JP2014192272A - Led用のメタル基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CuW合金の中核基板にNi又はNi‐P合金の下地メッキ層を介してCuWの硬さを改善するメッキ層を形成し、そのメッキ層は、次の
(1) AuSnの合金調整メッキ層3
(2) AuとSnとが積層する複合調整メッキ層4
(3) InとAuとが積層する複合調整メッキ層5
のいずれかであり、この調整メッキ層でLED素子のエピタキシャル層と接着可能としたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
(1) AuSnの合金調整メッキ層3
(2) AuとSnとが積層する複合調整メッキ層4
(3) InとAuとが積層する複合調整メッキ層5
のいずれかであり、この調整メッキ層でLED素子のエピタキシャル層と接着可能としたことを特徴とするLED用のメタル基板を提供するものである。
(1) AuSn合金の調整メッキ層3
(2) AuとSnとが積層する複合調整メッキ層4
この場合、接合時にAuとSnが溶融してAuSnとなる。
(3) InとAuとが積層する複合調整メッキ層5
この場合、Inの融点が156.4℃と低いので、接合温度を低くできる利点がある。
1 下地層
3 AuSnの合金調整メッキ層
4 AuとSnとが積層する複合調整メッキ層
5 InとAuとが積層する複合調整メッキ5
7 エピタキシャル層
9 Auメッキ層
10 複合調整メッキ層のうちのAuメッキ層
Claims (3)
- CuW合金の中核基板にNi又はNi-P合金の下地メッキ層を介してCuWの硬さを改善するメッキ層を形成し、そのメッキ層は、次の
(1) AuSnの合金調整メッキ層
(2) AuとSnとが積層する複合調整メッキ層
(3) InとAuとが積層する複合調整メッキ
のいずれかであり、この調整メッキ層でLED素子のエピタキシャル層と接着可能としたことを特徴とするLED用のメタル基板。 - LED素子のエピタキシャル層と接着する搭載面が、複合調整メッキ層のうちのAuメッキ層であることを特徴とする請求項1記載のLED用のメタル基板。
- 複合調整メッキ層の下がAuメッキ層であることを特徴とする請求項1又は2記載のLED用のメタル基板。
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