JP2009501434A - 電力用途へのウェハーボンディングを介して得られた多層基板 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
発明の背景
発明の分野
多層装置構造は、広い格子不整合を有する材料から製造される。
窒化ガリウム(GaN)は、ワイドバンドギャップ半導体材料であり、高速、高電力(high power)トランジスタ装置での潜在用途を有している。これら装置の製造における主な欠点の1つは、エピタキシャル成長用に好適な基板の入手可能性が限定されることである。大きな面積を有する低コストである高品質バルク単結晶基板が、装置製造用に窒化ガリウムエピタキシャル層の成長に望まれている。関連技術の一例において、GaNエピタキシャル層は、単結晶GaN基板上に、ホモエピタキシャル成長させている。しかし、これらのウェハーのコストが極めて高く、入手可能性が極めて低い。
従って、高電力半導体装置の開発には、良好な熱伝導性と優れた電気特性を有する、新規で、低コストの基板が要求されている。
従って、本発明の1つの観点は、関連技術の制限と欠点による1つ以上の問題を実質的に除去する多層基板を提供することに関する。
1つの技術の観点は、研磨された表面を有する基板、研磨された基板の表面上に形成された平坦化層、及び平坦化層上に形成された単結晶層を含む半導体装置に関する。
先の一般的な記述及び以下の発明の詳細な記述の両方が、代表的でありかつ説明的であり、請求したように発明の更なる説明を提供しうることを理解されるべきである。
添付された図面は、発明の更なる理解を提供するために含まれ、この出願に含まれ、この出願の一部を構成し、発明の主要な説明を果たす記述と共に発明の実施の形態を説明している。
図1は、本発明の実施の形態により形成された多層装置を示す、
図2は、本発明の実施の形態により多層装置を形成する方法のフロー図を示す、
図3aは、本発明の代表的な実施の形態による、研磨前のSiCウェハーの原子間力顕微鏡(AFM)の顕微鏡写真である、
図3bは、本発明の代表的な実施の形態による、研磨後のSiCウェハーの顕微鏡写真である、
図3cは、本発明の代表的な実施の形態による、化学的機械研磨(CMP)後のSiで被覆されたSiCウェハーを示す、
図4は、平坦化層の上面に形成されたトレンチを示す。
図5bは、本発明の代表的な実施の形態による、約1500〜1700μm離れた間隔を有するトレンチを備えた結合基板を示す、
図6は、本発明の実施の形態による代表的なボンディングプロフィールを示す、
図7は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図8は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図10は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図11は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図12は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図13は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図15は、本発明の好ましい実施の形態による半導体装置を製造する工程段階を示す、
図16aは、本発明の実施の形態による、細線化処理(thinning)前の多結晶SiCに結合させたバルクウェハーの一例の音波顕微鏡ソノスキャン像を示す、
図16bは、本発明の実施の形態による、多結晶炭化ケイ素基板に結合させたsilicon on insulator (SOI)の一例の音波顕微鏡ソノスキャン像を示す、
図17は、図7bに示された一対のウェハーの断面図を示す。
ここに、本発明の好ましい実施の形態、添付された図面で説明された実施例について、詳細に言及がなされるであろう。
多層半導体は、ボンディングするウェハーを介して移行した単結晶膜の電気的特性を備えた多結晶基板の良好な熱及び電気的特性を利用している。その構造には、例えば炭化ケイ素基板のような、研磨された多結晶基板が含まれる。シリコン(Si)、窒化シリコン(SiN)又は酸化シリコン(SiO2)の平坦化層が、スパッタリング、CVD又は他の適切な方法を使用し、続いて研磨されることにより表面に適用される。基板は、バルクシリコンウェハー又はsilicon on insulator(SOI)ウェハーのいずれかに結合される。シリコン(SOI)ウェハーは、所望の厚さに薄肉化される。
炭化シリコンへのシリコンの良好な結果の移行、(1)バルクシリコンウェハーから炭化シリコンへのシリコン層の移行、及び(2)SOIから炭化シリコンへのシリコン層の移行、を2つの実施例で示す。2つのソノスキャン像を図16aと16bに示す。図16aに示すバルクシリコンは、研磨された多結晶炭化シリコンウェハーを使用するボンディング工程をテストするための第1の試験用に使用される。中心領域は、シリコン層の平坦化に起因しうる小さなボイドを示している。この特定のウェハーのセットは、ほぼ100μmに薄肉化された。
Claims (20)
- 研磨された表面を有する基板;
前記基板の研磨された表面上に形成された平坦化層;
前記平坦化層に結合した単結晶層
を含む半導体装置。 - 前記研磨された表面が、10nm以下の2乗平均表面粗さ値を有する請求項1の半導体装置。
- 少なくとも1つのトレンチが、少なくとも1つの平坦化層又は単結晶層に形成される請求項1の半導体装置。
- 前記トレンチが、2000μmまで離れたピッチを有する請求項3の半導体装置。
- 前記トレンチが、約1500〜1700μmのピッチを有する請求項3の半導体装置。
- 前記基板が、SiC、グラファイト、ダイヤモンド、AlN、ZnSe、BN、GaN又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項1の半導体装置。
- 前記基板が、多結晶SiCを含む請求項1の半導体装置。
- 前記平坦化層が、Siを含む請求項1の半導体装置。
- 前記単結晶層が、Siを含む請求項1の半導体装置。
- 前記単結晶層上にエピタキシャル層を更に含む請求項1の半導体装置。
- 基板を提供し;
前記基板表面を研磨し;
前記基板の表面上に平坦化層を形成し;
前記平坦化層に単結晶層をボンディングすることを含む半導体装置の製造方法。 - 前記単結晶層を前記平坦化層にボンディングする段階の前に、少なくとも1つの前記平坦化層又は前記単結晶層に少なくとも1つのトレンチを形成することを更に含む請求項11の方法。
- 前記研磨が、ダイヤモンドベース機械研磨を使用して行われる請求項11の方法。
- 前記単結晶層の前記平坦化層へのボンディングが、真空下、約20〜50℃の温度で、前記平坦化層に前記単結晶層を加圧することにより行われる請求項11の方法。
- 前記平坦化層の前記単結晶層へのボンディング工程の後、約1150℃までの温度でのアニールを更に含む請求項11の方法。
- 前記研磨された表面が、10nm以下の2乗平均表面粗さ値を有する請求項11の方法。
- 前記トレンチが、2000μmまで離れたピッチを有する請求項12の方法。
- 前記基板が、SiC、グラファイト、ダイヤモンド、AlN、ZnSe、BN、GaN又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項11の方法。
- 前記基板が多結晶SiCを含み、前記平坦化層がSiを含み、前記単結晶層がSiを含む請求項1の方法。
- 単結晶層上にエピタキシャル層を形成することを更に含む請求項1の方法。
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---|---|---|---|---|
US7456443B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Transistors having buried n-type and p-type regions beneath the source region |
JP5271279B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2013-08-21 | ソイテック | 高熱消散基板を製造する方法 |
EP2168162B1 (en) * | 2007-07-09 | 2016-02-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Hetero-structure field effect transistor, integrated circuit including a hetero-structure field effect transistor and method for manufacturing a hetero-structure field effect transistor |
US8217498B2 (en) * | 2007-10-18 | 2012-07-10 | Corning Incorporated | Gallium nitride semiconductor device on SOI and process for making same |
US8143654B1 (en) * | 2008-01-16 | 2012-03-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Monolithic microwave integrated circuit with diamond layer |
WO2009128776A1 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Vallin Oerjan | Hybrid wafers with hybrid-oriented layer |
JP5404135B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 株式会社ブリヂストン | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 |
US8822306B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-09-02 | Infineon Technologies Ag | Method for manufacturing a composite wafer having a graphite core, and composite wafer having a graphite core |
US8741739B2 (en) | 2012-01-03 | 2014-06-03 | International Business Machines Corporation | High resistivity silicon-on-insulator substrate and method of forming |
US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
TWI538018B (zh) * | 2013-03-27 | 2016-06-11 | Ngk Insulators Ltd | Semiconductor substrate for composite substrate |
KR102361057B1 (ko) * | 2016-06-14 | 2022-02-08 | 큐로미스, 인크 | 전력 및 rf 애플리케이션을 위한 가공된 기판 구조체 |
US10297445B2 (en) | 2016-06-14 | 2019-05-21 | QROMIS, Inc. | Engineered substrate structure for power and RF applications |
WO2018186156A1 (ja) * | 2017-04-07 | 2018-10-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | グラファイト複合フィルム及びその製造方法 |
CN107742606B (zh) * | 2017-10-30 | 2024-04-02 | 桂林电子科技大学 | 一种键合晶圆的结构及其制备方法 |
WO2020010056A1 (en) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
CN112368828A (zh) * | 2018-07-03 | 2021-02-12 | 伊文萨思粘合技术公司 | 在微电子学中用于接合异种材料的技术 |
WO2020012986A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
CN109273526A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-25 | 深圳市华讯方舟微电子科技有限公司 | 一种高性能晶体管及其制造方法 |
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Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
US5204282A (en) * | 1988-09-30 | 1993-04-20 | Nippon Soken, Inc. | Semiconductor circuit structure and method for making the same |
US20030087503A1 (en) * | 1994-03-10 | 2003-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for production of semiconductor substrate |
US5759908A (en) * | 1995-05-16 | 1998-06-02 | University Of Cincinnati | Method for forming SiC-SOI structures |
US6194290B1 (en) * | 1998-03-09 | 2001-02-27 | Intersil Corporation | Methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding |
US6328796B1 (en) * | 1999-02-01 | 2001-12-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Single-crystal material on non-single-crystalline substrate |
US6242324B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-06-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for fabricating singe crystal materials over CMOS devices |
FR2817394B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
US6497763B2 (en) * | 2001-01-19 | 2002-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electronic device with composite substrate |
US6433589B1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Sense amplifier and method for sensing signals in a silicon-on-insulator integrated circuit |
US7244628B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor devices |
WO2005041292A1 (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-06 | Sony Corporation | Method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor substrate |
JP2005129825A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体基板の製造方法 |
US20050211982A1 (en) * | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Ryan Lei | Strained silicon with reduced roughness |
US7365374B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-04-29 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material structures including substrates and methods associated with the same |
-
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010098151A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JPWO2010098151A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2012-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8536629B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-09-17 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5617835B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2014-11-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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