TWI404185B - 電子零件用的金屬導線架 - Google Patents

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Iljin Copper Foil Co Ltd
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Description

電子零件用的金屬導線架
本發明是有關於一種適用於電子零件的金屬導線架(metal frame)，且特別是有關於一種適用於電子零件且能夠最小化晶鬚(whiskers)所造成之缺陷(defects)的金屬導線架。
用於各種電性元件與電子元件的電子零件包括：諸如半導體元件等的電子構件或電子發光元件；以及金屬導線架，其將電子構件以電性方式連接至外部電路元件，且具有支撐作用，以保持電子構件的形狀。電子零件用的典型金屬導線架是半導體封裝(semiconductor package)中使用的引線框架(lead frame)。
電子零件用的金屬導線架以電性方式連接至安裝在金屬導線架上的電子構件，也以電性方式連接至外部電路元件。在大多數情形下，與外部電路元件的電性連接可透過焊接(soldering)來達成。
焊接是一種用來接合(bonding)技術，其使用熔點(melting point)等於或低於450℃的焊料藉由僅熔化此焊料而不熔化基底金屬(base metal)來接合想要接合的目標材料。
近年來，隨著國際間對鉛(Pb)的使用管制逐漸嚴厲，以錫為主要成分的無鉛(Pb-free tin-based)焊料合金已普遍用於焊接。無鉛焊料合金的主要典型範例有錫-銀(Ag)基合金、錫-銅(Cu)基合金、錫-鉍(Bi)基合金、錫-鋅(Zn)基合金，這些無鉛焊料合金以錫為主要成分，且適當地添加銀、銅、鋅、銦(In)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鍺(Ge)、磷(P)以及鎵(Ga)。
同時，金屬導線架與電子元件裝配在一起，以形成電子零件。常使用的是銅基合金，其具有極佳的導電性與鉛可焊性(Pd solderability)，且使用錫基合金來進行表面電鍍(surface plating)。
然而，當金屬導線架經過在長時間的久使用之後，此金屬導線架與焊料合金之間或金屬導線架的表面上容易形成晶須晶鬚。這些晶鬚晶須是當不同的材料相互接合且兩種材料之間發生相互擴散(mutual diffusion)時在材料表面上形成的突出晶體(protruding crystals)，且這些晶須晶鬚對熱與濕度敏感。如果金屬導線架的表面上形成有晶須晶鬚，那麼電路中就會發生電短路的現象，從而縮短電子零件的壽命。
本發明提供一種適用於電子零件的金屬導線架，此金屬導線架能夠最小化晶鬚所造成之諸如電短路的缺陷。
依照本發明的一觀點，提供一種適用於電子零件的金屬導線架，此金屬導線架包括引線單元，此引線單元以電性方式連接至電子元件，其中引線單元包括第一金屬層，此第一金屬層是以銅(Cu)為主要成分且更包括硼(B)或鈹(Be)。
硼或鈹在所述第一金屬層中佔0.005至0.5 wt%，而銅與雜質佔剩餘的重量百分比。
第一金屬層可更包括鐵(Fe)，且鐵在所述第一金屬層中佔0.1至6 wt%。
第一金屬層可更包括磷(P)，且磷在所述第一金屬層中佔0.006至0.2 wt%。
第一金屬層可與至少一個引線單元形成一整體。
金屬導線架可更包括安裝單元(mounting unit)，電子元件安裝在此安裝單元上，且安裝單元與引線單元可用相同的材料來形成。
金屬導線架可更包括以錫為主要成分的第二金屬層，此第二金屬層是位於引線單元的表面上，且以電性方式連接到至少一個電子元件。在此情形下，第二金屬層可以是以純錫形成的電鍍層。
依照本發明，可提供一種適用於電子零件且能抑制晶鬚形成的金屬導線架。
在金屬導線架的至少一個表面上形成錫基金屬層或甚至是純錫電鍍層也可避免晶鬚的形成。因此，可提供一種質優價廉的電子零件用金屬導線架。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下面將參照所附圖式藉由闡述本發明之實施例來詳細描述本發明。然而，本發明也可體現為許多不同的形態，而不應侷限於本說明書所列舉的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使揭露的內容更透徹更完整，且將本發明的概念充分地傳遞給本領域具有通常技藝者。
圖1是依照本發明之一實施例的一種適用於半導體封裝的引線框架10的平面圖，其為適用於電子零件的金屬導線架的範例。圖2是一種半導體封裝的橫剖面圖，且圖2所示的半導體封裝為對圖1所示之引線框架10進行模製製程(molding process)所得到的半導體封裝。
請參照圖1，引線框架10包括：晶粒墊(die pad)11，此晶粒墊11用作安裝單元，也就是另一個元件(諸如半導體晶片12等記憶體元件)被安裝在晶粒墊上；以及引線單元15，用以將半導體晶片12以電性方式連接至外部電路。依照本實施例的引線單元15可包括：內引線13，藉由電線接合(wire bonding)連接至半導體晶片12；以及外引線14，用以將半導體晶片12連接至外部電路。
如圖2所示，半導體晶片12被安裝在晶粒墊11上，且半導體晶片12透過電線16與內引線13接合，然後用樹脂保護器(resin protector)17來模製引線框架10，且利用樹脂保護器17來支撐引線框架10。
在引線框架10的上述結構中，至少一個引線單元15、特別是外引線14可利用以銅(Cu)為主要成分的合金來形成。此外，至少一個引線單元15、特別是外引線14可包括第一金屬層，此第一金屬層以銅為主要成分且更包含硼(B)或鈹(Be)。此處，以銅為主要成分的合金是指以銅為基主的多元合金(poly-alloy)，其主要成分是銅，在此情形下，銅可至少佔80wt%。由於引線單元15是以銅為主要成分，所以其具有足夠的導電性與強度來作為引線單元。
依照本實施例，第一金屬層可位於引線框架10的至少一個引線單元15與至少一焊料材料相接合的部分上，且可與至少一個引線單元15形成一整體。整個引線單元15可以是單一的第一金屬層。
在引線框架10中，引線單元15、特別是外引線14、更特別是第一金屬層可透過以錫為主要成分的焊料材料而以電性方式連接至外部電路。在此情形下，如同先前技術所述，引線單元15中的銅成分與焊料材料中的錫成分之間的相互擴散可導致晶鬚的形成。
為了抑制晶鬚的形成，本發明人在以銅為主要成分之引線單元15的第一金屬層中添加鈹或硼來作為次要成分。
電子零件用的金屬導線架(例如，半導體封裝用的引線框架)透過以錫為主要成分的焊料材料來與外部電路接合。在此情形下，金屬導線架與焊料材料之間的反應會導致焊料材料的表面上形成晶鬚，而導致晶鬚形成的原因至今仍未明。
本發明人注意到一個事實，若以銅為主要成分的金屬導線架與以錫為主要成分的焊料材料接合，則金屬導線架與焊料材料之間就會發生相互擴散。
詳細地說，當金屬導線架中的銅成分與焊料材料中的錫成分之間發生相互擴散時，銅成分從金屬導線架擴散至焊料材料的速度會大於錫成分從焊料材料擴散至金屬導線架的速度。特定言之，銅成分沿著焊料材料之晶界(grain boundaries)的擴散速度很大。而後，金屬導線架與焊料材料之間的接合介面(bonding interface)上會形成金屬間化合物(intermetallic compound)CuxSny。
本發明人認為，這種相互擴散造成焊料材料中產生壓應力(compressive stress)，而為了減小這樣的壓應力，焊料材料的表面上會形成毛髮狀單晶體(single crystals)，即晶鬚。
因此，本發明人提出一種抑制晶鬚形成的方法，此方法是藉由將原子尺寸很小的金屬滲透到焊料材料中之錫晶體的間隙位置(interstitial sites)來抑制銅與錫之間的金屬間擴散，以抑制金屬導線架與焊料材料之間的相互擴散，進而減小焊料材料中的壓應力。詳細地說，當銅與錫之間發生相互擴散時，金屬導線架的第一金屬層中所含的原子尺寸很小的金屬在滲透到銅裡面之前會先滲透到錫晶體的間隙位置。因此，銅與錫之間的金屬間擴散會被抑制。
鈹與硼被用作原子尺寸小的金屬。
如此一來，第一金屬層除了以銅為主要成分的合金以外，其還可包含作為次要成分的鈹或硼，且第一金屬層可僅包含銅與鈹或銅與硼。
銅基合金中所含的鈹或硼可佔大約0.005wt%至0.5wt%。
與“次要成分(即，鈹或硼)小於0.005wt%”的情形相比，大約0.005wt%至大約0.5wt%的鈹或硼足以藉由使鈹或硼擴散至焊料材料中之錫晶體的間隙位置來抑制晶鬚的形成。如此一來，即便是在諸如熱衝擊測試(thermal shock test)與固定溫度及濕度測試等嚴峻條件下，晶鬚也不會形成，稍後將對此進行描述。此時，若次要成分(即，鈹或硼)大於0.005wt%，則滲透到銅之間隙位置的鈹或硼會達到飽和，所以反而導致成本提高且降低經濟效益。
在依照本實施例的引線框架10中，晶粒墊11與引線單元15可用相同的材料來形成。詳細地說，晶粒墊11與引線單元15可利用相同的板料來衝壓成形(press-formed)。
第一金屬層可更包含鐵(Fe)，以提高其剛性(rigidity)。
鐵可佔大約0.1wt%至大約6wt%。
由於鐵的存在可以提升沈澱強化(precipitation strengthening)，進而可提高合金的強度。
另外，引線框架10可更包含磷(P)。
磷可佔大約0.006wt%至大約0.2wt%。
磷可提高合金的強度。
此外，第一金屬層可更包含少量鎳(Ni)、錫、銦(ln)、鎂(Mg)、錳(Mn)、矽(Si)、鈦(Ti)、鉻(Cr)等，目的是提高合金的強度，且第一金屬層可更包含鋅(Zn)，目的是提高氧化層的黏性、耐熱性以及相對於焊料材料的抗分離性(separation resistance)。
同時，依照本發明之另一實施例，如圖3所示，至少一個引線單元15、特別是外引線14可更包括第二金屬層20，以防止引線框架10被侵蝕，且強化與焊料材料的接合。為了加強與焊料材料的接合，第二金屬層20以錫為主要成分。
如上所述，以錫為主要成分的第二金屬層20也可避免因引線框架10與第二金屬層20之間發生反應而造成第二金屬層20或焊料材料的表面上形成晶鬚。
詳細地說，由於引線框架10中所含的鈹或硼擴散到錫晶體的間隙位置，所以銅與錫之間的擴散被抑制，進而抑制了晶鬚的形成。
因此，對於有第二金屬層20形成於其上的引線框架10，即便是長時間過後也能夠抑制晶鬚的形成。
同時，依照本實施例，第二金屬層20可以是用純錫所形成的電鍍層。
在一般的引線框架中，通常是採用的是利用錫基金屬來進行電鍍以加強與錫基焊料材料的接合，但由於利用純錫來進行電鍍會促使晶鬚的形成，所以並不適用。
然而，依照本實施例，由於引線框架10是用銅成分中含有鈹或硼的金屬材料來形成的，所以儘管引線框架10上形成由純錫構成的電鍍層，但如上文所述，此電鍍層與引線框架10的基底金屬之間的擴散可被抑制，因此可防止晶鬚形成。
純錫比合金錫便宜且其與焊料材料之間的接合極佳。依照本實施例，引線框架10上可形成用純錫構成的電鍍層。
如此一來，可以提供具有極佳特性、無晶鬚且價格低廉的引線框架10。
同時，如圖3所示，第二金屬層20可形成在引線單元15的整個表面上，特別是形成在外引線14的整個表面上。為了防止整個引線框架10被侵蝕，第二金屬層20可形成在包括晶粒墊11之引線框架10的整個表面上。
然而，若要執行額外的處理，也可以是在外引線14與焊料材料之間的接合部分14a的表面上形成第二金屬層20。
再者，除了依照上述實施例的引線框架10之外，本發明還可適用於另一種半導體封裝導線架，諸如球柵陣列(ball grid array,BGA)，也可適用於電子零件用的另一種金屬導線架，諸如連接件(connector)。
本發明可應用於與錫基底金屬材料相接觸的各種電子零件用金屬導線架。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．引線框架
11．．．晶粒墊
12．．．半導體晶片
13、14．．．引線
14a．．．接合部分
15．．．引線單元
16．．．電線
17．．．樹脂保護器
20．．．金屬層
A．．．部分
圖1是依照本發明之一實施例的一種適用於半導體封裝的引線框架的平面圖，其作為適用於電子零件的金屬導線架的範例。
圖2是一種半導體封裝的橫剖面圖，且圖2所示的半導體封裝為對圖1所示之引線框架進行模製製程所得到的半導體封裝。
圖3是圖2所示之部分A的另一範例的放大橫剖面圖。
14．．．引線
14a．．．接合部分
20．．．金屬層

Claims (10)

  1. 一種金屬導線架，適用於電子零件，所述金屬導線架包括引線單元，所述引線單元以電性方式連接至電子元件，其中所述引線單元包括由合金所形成的第一金屬層，所述合金包含以銅(Cu)為主要成分且更包含硼(B)或鈹(Be)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬導線架，其中硼或鈹在所述第一金屬層中佔0.005至0.5 wt%，而銅與雜質佔剩餘的重量百分比。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬導線架，其中所述合金更包含鐵(Fe)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之金屬導線架，其中鐵在所述第一金屬層中佔0.1至6 wt%。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之金屬導線架，其中所述合金更包含磷(P)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之金屬導線架，其中磷在所述第一金屬層中佔0.006至0.2 wt%。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中之任一項所述之金屬導線架，其中所述第一金屬層與至少一個所述引線單元形成一整體。
  8. 如申請專利範圍第1項至第6項中之任一項所述之金屬導線架，更包括安裝單元，所述電子元件安裝在所述安裝單元上，其中所述安裝單元與所述引線單元是由相同的材料 所形成。
  9. 如申請專利範圍第1項至第6項中之任一項所述之金屬導線架，更包括以錫為主要成分的第二金屬層，所述第二金屬層是位於所述第一金屬層的表面上，且以電性方式連接到至少一個所述電子元件。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之金屬導線架，其中所述第二金屬層是用純錫來形成的電鍍層。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198883A (en) * 1988-08-06 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same
TW447055B (en) * 1999-10-01 2001-07-21 Samsung Aerospace Ind Lead frame and method for plating the same
US20050230822A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 Availableip.Com NANO IC packaging

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947751A (ja) * 1982-09-13 1984-03-17 Nippon Mining Co Ltd 半導体機器のリ−ド材用銅合金
JPS59117144A (ja) * 1982-12-23 1984-07-06 Toshiba Corp リ−ドフレ−ムおよびその製造方法
JPS6250426A (ja) * 1985-08-29 1987-03-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子機器用銅合金
JPH04276037A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Yamaha Corp リードフレーム用銅合金
JP3728776B2 (ja) * 1995-08-10 2005-12-21 三菱伸銅株式会社 めっき予備処理工程中にスマットが発生することのない高強度銅合金
US5833920A (en) * 1996-02-20 1998-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Copper alloy for electronic parts, lead-frame, semiconductor device and connector
JP2868463B2 (ja) * 1996-05-30 1999-03-10 九州日本電気株式会社 電子部品
EP0854200A1 (en) * 1996-10-28 1998-07-22 BRUSH WELLMAN Inc. Copper-beryllium alloy
JP3326085B2 (ja) * 1996-12-20 2002-09-17 日本碍子株式会社 ＴＡＢテープ並びにそれに用いるＢｅ−Ｃｕ合金箔およびその製造方法
JPH11260993A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半田耐熱剥離性に優れる半導体装置用銅合金リード材
JP4043118B2 (ja) * 1998-11-13 2008-02-06 株式会社神戸製鋼所 耐熱性に優れる電気・電子部品用高強度・高導電性Ｃｕ−Ｆｅ系合金板
TW459364B (en) * 1999-04-28 2001-10-11 Ind Tech Res Inst Method and structure for strengthening lead frame used for semiconductor
JP2001032029A (ja) * 1999-05-20 2001-02-06 Kobe Steel Ltd 耐応力緩和特性に優れた銅合金及びその製造方法
KR100450091B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 장치용 다층 도금 리드 프레임
US7090732B2 (en) * 2000-12-15 2006-08-15 The Furukawa Electric, Co., Ltd. High-mechanical strength copper alloy
US7391116B2 (en) * 2003-10-14 2008-06-24 Gbc Metals, Llc Fretting and whisker resistant coating system and method
KR100824250B1 (ko) * 2005-08-01 2008-04-24 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 금속 리드 부재를 피쳐링하는 반도체 패키지
JP2007254860A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Fujitsu Ltd めっき膜及びその形成方法
JP5191915B2 (ja) * 2009-01-30 2013-05-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198883A (en) * 1988-08-06 1993-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having an improved lead arrangement and method for manufacturing the same
TW447055B (en) * 1999-10-01 2001-07-21 Samsung Aerospace Ind Lead frame and method for plating the same
US20050230822A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-20 Availableip.Com NANO IC packaging

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