JP7311009B2 - SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
直径が150mmのSiC基板を準備した。図3に示す成膜装置100と同様の縦型炉を用いてSiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。外周部42は、複数のSiC層が積層されたリング状の別部材を用いた。昇温工程は3段階として、2回昇温速度を変更した。1回目の昇温速度(第1昇温速度)は、100℃/min以上とした。2回目の昇温速度(第2昇温速度)は、第1昇温速度の80%未満とした。3回目の昇温速度(第3昇温速度)は、第2昇温速度の80%未満とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、350秒以上750秒未満であった。
直径が150mmのSiC基板を準備した。比較例1は、SiC基板の側方にガス供給口を有する横型炉を用いた。炉を構成する部材の一部は、SiCエピタキシャル層で被覆されていないカーボン部材を用いた。そして横型炉を用いて、SiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は1段階で、昇温速度は変更しなかった。昇温速度は、100℃/min以下とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、750秒以上であった。
Claims (6)
- SiC基板と、前記SiC基板に積層されたSiCのエピタキシャル層と、を備え、
前記エピタキシャル層は、導電型を決定する不純物と、前記不純物と導電型が異なるボロンと、を含み、
前記エピタキシャル層の中心における前記ボロンの濃度は2.0×1012cm-3以下である、SiCデバイス。 - パワーデバイスである、請求項1に記載のSiCデバイス。
- 高周波デバイスである、請求項1に記載のSiCデバイス。
- 高温動作デバイスである、請求項1に記載のSiCデバイス。
- バイポーラデバイスである、請求項1に記載のSiCデバイス。
- SiC基板にSiCのエピタキシャル層が形成されたSiCエピタキシャルウェハを用いてSiCデバイスを作製する工程を有し、
前記エピタキシャル層は、導電型を決定する不純物と、前記不純物と導電型が異なるボロンと、を含み、
前記SiCエピタキシャルウェハは、前記エピタキシャル層の中心における前記ボロンの濃度が2.0×1012cm-3以下である、SiCデバイスの製造方法。
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