JP2017226593A - シリコン層、及び、光学的に仕上げられた(又は密集した)シリコン‐ダイヤモンド界面を有するダイヤモンド層を含む基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学的に仕上げられた表面を有するシリコン層4と、シリコン層4の前記光学的に仕上げられた表面上の化学気相蒸着(CVD)成長したダイヤモンド層6とを含み、シリコン層4とダイヤモンド層6との界面10において、シリコン層4の前記光学的に仕上げられた表面が、100nm以下の表面粗さ(Ra)を有する積層基板2。成長ダイヤモンド層6の、シリコン層4とは反対側の表面14は、研磨されて光学的に仕上げられ、光管理コーティング19は、成長ダイヤモンド層6の、シリコン層4とは反対側の表面に適用され得る積層基板2。光学的に仕上げられたシリコン層4の表面12にダイヤモンド粉末を播種し、CVDでその上にダイヤモンド層6を所定の厚さ迄蒸着する、積層基板の形成方法。
【選択図】図1
Description
光/電磁波管理のための光学的用途
エレクトロニクス、フォトニクス又はオプトエレクトロニクスのための温度管理用途の基板2
化学的不活性に伴う使用の基板2
表面及び/又はバルク弾性波共振器を含む弾性波共振器を作製する基板2
RFフィルター、RF発信器、RF MEMSスイッチ又はMEMSセンサー
摩擦制御
検出器
及び/又は、例えばフライス削り、切断、穴あけ、レース加工等の機械的使用のための材料
走査型電子顕微鏡(SEM)画像は、エネルギー分散型分析X線(EDAX)検出器を備えたTescan Vega走査型電子顕微鏡を用いて得た。
直径66mm、厚さ11.5mmの単結晶シリコン基板4の一片は、一般的なシリコンの製造方法を用いて製造された。このシリコン基板4の表面12は、Raが6〜7nmの光学的に仕上げられた表面となるようにダイヤモンド切削した。同時に、ロゴ「II−VI」もまた、このシリコン基板4の表面12上へのダイヤモンド切削によって、窪むように切削した。そして、シリコン基板4は、マイクロ波プラズマCVD反応器116(図3)内の基板として、ダイヤモンド切削された光学的に仕上げられた表面(表面12)をプラズマ120が形成される方向に向けて、使用した。
窓の製造
直径2インチ(50.8mm)、厚さ10mmの単結晶シリコン基板(又は層)4の一片は、一般的なシリコン製造方法を用いて製造された。このシリコン基板4の両表面を、一般的な化学機械的研磨工程によって、1nm未満のRaまで光学的に仕上げた。そして、このシリコン基板4を、ダイヤモンドエタノール懸濁スラリーで超音波処理し、表面12をプラズマ120が形成される方向に向けてマイクロ波プラズマCVD反応器116(図3)に投入した。
直径166mm、厚さ10mmの単結晶シリコン基板4の一片は、一般的なシリコン製造方法を用いて製造された。このシリコン基板4の両表面12及び16は、一般的な化学エッチング工程によって仕上げられた。そして、このシリコン基板4を、ダイヤモンド粉末で擦り、マイクロ波プラズマCVD反応器116内へ投入した。
直径166mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4の一片は、一般的なシリコン製造方法を用いて製造された。このシリコン基板4の両表面12及び16は、一般的な化学エッチング工程によって仕上げられた。そして、このシリコン基板4の一片を、ダイヤモンド粉末で擦り、マイクロ波プラズマCVD反応器116内へ投入した。
直径166mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4の一片は、一般的なシリコン製造方法を用いて製造された。このシリコン基板4の両表面12及び16は、一般的な化学エッチング工程によって仕上げられた。そして、表面12は、化学機械的研磨工程を用いて研磨し、光学的に仕上げられた(Ra:1.3nm)。次に、このシリコン基板4の一片は、含水ダイヤモンドスラリーを用いて超音波処理した後、表面12をプラズマ120が形成される方向に向けてマイクロ波プラズマCVD反応器116に投入した。
3つのシリコン基板又はウェハー4(nタイプ、直径6インチ(152.4mm)、厚さ625ミクロン)を準備した。各シリコンウェハー4の表面12は、化学機械的に研磨して光学的表面に仕上げ、各シリコンウェハー4の他の表面16は化学エッチングで仕上げられた。そして、各シリコンウェハー4の表面12(光学的に仕上げられた)をダイヤモンド粉末を用いて剥ぎ、シリコンウェハー4を、光学的に仕上げられた表面12をプラズマ120が形成される方向に向けて、ダイヤモンド成長のためのマイクロ波プラズマCVD反応器116内に配置した。
直径50mm、75mm、85mm及び100mmのダイヤモンド片は、厚さが550ミクロンよりも大きいアズグロウンダイヤモンドウェハーからレーザーカットされた。一実施例では、このアズグロウンダイヤモンドウェハーは、アズグロウンダイヤモンドウェハーと基板ホルダー122との間にシリコン層4を有さずに、マイクロ波プラズマCVD反応器116の基板ホルダー122上に直接成長させた。そして、各ダイヤモンド片の成長表面は、平坦にラッピングされた。次に、これらのダイヤモンド片の、成長表面又は核生成表面のどちらか一方の表面である片面は、従来の研磨工程によって研磨して光学的に仕上げられた。裏返して他の表面を薄く研磨しようとする際、これらのダイヤモンド片は、厚さが400ミクロンに達する前に粉砕され、従来のダイヤモンド研磨工程では、アスペクト比125を達成することは困難であることが示唆された。
直径75mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4を、ダイヤモンド層6のダイヤモンドCVD成長のための基板として用いた。このシリコン基板4の表面12は、研磨して、粗さRaが1nm未満である鏡面仕上げされた。鏡面仕上げしたシリコン表面12上で高いダイヤモンド核生成密度を達成すべく、ダイヤモンド層がこのシリコン基板4から剥離することを防ぐためにダイヤモンド及びシリコンの良好な密着を得ると同時に、二段階の播種工程を要した。まず、このシリコン基板4は、超音波浴中で平均サイズ0.25μmのダイヤモンド粉末/メタノール懸濁溶液を用いて処理した。そして、表面12上にダイヤモンド核生成工程を行う第一段階は、マイクロ波プラズマCVD反応器116内で1時間、シリコン基板4上で行われた。その後、シリコン基板4を、マイクロ波プラズマCVD反応器116から取り外した。この核生成工程は、比較的低密度(105/cm2未満)なダイヤモンド核生成をもたらした。
直径75mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4を、ダイヤモンド層6のダイヤモンドCVD成長のための基板として用いた。このシリコン基板4の両表面12及び16を、化学エッチングした。そして、このシリコン基板4は、ダイヤモンド核生成を促進するために、超音波浴中でナノ結晶ダイヤモンド粉末/メタノール懸濁溶液を用いて処理した。次に、シリコン基板を、マイクロ波プラズマCVD反応器116内に投入した。
他の実施例では、直径166mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4を、ダイヤモンド層6のCVD成長のための基板として用いた。このシリコン基板4の両表面12及び16は、一般的な化学エッチング工程によって仕上げられた。そして、シリコン基板4の表面12は、化学機械的に研磨し、粗さRaを1.5nm未満に鏡面仕上げした。次に、シリコン基板4全体は、超音波浴中で平均サイズ0.25μmのダイヤモンド粉末/メタノール懸濁溶液を用いて超音波処理(播種)し、表面12を石英窓118に向けて(図3)CVD反応器116内に配置した(図2)。
他の実施例において、直径50.8mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4を、ダイヤモンド層6のCVD成長のための基板として用いた。このシリコン基板4の両表面12及び16は、化学機械的に研磨して、粗さRa1.5nm未満に鏡面仕上げした。次に、シリコン基板4全体は、平均サイズ0.25μmのダイヤモンド粉末/メタノール懸濁溶液を用いて超音波処理(播種)し、CVD反応器116内に配置した(図3)。そして、このシリコン基板4を、マイクロ波プラズマCVD反応器116に投入した。
他の実施例において、直径50.8mm、厚さ10mmの多結晶シリコン基板4を、ダイヤモンド層6のCVD成長のための基板として使用した。このシリコン基板4の表面12を、化学機械的に研磨し、粗さRaを1.5nm未満に鏡面仕上げした。一方で、他の表面16を、一般的な化学エッチング工程によってエッチングした。次に、このシリコン基板4は、超音波浴中でナノ結晶ダイヤモンド粉末(一般的な粒子径が20nm未満)/メタノール懸濁溶液を用いて超音波処理された。そして、このシリコン基板は、表面12を石英窓118に向けてCVD反応器116内に投入された。
Claims (24)
- 光学的に仕上げられた表面を有するシリコン層と、
前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面上の化学気相蒸着(CVD)成長したダイヤモンド層とを含み、
前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面が、100nm以下の表面粗さ(Ra)を有する、積層基板。 - 前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面が、1nm以下のRaを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記ダイヤモンド層の表面が、前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面のRa以上のRaを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記ダイヤモンドの粒子密度が104ダイヤモンド粒/cm2以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記ダイヤモンドの粒子密度が109ダイヤモンド粒/cm2以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層が10μm以上の厚さを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層が5000μm以上の厚さを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記ダイヤモンド層が5μm以下の厚さを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記ダイヤモンド層が2000μm以下の厚さを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 最大寸法が25.4mm以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 最大寸法が152.4mm以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層及び前記ダイヤモンド層の全厚さが50μm以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 前記シリコン層及び前記ダイヤモンド層の全厚さが5mm以上である、請求項1に記載の積層基板。
- 前記ダイヤモンド層の、前記シリコン層とは反対側の表面が、5nm以下のRaを有する、請求項1に記載の積層基板。
- 前記ダイヤモンド層の、前記シリコン層とは反対側の表面が、100nm以下のRaを有する、請求項1に記載の積層基板。
- さらに、前記ダイヤモンド層の、前記シリコン層とは反対側の表面に光管理コーティングを含む、請求項1に記載の積層基板。
- 前記ダイヤモンド層の、前記シリコン層とは反対側の表面のダイヤモンド結晶が、1331.9〜1332.1cm−1の間にラマンピークを有し、2.8〜6.2cm−1の間にラマンスペクトルの半値全幅(FWMH)を有し、又は、その両方を有する、請求項1に記載の積層基板。
- (a)前記光学的に仕上げられた表面を有するシリコン層を提供する工程と、
(b)(a)工程の後、前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面にダイヤモンド粉末を播種する工程と、
(c)(b)工程の後、前記シリコン層の光学的に仕上げられた表面に播種された前記ダイヤモンド上に、ダイヤモンド層をCVD蒸着させる工程と、
(d)前記シリコン層の光学的に仕上げられた表面に播種された前記ダイヤモンド上に、前記ダイヤモンド層をCVD蒸着させる工程を、所定の厚さの前記ダイヤモンド層が、前記シリコン層の光学的に仕上げられた表面に播種された前記ダイヤモンド上に蒸着されるまで続ける工程と、
を含む、請求項1に記載の積層基板を形成する方法。 - (c)工程と(d)工程との間に、
(c1)前記シリコン層の光学的に仕上げられた表面に播種された前記ダイヤモンド上に、前記ダイヤモンド層をCVD蒸着する工程を停止する工程と、
(c2)(c)工程の前記CVD蒸着されたダイヤモンド層を含む前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面にダイヤモンド粉末を播種する工程と、
を含む、請求項18に記載の方法。 - (a)工程の前記シリコン層は、前記シリコン層の、前記光学的に仕上げられた表面とは反対側の面に結合された基板を含み、
前記基板は、前記シリコン層よりも厚さがある、請求項18に記載の方法。 - (e)前記シリコン層とは反対側の前記ダイヤモンド層の表面を光学的仕上げのために研磨する工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記ダイヤモンド層の、前記シリコン層とは反対側の研磨された表面に光管理コーティングを適用する工程をさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 前記シリコン層と前記ダイヤモンド層との間に誘電体層又はフィルムをさらに含む、請求項1に記載の積層基板。
- 光学的に仕上げられた表面を有する材料層と、
前記材料層の前記光学的に仕上げられた表面上の化学気相蒸着(CVD)成長したダイヤモンド層とを含み、
前記材料層と前記ダイヤモンド層との界面において、前記シリコン層の前記光学的に仕上げられた表面が、100nm以下の表面粗さ(Ra)を有し、
前記ダイヤモンド層と前記材料層との間の絶対的な格子不整合は4.5オングストローム以下である、積層基板。
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