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  1. ０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、
    ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させることを有し、
    前記炭化珪素膜のエピタキシャル成長は、
    （１）オフ角が０．４°〜２°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を１〜３μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を３〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、
    （２）オフ角が２°〜５°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を２〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を１０〜２０μｍ／ｈとして行う、ことを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  2. 室温において主面が凸状に加工され、０．４°〜５°のオフ角を有する４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を準備する工程と、
    ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる工程と、
    を備えたことを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  3. 前記炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる工程は、
    （１）オフ角が０．４°〜２°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を１〜３μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を３〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、
    （２）オフ角が２°〜５°の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用いる場合は、炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる成長温度を１６００〜１６４０℃とするときは、成長速度を２〜４μｍ／ｈとして行い、成長温度を１６４０〜１７００℃とするときは、成長速度を４〜１０μｍ／ｈとして行い、成長温度を１７００〜１８００℃とするときは、成長速度を１０〜２０μｍ／ｈとして行う、ことを特徴とする請求項２に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  4. 前記凸の曲率半径が１０ｍ以上１０００ｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  5. 前記珪素含有ガス及び前記炭素含有ガスの供給を同時に行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  6. 前記ガスエッチングによって表面を清浄化する前に、前記４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板の表面の格子乱れ層が３ｎｍ以下となるまで研磨する工程を備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  7. 前記ガスエッチングを、水素雰囲気下で１４００〜１８００℃の温度で行うことを特徴とする１から４のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  8. 前記ガスエッチングにおいて、前記水素雰囲気に、珪素含有ガス及び／又は炭素含有ガスを添加して行うことを特徴とする請求項７に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  9. ０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
  10. ０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層中の積層欠陥の密度が１個／ｃｍ２以下であることを特徴とするＳｉＣエピタキシャルウェハ。
  11. 前記ＳｉＣエピタキシャル層の面方向の膜厚分布が２％以下であり、かつ、面方向のキャリア濃度分布が１０％以下であると共に、室温において前記ＳｉＣエピタキシャルウェハの主面が凸状に反り、該凸の曲率半径が１０ｍ以上１０００ｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項９又は１０のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハ。
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