JP2006278812A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 27
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N hydroxyiminosilicon Chemical compound ON=[Si] XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 101700073051 HEMT Proteins 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
Claims (11)
- 基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層の表面に形成された、珪素の組成比が窒素に対し０．８５〜３．０の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し０．６〜３．０の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し０．６〜３．０の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層の表面に形成された、アルミニウムの組成比が窒素に対し１．２〜２．０の窒化アルミニウム、並びにアルミニウムの組成比が酸素に対し０．７〜２．０の酸化アルミニウムのいずれか1つからなる絶縁膜と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイアおよびＧａＮ系半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
- 前記半導体装置はＨＥＭＴまたはＭＥＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
- 前記ＧａＮ系半導体層はＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
- 基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層の表面にプラズマＣＶＤ法によって、珪素の組成比が窒素に対し０．８５〜３．０の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し０．６〜３．０の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し０．６〜３．０の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んでソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
ＧａＮ系半導体層の表面に、アルミニウムの組成比が窒素に対し１．２〜２．０の窒化アルミニウム、並びにアルミニウムの組成比が酸素に対し０．７〜２．０の酸化アルミニウムのいずれか1つからなる絶縁膜を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んでソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記窒化珪素からなる絶縁膜は、ＳｉＨ４ガスの流量が４〜１５ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガスの流量が０〜８ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスの流量が２０〜２００ｓｃｃｍにより形成されることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒化アルミニウムからなる絶縁膜は、窒化アルミニウムをターゲットに用い、Ａｒガスの流量が２０〜１００ｓｃｃｍのよりスパッタ法で形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は１０ｎｍ以上で形成されることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＧａＮ系半導体層は、ＭＯＣＶＤ法で形成されることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005096902A JP4912604B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 窒化物半導体ｈｅｍｔおよびその製造方法。 |
| US11/392,785 US8178900B2 (en) | 2005-03-30 | 2006-03-30 | Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer and select composition ratio insulating film |
| EP06251792.5A EP1708259B8 (en) | 2005-03-30 | 2006-03-30 | Semiconductor device having GaN-based semiconductor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005096902A JP4912604B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 窒化物半導体ｈｅｍｔおよびその製造方法。 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006278812A JP2006278812A (ja) | 2006-10-12 |
| JP2006278812A5 true JP2006278812A5 (ja) | 2008-04-24 |
| JP4912604B2 JP4912604B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=36644868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005096902A Active JP4912604B2 (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 窒化物半導体ｈｅｍｔおよびその製造方法。 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8178900B2 (ja) |
| EP (1) | EP1708259B8 (ja) |
| JP (1) | JP4912604B2 (ja) |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4897948B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-03-14 | 古河電気工業株式会社 | 半導体素子 |
| JP5200936B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2013-06-05 | 富士通株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2008198691A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | New Japan Radio Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
| US20090321787A1 (en) * | 2007-03-20 | 2009-12-31 | Velox Semiconductor Corporation | High voltage GaN-based heterojunction transistor structure and method of forming same |
| US7939853B2 (en) * | 2007-03-20 | 2011-05-10 | Power Integrations, Inc. | Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor |
| JP5420157B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2014-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4963455B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2012-06-27 | 国立大学法人北海道大学 | 半導体基板の表面に絶縁膜を形成する方法と装置 |
| US7915643B2 (en) | 2007-09-17 | 2011-03-29 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
| JP5069531B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
| US8093136B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| JP5345328B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2013-11-20 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009239230A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8519438B2 (en) * | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
| US8289065B2 (en) | 2008-09-23 | 2012-10-16 | Transphorm Inc. | Inductive load power switching circuits |
| US7898004B2 (en) | 2008-12-10 | 2011-03-01 | Transphorm Inc. | Semiconductor heterostructure diodes |
| US8742459B2 (en) | 2009-05-14 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | High voltage III-nitride semiconductor devices |
| US8390000B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with field plates |
| US8389977B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Reverse side engineered III-nitride devices |
| US8242510B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-08-14 | Intersil Americas Inc. | Monolithic integration of gallium nitride and silicon devices and circuits, structure and method |
| JP2011210780A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Oki Electric Industry Co Ltd | ＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ、ＧａＮ−ＩＧＢＴ、およびこれらの製造方法 |
| US8742460B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | Transistors with isolation regions |
| US8643062B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-02-04 | Transphorm Inc. | III-N device structures and methods |
| US8772842B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-08 | Transphorm, Inc. | Semiconductor diodes with low reverse bias currents |
| US8716141B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Transphorm Inc. | Electrode configurations for semiconductor devices |
| US8901604B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-12-02 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with guard rings |
| US9257547B2 (en) | 2011-09-13 | 2016-02-09 | Transphorm Inc. | III-N device structures having a non-insulating substrate |
| US8598937B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-12-03 | Transphorm Inc. | High power semiconductor electronic components with increased reliability |
| JP5306438B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2013-10-02 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| US8633094B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
| US9165766B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-20 | Transphorm Inc. | Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates |
| JP5957994B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2016-07-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6025242B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-11-16 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9093366B2 (en) | 2012-04-09 | 2015-07-28 | Transphorm Inc. | N-polar III-nitride transistors |
| US9184275B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-11-10 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with integrated hole collectors |
| JP2014029908A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6145985B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2017-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP6106908B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-04-05 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6093190B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-03-08 | 住友電気工業株式会社 | Ｍｉｓ構造トランジスタ、及びｍｉｓ構造トランジスタを作製する方法 |
| US9171730B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-10-27 | Transphorm Inc. | Electrodes for semiconductor devices and methods of forming the same |
| US8928037B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-01-06 | Power Integrations, Inc. | Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer |
| US9087718B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-21 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode III-nitride devices |
| US9245992B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Transphorm Inc. | Carbon doping semiconductor devices |
| WO2015009514A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Transphorm Inc. | Iii-nitride transistor including a p-type depleting layer |
| US9318593B2 (en) | 2014-07-21 | 2016-04-19 | Transphorm Inc. | Forming enhancement mode III-nitride devices |
| US9536966B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Gate structures for III-N devices |
| US9536967B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a III-N device |
| JP6536318B2 (ja) | 2015-09-24 | 2019-07-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6627441B2 (ja) * | 2015-11-11 | 2020-01-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP6107922B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2017-04-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| US11322599B2 (en) | 2016-01-15 | 2022-05-03 | Transphorm Technology, Inc. | Enhancement mode III-nitride devices having an Al1-xSixO gate insulator |
| TWI813243B (zh) | 2016-05-31 | 2023-08-21 | 美商創世舫科技有限公司 | 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置 |
| JP6640687B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-02-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP6885710B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2021-06-16 | 株式会社アドバンテスト | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| US10741494B2 (en) * | 2018-11-07 | 2020-08-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a contact structure contacting a layer |
| JP7301465B2 (ja) | 2019-03-10 | 2023-07-03 | ジヤトコ株式会社 | 動力伝達装置 |
| CN112382662B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-06-21 | 宁波铼微半导体有限公司 | 氮化镓增强型器件及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07211713A (ja) * | 1994-01-17 | 1995-08-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アニール保護膜 |
| US6316820B1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-11-13 | Hughes Electronics Corporation | Passivation layer and process for semiconductor devices |
| JPH11233731A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | ショットキーゲートｆｅｔおよびモノリシック型マイクロ波集積回路装置ならびにその製造方法 |
| JP2001077353A (ja) | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Toshiba Corp | 高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器 |
| JP4117535B2 (ja) | 2001-11-30 | 2008-07-16 | 信越半導体株式会社 | 化合物半導体素子 |
| JP4385205B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-12-16 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP4385206B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2009-12-16 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP4179539B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2008-11-12 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| JP4077731B2 (ja) * | 2003-01-27 | 2008-04-23 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置およびその製造方法 |
| WO2005024955A1 (ja) | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Sanken Electric Co., Ltd. | 半導体装置 |
| US7045404B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-05-16 | Cree, Inc. | Nitride-based transistors with a protective layer and a low-damage recess and methods of fabrication thereof |
| JP2005286135A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005096902A patent/JP4912604B2/ja active Active
-
2006
- 2006-03-30 EP EP06251792.5A patent/EP1708259B8/en active Active
- 2006-03-30 US US11/392,785 patent/US8178900B2/en active Active
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