TWI396267B - 電子封裝、用於電子裝置的散熱結構及其製造方法 - Google Patents

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Description

電子封裝、用於電子裝置的散熱結構及其製造方法
本發明有關於一種積體電路(integrated circuit,IC)製造，特別是有關於一種用於電子裝置的散熱結構及其製造方法。
可攜式電子產品，例如手機、行動電腦及其他消費性產品需要在厚度薄、重量輕及低成本的限制因素下呈現高效能及功能，因而驅使製造業者必須增加半導體晶片的集積度(integration)。而隨著半導體技術的向上發展，積體電路的集積度或是半導體元件(例如，電晶體、二極體、電阻、電容等等)的密度得以不斷提升。在高集積度或高密度的積體電路中，因積體電路的功率及操作頻率增加，散熱(heat dissipation)問題成為限制積體電路中微電子裝置效能的因素之一。
傳統上解決熱產生的方法係包含於電子裝置操作期間，提供一散熱裝置(即，散熱片)與IC封裝中的IC晶片作熱接觸。亦即，每一IC晶片的上表面與對應的散熱器作熱接觸。然而，為了每一IC晶片而提供一分離的散熱器會增加製造成本，且會增加IC封裝裝置的整體尺寸，其並不利於部件或裝置尺寸持續縮小的趨勢。
另一種解決熱產生的方法包含在IC晶片或封裝基底的上表面形成一類鑽碳(diamond like carbon,DLC)薄膜，以作為鈍化保護(passivation)層及導熱絕緣層。鈍化保護層上通常需形成開口以形成由金屬構成的重佈局線(redistribution line,RDL)/走線(circuit trace)或是接合墊(bond pad)。然而，由於類鑽碳薄膜難以加工且與金屬附著性不佳，因而降低裝置的可靠度及良率。
因此，有必要發展一種新的用於電子裝置的散熱結構，其能夠改善上述問題。
有鑑於此，本發明實施例提供一種用於電子裝置的散熱結構，包括：一主體，具有一第一表面及相對於第一表面的一第二表面；一含矽絕緣層，設置於主體的第一表面上；一超奈米結晶鑽石薄膜，設置於含矽絕緣層上；以及一導電圖案層，設置於含矽絕緣層上且被超奈米結晶鑽石薄膜包圍，其中超奈米結晶鑽石薄膜與導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
本發明實施例提供一種用於電子裝置的散熱結構之製造方法。提供一主體，其具有一第一表面及相對於第一表面的一第二表面。在主體的第一表面上形成一含矽絕緣層。在含矽絕緣層上分別形成一導電圖案層及一超奈米結晶鑽石薄膜，其中導電圖案層被超奈米結晶鑽石薄膜包圍，且超奈米結晶鑽石薄膜與導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
以下說明本發明實施例之製作與使用。然而，可輕易了解本發明所提供的實施例僅用於說明以特定方法製作及使用本發明，並非用以侷限本發明的範圍。
第1圖係繪示出根據本發明一實施例之具有用於電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖。請參照第1圖，電子封裝10包括一散熱結構以及設置於散熱結構上的電子裝置100。在本實施例中，散熱結構包括：一主體201、一含矽絕緣層203、一超奈米結晶鑽石薄膜(ultrananocrystalline diamond,UNCD)207、第一導電圖案層及第二導電圖案層214。主體201具有一第一表面201a(例如，上表面)及相對於第一表面201a的一第二表面201b(例如，下表面)。在一實施例中，主體201可為一封裝基板或電路板，且可由半導體材料(例如，矽、鍺化矽、氮化鎵、砷化鎵)、陶瓷、或高分子材料所構成。在另一實施例中，主體201可為一半導體晶片，且其內具有至少一半導體元件及電性連接半導體元件的至少一內連線結構。
含矽絕緣層203，例如氮化矽、四乙基矽酸鹽(tetraethyl orthosilicate,TEOS)氧化物、二氧化矽，設置於主體201的第一表面201a上。特別的是超奈米結晶鑽石薄膜207及第一導電圖案層設置於含矽絕緣層203上，其中第一導電圖案層被超奈米結晶鑽石薄膜207包圍。再者，超奈米結晶鑽石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
在本實施例中，超奈米結晶鑽石薄膜207係作為散熱結構中的導熱絕緣層。再者，第一導電圖案層主要由阻障材料層204a及導電層204b所構成。另外，導電層204b上可額外形成其他導電結構，例如阻障材料層210a、導電層210b以及導電層212。在一實施例中，導電層204b及210b可包括電鍍銅，而阻障材料層204a及210a可包括TiW/Cu，以分別作為導電層204b及210b的種子(seed)層。再者，導電層212可由銅、錫或其他習知的焊料所構成。
第二導電圖案層214設置於主體201的第二表面201b上，其材質可相同或相似於導電層212。再者，主體201內具有至少一通孔電極(through via)210，其由位於主體201內的阻障材料層210a及導電層210b所構成，且藉由絕緣層209而與主體201電性絕緣。在本實施例中，絕緣層209可包括氮化矽、二氧化矽或超奈米結晶鑽石(UNCD)。再者，通孔電極210自主體201的第二表面201b延伸至第一導電圖案層內，用以電性連接於第一導電圖案層與第二導電圖案層214之間。第二導電圖案層214、通孔電極210、第一導電圖案層及超奈米結晶鑽石薄膜207亦可構成一散熱路徑。
電子裝置100，例如二極體晶片或其他半導體晶片，透過一黏著層100b而貼附於超奈米結晶鑽石薄膜207上，且可利用打線接合(wire bonding)製程，使電子裝置100透過接線(wire) 100a將電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層。
請參照第2圖，其繪示出根據本發明另一實施例之具有用於電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖，其中相同於第1圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。在本實施例中，電子封裝20中的電子裝置100設置於第一導電圖案層上。電子裝置100可透過覆晶(flip chip)製程，使電子裝置100透過多個凸塊(bump)100c而電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層，且經由對應的通孔電極210而與第二導電圖案層214電性連接。
請參照第3圖，其繪示出根據本發明另一實施例之具有用於電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖，其中相同於第1圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。在本實施例中，電子封裝30中的電子裝置100設置於第一導電圖案層上方的導電層212上。電子裝置100透過接線100a以及凸塊(未繪示)將電子裝置100電性連接至導電層212下方的第一導電圖案層，且經由對應的通孔電極210而與第二導電圖案層214電性連接。
第4A至4J圖係繪示出根據本發明一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖，其中相同於第1至3圖的部件係使用相同的標號。請參照第4A圖，提供一主體201，其具有一第一表面201a(例如，上表面)及相對於第一表面201a的一第二表面201b(例如，下表面)。在本實施例中，主體201可為一封裝基板或電路板，且可由半導體材料(例如，矽、鍺化矽、氮化鎵、砷化鎵)、陶瓷、或高分子材料所構成。接著，可透過熱氧化法或沉積技術，例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)，在主體201的第一表面201a上形成一含矽絕緣層203，例如氮化矽、四乙基矽酸鹽氧化物或二氧化矽。之後，可利用濺渡製程(sputtering)或適當的沉積技術，在含矽絕緣層203上毯覆性地形成一阻障材料層204a，例如TiW/Cu或其他習知的金屬阻障材料。在本實施例中，阻障材料層204a可作為後續金屬電鍍的種子層。
請參照第4B圖，在阻障材料層204a上形成一光阻層205。之後，透過習知微影製程，在光阻層205內形成一開口圖案205a而局部露出阻障材料層204a，用以在後續製程中製作導電圖案。請參照第4C圖，在開口圖案205a內填入一導電層204b。舉例來說，利用露出的阻障材料層204a作為種子層以進行電鍍製程(plating)而形成導電層204b。
之後，依序去除光阻層205以及位於光阻層下方的阻障材料層204a，以形成第一導電圖案層(包括阻障材料層204a及導電層204b)並而局部露出含矽絕緣層203，分別如第4D及4E圖所示。
請參照第4F圖，在露出的含矽絕緣層203上形成一超奈米結晶鑽石薄膜207，使第一導電圖案層大體上被超奈米結晶鑽石薄膜207包圍，且超奈米結晶鑽石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。舉例來說，透過CVD製程並利用氬氣及甲烷(CH4 )作為製程氣體，以形成超奈米結晶鑽石薄膜207，其中製程壓力可在90 torr至120 torr的範圍而製程溫度可在450℃至500℃的範圍。由於超奈米結晶鑽石薄膜207具有良好的貼附性(conformity)，因此可完全覆蓋露出的含矽絕緣層203並貼合於第一導電圖案層的側壁而構成良好的鈍化保護膜及導熱絕緣膜。
請參照第4G圖，可透過習知蝕刻製程，例如乾蝕刻，在第一導電圖案層內形成至少一開口208，其延伸於局部的主體201內，用以在後續製程中製作通孔電極。
請參照第4H圖，在開口208的側壁及底部上形成一絕緣層209，例如氮化矽、二氧化矽或超奈米結晶鑽石。之後，在第一導電圖案層上形成作為種子層的一阻障材料層210a並覆蓋位於開口208的側壁及底部上的絕緣層209。阻障材料層210a的材質可相同或相似於阻障材料層204a。
請參照第41圖，可進行電鍍製程或其他適當沉積製程，以在第一導電圖案層上方的阻障材料層210a上形成一導電層210b並填入開口208(如第4H圖所示)。
請參照第4J圖，可進行薄化製程，例如化學機械研磨製程(chemical mechanical polishing,CMP)或蝕刻製程，自主體201的第二表面201b去除部分的主體201，直至露出位於主體201的開口208(如第4H圖所示)內的導電層210b，以在主體201內形成一通孔電極210(即，位於開口208內的阻障材料層210a及導電層210b)。在本實施例中，通孔電極210自主體201的第二表面201b延伸至第一導電圖案層內。最後，可透過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層212，同時在主體201的第二表面201b上形成一第二導電圖案層214，其中第二導電圖案層214透過通孔電極210而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例之散熱結構。在一實施例中，導電層212及第二導電圖案層214可由相同的材料(例如，銅、錫或其他習知的焊料)所構成並透過電鍍法同時製做而成。在其他實施例中，導電層212及第二導電圖案層214可由不同導電材料所構成。上述散熱結構可進一步裝配於一電子裝置100(例如，發光二極體晶片或其他半導體晶片)下方，以形成具有散熱結構的電子封裝，如第1圖所示。
第5A至5F圖係繪示出根據本發明另一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖，其中相同於第4A至4J圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第5A圖，提供一主體201，其具有一第一表面201a及一第二表面201b。可透過蝕刻製程，在主體201內形成至少一開口201c，以在後續製程中製做通孔電極。需注意的是開口201c的數量係取決於設計需求。此處為了簡化說明，僅繪示出二個開口201c。
請參照第5B圖，在主體201的第一表面201a上形成一含矽絕緣層203並延伸進入開口201c的側壁及底部。之後，在含矽絕緣層203上形成一阻障材料層204a。
請參照第5C圖，在阻障材料層204a上形成一導電層210b並填入主體201的開口201c內。之後，可透過習知微影及蝕刻製程，以圖案化導電層210b及下方的阻障材料層204a，而形成第一導電圖案層並局部露出含矽絕緣層203，如第5D圖所示。
請參照第5E圖，在露出的含矽絕緣層203上形成一超奈米結晶鑽石薄膜207，使第一導電圖案層大體上被超奈米結晶鑽石薄膜207包圍，且超奈米結晶鑽石薄膜207與第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。接著，可進行薄化製程，自主體201的第二表面201b去除部分的主體201，直至露出位於主體201的開口201c(如第5B圖所示)內的阻障材料層204a及導電層210b，以在主體201內形成一通孔電極210(即，位於開口201c內的阻障材料層204a及導電層210b)。
請參照第5F圖，可透過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層212，同時在主體201的第二表面201b上形成一第二導電圖案層214，其中第二導電圖案層214透過通孔電極210而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例之散熱結構。上述散熱結構可進一步裝配於一電子裝置100(例如，發光二極體晶片或其他半導體晶片)下方，以形成具有散熱結構的電子封裝，如第2圖所示。
第6A至6J圖係繪示出根據本發明又一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖。請參照第6A圖，提供一主體301，其具有一第一表面301a(例如，上表面)及相對於第一表面301a的一第二表面301b(例如，下表面)。在本實施例中，主體301可為一半導體晶片，且其內具有至少一內連線結構302(包括多層金屬層以及連接多層金屬層的導電插塞(plug))以及至少一半導體元件(未繪示)，例如電晶體、電阻、電容或其他習用的半導體元件。內連線結構302電性連接至半導體元件。
接著，可透過熱氧化法或沉積技術，在主體301的第一表面301a上形成一含矽絕緣層303，例如氮化矽、四乙基酸鹽氧化物或二氧化矽。之後，可在含矽絕緣層303內形成開口以露出主體301內的內連線結構302。利用濺渡製程或適當的沉積技術，在含矽絕緣層303上毯覆性地形成一阻障材料層304a(例如，TiW/Cu或其他習知的金屬阻障材料)並填入開口中，以在開口內形成導電插塞303a。在本實施例中，阻障材料層304a可作為後續金屬電鍍的種子層。
請參照第6B圖，在阻障材料層304a上形成一光阻層305。之後，透過習知微影製程，在光阻層305內形成一開口圖案305a而局部露出阻障材料層304a，用以在後續製程中製作導電圖案。請參照第6C圖，在開口圖案305a內填入一導電層304b。舉例來說，利用露出的阻障材料層304a作為種子層以進行電鍍製程而形成導電層304b。
之後，依序去除光阻層305以及位於光阻層下方的阻障材料層304a，以形成第一導電圖案層(包括阻障材料層304a及導電層304b)並而局部露出含矽絕緣層303，分別如第6D及6E圖所示。第一導電圖案層透過導電插塞303a而與內連線結構302電性連接。
請參照第6F圖，在露出的含矽絕緣層303上形成一超奈米結晶鑽石薄膜307，使第一導電圖案層大體上被超奈米結晶鑽石薄膜307包圍，且超奈米結晶鑽石薄膜307與第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
請參照第6G圖，可透過習知蝕刻製程，例如乾蝕刻，在第一導電圖案層內形成至少一開口308，其延伸於局部的主體301內，用以在後續製程中製作通孔電極。
請參照第6H圖，在開口308的側壁及底部上形成一絕緣層309，例如氮化矽、二氧化矽或超奈米結晶鑽石。之後，在第一導電圖案層上形成作為種子層的一阻障材料層310a並覆蓋位於開口308的側壁及底部上的絕緣層309。阻障材料層310a的材質可相同或相似於阻障材料層304a。
請參照第6I圖，可進行電鍍製程或其他適當沉積製程，以在第一導電圖案層上方的阻障材料層310a上形成一導電層310b並填入開口308(如第6H圖所示)。
請參照第6J圖，可進行薄化製程，自主體301的第二表面301b去除部分的主體301，直至露出位於主體301的開口308(如第6H圖所示)內的導電層310b，以在主體301內形成一通孔電極310(即，位於開口308內的阻障材料層310a及導電層310b)。在本實施例中，通孔電極310自主體301的第二表面301b延伸至第一導電圖案層內。最後，可透過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層312，同時在主體301的第二表面301b上形成一第二導電圖案層314，其中第二導電圖案層314透過通孔電極310而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例之散熱結構。在一實施例中，導電層312及第二導電圖案層314可由相同的材料(例如，銅、錫或其他習知的焊料)所構成並透過電鍍法同時製做而成。在其他實施例中，導電層312及第二導電圖案層314可由不同導電材料所構成。上述散熱結構可進一步裝配於一電子裝置(例如，發光二極體晶片或其他半導體晶片)下方，以形成具有散熱結構的三維積體電路(three-dimensional integrated circuit,3DIC)。
第7A至7F圖係繪示出根據本發明又另一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖，其中相同於第6A至6J圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第6A圖，提供一主體301，其具有一第一表面301a及一第二表面301b。主體301可為一半導體晶片，且其內具有至少一內連線結構302以及至少一半導體元件。內連線結構302電性連接至半導體元件。可透過蝕刻製程，在主體301內形成至少一開口301c，以在後續製程中製做通孔電極。需注意的是開口301c的數量係取決於設計需求。此處為了簡化說明，僅繪示出二個開口301c。
請參照第7B圖，在主體301的第一表面301a上形成一含矽絕緣層303並延伸進入開口301c的側壁及底部。之後，可在含矽絕緣層303內形成開口301d，以露出主體301內的內連線結構302。在含矽絕緣層303上形成一阻障材料層304a並填入開口301c及301d中。
請參照第7C圖，在阻障材料層304a上形成一導電層310b並填入主體301的開口301c及301d內，以形成電性連接內線結構302的導電插塞。之後，可透過習知微影及蝕刻製程，以圖案化導電層310b及下方的阻障材料層304a，而形成第一導電圖案層並局部露出含矽絕緣層303，如第7D圖所示。
請參照第7E圖，在露出的含矽絕緣層303上形成一超奈米結晶鑽石薄膜307，使第一導電圖案層大體上被超奈米結晶鑽石薄膜307包圍，且超奈米結晶鑽石薄膜307與第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。接著，可進行薄化製程，自主體301的第二表面301b去除部分的主體301，直至露出位於主體301的開口301c(如第7B圖所示)內的阻障材料層304a及導電層310b，以在主體301內形成一通孔電極310(即，位於開口301c內的阻障材料層304a及導電層310b)。
請參照第7F圖，可透過電鍍，在第一導電圖案層上形成一導電層312，同時在主體301的第二表面301b上形成一第二導電圖案層314，其中第二導電圖案層314透過通孔電極310而電性連接至第一導電圖案層。如此一來，便可完成本實施例之散熱結構。上述散熱結構可進一步裝配於一電子裝置(例如，發光二極體晶片或其他半導體晶片)下方，以形成具有散熱結構的三維積體電路(3DIC)。
根據前述實施例，由於超奈米結晶鑽石薄膜具有優於散熱片的導熱係數(即，約1000W/(m‧K))，因此可提供封裝基板或半導體晶片更優的散熱效果。再者，相較於傳統散熱片，超奈米結晶鑽石薄膜符合裝置尺寸持續縮小的趨勢。另外，由於超奈米結晶鑽石薄膜可完全覆蓋含矽絕緣層且在在上視方向不與導電圖案重疊，因此可排除鑽石薄膜加工困難以及與金屬附著性不佳的問題，進而降低提升裝置的可靠度及良率。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、20、30．．．電子封裝
100．．．電子裝置
100a．．．接線
100b．．．黏著層
100c．．．凸塊
201、301．．．主體
201a、301a．．．第一表面
201b、301b．．．第二表面
201c、208、301c、301d、308．．．開口
203、303．．．含矽絕緣層
204a、210a、304a、310a．．．阻障材料層
204b、210b、212、304b、310b、312．．．導電層
205、305．．．光阻層
205a、305a．．．開口圖案
207、307．．．超奈米結晶鑽石薄膜
209、309．．．絕緣層
210、310．．．通孔電極
214、314．．．第二導電圖案層
302．．．內連線結構
303a．．．導電插塞
第1至3圖係繪示出根據本發明不同實施例之具有用於電子裝置的散熱結構的電子封裝剖面示意圖。
第4A至4J圖係繪示出根據本發明一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖。
第5A至5F圖係繪示出根據本發明另一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖。
第6A至6J圖係繪示出根據本發明又一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖。
第7A至7F圖係繪示出根據本發明另又另一實施例之用於電子裝置的散熱結構之製造方法剖面示意圖。
10．．．電子封裝
100．．．電子裝置
100a．．．接線
100b．．．黏著層
201．．．主體
201a．．．第一表面
201b．．．第二表面
203．．．含矽絕緣層
204a、210a．．．阻障材料層
204b、210b、212．．．導電層
207．．．超奈米結晶鑽石薄膜
209．．．絕緣層
210．．．通孔電極
214．．．第二導電圖案層

Claims (26)

  1. 一種用於電子裝置的散熱結構，包括：一主體，具有一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；一含矽絕緣層，設置於該主體的該第一表面上；一超奈米結晶鑽石薄膜，設置於該含矽絕緣層上；以及一第一導電圖案層，設置於該含矽絕緣層上且被該超奈米結晶鑽石薄膜包圍，其中該超奈米結晶鑽石薄膜與該第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該主體為一電路板或一封裝基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該主體為一半導體晶片，且其內具有至少一半導體元件及電性連接該半導體元件的至少一內連線結構。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該第一導電圖案層電性連接至該內連線結構。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於電子裝置的散熱結構，更包括一第二導電圖案層，設置於該主體的該第二表面上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該主體內具有至少一通孔電極，其電性連接於該第一導電圖案層與該第二導電圖案層之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該通孔電極自該主體的該第二表面延伸至該第一導電圖案層內。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該通孔電極與該主體之間具有一絕緣層，使該通孔電極與該主體電性絕緣。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該絕緣層包括：氮化矽、二氧化矽或超奈米結晶鑽石。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該第一導電圖案層包括至少一阻障材料層。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之用於電子裝置的散熱結構，其中該含矽絕緣層包括氮化矽、四乙基酸鹽氧化物或二氧化矽。
  12. 一種電子封裝，包括：如申請專利範圍第1項所述之散熱結構；以及一電子裝置，設置於該超奈米結晶鑽石薄膜或該第一導電圖案層上，且電性連接至該第一導電圖案層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電子封裝，其中該電子裝置透過至少一接線或至少一凸塊而電性連接至該第一導電圖案層。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之電子封裝，其中該電子裝置包括發光二極體晶片或半導體晶片。
  15. 一種用於電子裝置的散熱結構之製造方法，包括：提供一主體，其具有一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；在該主體的該第一表面上形成一含矽絕緣層；以及在該含矽絕緣層上形成一第一導電圖案層及一超奈米結晶鑽石薄膜，其中該第一導電圖案層被該超奈米結晶鑽石薄膜包圍，且該超奈米結晶鑽石薄膜與該第一導電圖案層在上視方向彼此不重疊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該主體為一電路板或一封裝基板。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該主體為一半導體晶片，且其內具有至少一半導體元件及電性連接該半導體元件的至少一內連線結構。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該第一導電圖案層電性連接至該內連線結構。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中形成該第一導電圖案層包括：在該含矽絕緣層上形成一阻障材料層；在該阻障材料層上形成一光阻層，其中該光阻層內具有一開口圖案；在該開口圖案內填入一導電層；以及依序去除該光阻層及位於該光阻層下方的該阻障材料層，以形成該第一導電圖案層。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，更包括：在該主體內形成至少一通孔電極，其中該通孔電極自該主體的該第二表面延伸至該第一導電圖案層內；以及在該主體的該第二表面上形成一第二導電圖案層，其中該第二導電圖案層透過該通孔電極而電性連接至該第一導電圖案層。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中形成該通孔電極包括：在該第一導電圖案層內形成至少一開口，並延伸進入該主體內；在該開口的側壁及底部上形成一絕緣層；在該開口內填入一導電層；以及自該主體的該第二表面去除部分的該主體，直至露出位於該主體的該開口內的該導電層，以形成該通孔電極。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該絕緣層包括：氮化矽、二氧化矽或超奈米結晶鑽石。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該主體具有至少一開口，使位於該主體的該第一表面上的該含矽絕緣層延伸進入該開口的側壁及底部。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中形成該第一導電圖案層包括下列步驟：在該含矽絕緣層上形成一阻障材料層；在該阻障材料層上形成一導電層並填入該主體的該開口內；以及圖案化該導電層及下方的該阻障材料層，以形成該第一導電圖案層。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，更包括：自該主體的該第二表面去除部分的該主體直至露出位於該主體的該開口內的該阻障材料層或該導電層，以在該主體內形成一通孔電極；以及在該主體的該第二表面上形成一第二導電圖案層，其中該第二導電圖案層透過該通孔電極而電性連接至該第一導電圖案層。
  26. 如申請專利範圍第15項所述之用於電子裝置的散熱結構之製造方法，其中該含矽絕緣層包括氮化矽、四乙基酸鹽氧化物或二氧化矽。
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