active Withdrawn
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JP2020073433A (ja) * | 2016-03-08 | 2020-05-14 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | シリコン層、及び、光学的に仕上げられた(又は密集した)シリコン‐ダイヤモンド界面を有するダイヤモンド層を含む基板 |
JP7117281B2 (ja) | 2016-03-08 | 2022-08-12 | トゥー‐シックス・インコーポレイテッド | シリコン層、及び、光学的に仕上げられた(又は密集した)シリコン‐ダイヤモンド界面を有するダイヤモンド層を含む基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101147235A (zh) | 2008-03-19 |
US7842134B2 (en) | 2010-11-30 |
WO2006100559A1 (en) | 2006-09-28 |
KR20070114218A (ko) | 2007-11-29 |
GB0505752D0 (en) | 2005-04-27 |
EP1861865A1 (en) | 2007-12-05 |
EP2428982A1 (en) | 2012-03-14 |
US20080206569A1 (en) | 2008-08-28 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Written amendment |
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A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Written amendment |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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