JP6477517B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態に係る半導体装置1の模式的断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、リードフレーム11(コレクタ)と、リードフレーム12(エミッタ)とを備えている。リードフレーム11,12との間には、半導体素子13およびスペーサ(ターミナル)14が配置されており、半導体素子13およびスペーサ(ターミナル)14は、はんだ16により接合されている。さらに、リードフレーム11と半導体素子13とは、はんだ16により接合されており、リードフレーム12とスペーサ14も、はんだ16により接合されている。1対のリードフレーム11,12、半導体素子13およびスペーサ14は、樹脂19により一体的に樹脂成形(樹脂モールド)されている。なお、図1では、半導体素子13に接続されるボンディングワイヤ等は省略している。
Claims (1)
- Ni層が形成された1対のリードフレーム間において、半導体素子およびスペーサが前記リードフレームにはんだにより接合された後、前記1対のリードフレーム、前記半導体素子、および前記スペーサが樹脂モールドされた半導体装置の製造方法であって、
前記はんだに、はんだ全体を100質量%としたときに、Cuを0〜0.7質量%含有し、残部がSnおよび不可避不純物からなるはんだを用い、
前記はんだと前記リードフレームとの間に、Cuを配置しつつ、前記半導体素子と前記リードフレームとを、前記はんだにより接合した後、前記1対のリードフレーム、前記半導体素子、および前記スペーサを樹脂モールドすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
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