JP2017130547A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置1の模式的断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、リードフレーム11(コレクタ)と、リードフレーム12(エミッタ)とを備えている。リードフレーム11,12との間には、半導体素子13およびスペーサ(ターミナル)14が配置されており、半導体素子13およびスペーサ(ターミナル)14は、はんだ16により接合されている。さらに、リードフレーム11と半導体素子13とは、はんだ16により接合されており、リードフレーム12とスペーサ14も、はんだ16により接合されている。1対のリードフレーム11,12、半導体素子13およびスペーサ14は、樹脂19により一体的に樹脂成形(樹脂モールド)されている。なお、図1では、半導体素子13に接続されるボンディングワイヤ等は省略している。
Claims (1)
- Ni層が形成された1対のリードフレーム間において、半導体素子およびスペーサが前記リードフレームにはんだにより接合された後、前記1対のリードフレーム、前記半導体素子、および前記スペーサが樹脂モールドされた半導体装置の製造方法であって、
前記はんだに、はんだ全体を100質量%としたときに、Cuを0〜0.7質量%含有し、残部がSnおよび不可避不純物からなるはんだを用い、
前記はんだと前記リードフレームとの間に、Cuを配置しつつ、前記半導体素子と前記リードフレームとを、前記はんだにより接合した後、前記1対のリードフレーム、前記半導体素子、および前記スペーサを樹脂モールドすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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Cited By (2)
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JP2020113651A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2024038665A1 (ja) * | 2022-08-16 | 2024-02-22 | 日立Astemo株式会社 | 電子装置、電子装置の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55107238A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2007123566A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011044624A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置および車載用交流発電機 |
JP2013149796A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2014080449A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55107238A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2007123566A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011044624A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置および車載用交流発電機 |
JP2013149796A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2014080449A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020113651A (ja) * | 2019-01-11 | 2020-07-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7180392B2 (ja) | 2019-01-11 | 2022-11-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2024038665A1 (ja) * | 2022-08-16 | 2024-02-22 | 日立Astemo株式会社 | 電子装置、電子装置の製造方法 |
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