JP2009501434A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 11
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- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 4
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
Claims (20)
- 研磨された表面を有する基板；
前記基板の研磨された表面上に形成された平坦化層；
前記平坦化層に結合した単結晶層
を含む半導体装置。 - 前記研磨された表面が、１０ｎｍ以下の２乗平均表面粗さ値を有する請求項１の半導体装置。
- 少なくとも１つのトレンチが、少なくとも１つの平坦化層又は単結晶層に形成される請求項１又は２の半導体装置。
- 前記トレンチが、２０００μｍまで離れたピッチを有する請求項３の半導体装置。
- 前記トレンチが、約１５００〜１７００μｍのピッチを有する請求項３又は４の半導体装置。
- 前記基板が、ＳｉＣ、グラファイト、ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＢＮ、ＧａＮ又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項１〜５のいずれか１つの半導体装置。
- 前記基板が、多結晶ＳｉＣを含む請求項１〜６のいずれか１つの半導体装置。
- 前記平坦化層が、Ｓｉを含む請求項１〜７のいずれか１つの半導体装置。
- 前記単結晶層が、Ｓｉを含む請求項１〜８のいずれか１つの半導体装置。
- 前記単結晶層上にエピタキシャル層を更に含む請求項１〜９のいずれか１つの半導体装置。
- 基板を提供し；
前記基板表面を研磨し；
前記基板の表面上に平坦化層を形成し；
前記平坦化層に単結晶層をボンディングすることを含む半導体装置の製造方法。 - 前記単結晶層を前記平坦化層にボンディングする段階の前に、少なくとも１つの前記平坦化層又は前記単結晶層に少なくとも１つのトレンチを形成することを更に含む請求項１１の方法。
- 前記研磨が、ダイヤモンドベース機械研磨を使用して行われる請求項１１又は１２の方法。
- 前記単結晶層の前記平坦化層へのボンディングが、真空下、約２０〜５０℃の温度で、前記平坦化層に前記単結晶層を加圧することにより行われる請求項１１〜１３のいずれか１つの方法。
- 前記平坦化層の前記単結晶層へのボンディング工程の後、約１１５０℃までの温度でのアニールを更に含む請求項１１〜１４のいずれか１つの方法。
- 前記研磨された表面が、１０ｎｍ以下の２乗平均表面粗さ値を有する請求項１１〜１５のいずれか１つの方法。
- 前記トレンチが、２０００μｍまで離れたピッチを有する請求項１２〜１６のいずれか１つの方法。
- 前記基板が、ＳｉＣ、グラファイト、ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＢＮ、ＧａＮ又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項１１〜１７のいずれか１つの方法。
- 前記基板が多結晶ＳｉＣを含み、前記平坦化層がＳｉを含み、前記単結晶層がＳｉを含む請求項１１〜１８のいずれか１つの方法。
- 単結晶層上にエピタキシャル層を形成することを更に含む請求項１１〜１９のいずれか１つの方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US69123505P | 2005-06-17 | 2005-06-17 | |
| US11/326,439 US20060284167A1 (en) | 2005-06-17 | 2006-01-06 | Multilayered substrate obtained via wafer bonding for power applications |
| PCT/US2006/023244 WO2006138422A1 (en) | 2005-06-17 | 2006-06-14 | Multilayerd substrate obtained via wafer bonding for power applications |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009501434A JP2009501434A (ja) | 2009-01-15 |
| JP2009501434A5 true JP2009501434A5 (ja) | 2009-07-30 |
Family
ID=37057348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008517091A Pending JP2009501434A (ja) | 2005-06-17 | 2006-06-14 | 電力用途へのウェハーボンディングを介して得られた多層基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060284167A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009501434A (ja) |
| TW (1) | TW200704835A (ja) |
| WO (1) | WO2006138422A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
| WO2008096194A1 (en) * | 2007-02-08 | 2008-08-14 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of fabrication of highly heat dissipative substrates |
| US8461626B2 (en) * | 2007-07-09 | 2013-06-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Hetero-structure field effect transistor, integrated circuit including a hetero-structure field effect transistor and method for manufacturing a hetero-structure field effect transistor |
| US8217498B2 (en) * | 2007-10-18 | 2012-07-10 | Corning Incorporated | Gallium nitride semiconductor device on SOI and process for making same |
| US8143654B1 (en) * | 2008-01-16 | 2012-03-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Monolithic microwave integrated circuit with diamond layer |
| WO2009128776A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Vallin Oerjan | Hybrid wafers with hybrid-oriented layer |
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| JP5404135B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 株式会社ブリヂストン | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 |
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| US11664357B2 (en) * | 2018-07-03 | 2023-05-30 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
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| CN111697071B (zh) * | 2019-03-11 | 2023-11-24 | 比亚迪半导体股份有限公司 | Mos场效应晶体管及制备的方法、电子设备 |
| CN110491826B (zh) * | 2019-07-31 | 2020-09-29 | 北京工业大学 | 化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法 |
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-
2006
- 2006-01-06 US US11/326,439 patent/US20060284167A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-14 JP JP2008517091A patent/JP2009501434A/ja active Pending
- 2006-06-14 WO PCT/US2006/023244 patent/WO2006138422A1/en active Application Filing
- 2006-06-16 TW TW095121507A patent/TW200704835A/zh unknown
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