JP2010087218A - Iii族窒化物半導体からなる発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN基板10表面上に、Al組成比20%のAlGaNからなるストッパー層11を形成し、ストッパー層11上にn型層12、活性層13、p型層14、p電極15を形成し、支持基板16と接合する。次に、中央部が開口した形状にマスク20を形成し、GaN基板10裏面をPECエッチングする。照射する光は、GaNのバンドギャップよりも大きく、Al組成比20%のAlGaNのバンドギャップよりも小さいエネルギーの波長とする。エッチングはストッパー層11に達する深さまで進行すると止まるため、再現性よくメンブレン構造を作製することができる。
【選択図】図2
Description
11:ストッパー層
12:n型層
13:活性層
14:p型層
15:p電極
16:支持基板
18、28:n電極
Claims (15)
- III 族窒化物半導体からなる成長基板の表面側に、III 族窒化物半導体からなる半導体層が積層された発光素子において、
前記半導体層の前記成長基板側とは反対側で接合された支持基板を有し、
前記成長基板と前記半導体層との間に、前記成長基板よりもバンドギャップの大きい材料からなるストッパー層が形成され、
前記成長基板裏面の中央部に、錐台状または柱体状の凹部が形成され、
前記凹部底面に前記ストッパー層または前記半導体層が露出している、
ことを特徴とする発光素子。 - 前記凹部底面に露出しているのは、前記ストッパー層であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記ストッパー層は、III 族窒化物半導体であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子。
- 前記ストッパー層はAlGaNであることを特徴とする請求項3に記載の発光素子。
- 前記ストッパー層のAlの組成比は5〜40%であることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
- 前記成長基板は、GaN基板であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記成長基板はc面基板であり、表面側がGa極性面、裏面側がN極性面であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光素子。
- III 族窒化物半導体からなる成長基板の表面側に、III 族窒化物半導体からなる半導体層が積層された発光素子の製造方法において、
前記成長基板と前記半導体層との間に、ウェットエッチング溶液に対して耐性を有したストッパー層を形成するストッパー層形成工程と、
ウェットエッチングにより、前記成長基板の裏面側を前記ストッパー層が露出するまでエッチングするウェットエッチング工程と、
を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記ストッパー層は、前記成長基板よりもバンドギャップの大きい材料からなり、
前記ウェットエッチングは、前記基板のバンドギャップより大きく前記ストッパー層のバンドギャップより小さいエネルギーの波長である光を用いたPECエッチングである、ことを特徴とする請求項8に記載の発光素子の製造方法。 - 前記ストッパー層は、III 族窒化物半導体であることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の発光素子の製造方法。
- 前記ストッパー層は、AlGaNであることを特徴とする請求項10に記載の発光素子の製造方法。
- 前記ストッパー層のAlの組成比は5〜40%であることを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。
- 前記成長基板はGaNであることを特徴とする請求項8ないし請求項12のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記成長基板はc面基板であり、表面側がGa極性面、裏面側がN極性面であることを特徴とする請求項8ないし請求項13のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記ウェットエッチング工程は、前記成長基板の裏面側の中央部に、錐台状または柱体状の凹部を形成し、前記凹部底面に前記ストッパー層を露出させる工程である、ことを特徴とする請求項8ないし請求項14のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
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