JP7448076B2 - SiCエピタキシャルウェハ - Google Patents
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Description
直径が150mmのSiC基板を準備した。図3に示す成膜装置100と同様の縦型炉を用いてSiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。外周部42は、複数のSiC層が積層されたリング状の別部材を用いた。昇温工程は3段階として、2回昇温速度を変更した。1回目の昇温速度(第1昇温速度)は、100℃/min以上とした。2回目の昇温速度(第2昇温速度)は、第1昇温速度の80%未満とした。3回目の昇温速度(第3昇温速度)は、第2昇温速度の80%未満とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、350秒以上750秒未満であった。
直径が150mmのSiC基板を準備した。比較例1は、SiC基板の側方にガス供給口を有する横型炉を用いた。炉を構成する部材の一部は、SiCエピタキシャル層で被覆されていないカーボン部材を用いた。そして横型炉を用いて、SiC基板1上にエピタキシャル層2を成膜した。昇温工程は1段階で、昇温速度は変更しなかった。昇温速度は、100℃/min以下とした。成膜温度は、1600℃以上1700℃未満とした。昇温に要する時間は、750秒以上であった。
Claims (10)
- SiC基板と、前記SiC基板に積層されたSiCのエピタキシャル層と、を備え、
前記エピタキシャル層は、導電型を決定する不純物と、前記不純物と導電型が異なるボロンと、を含み、
前記エピタキシャル層の中心における二次イオン質量分析法で測定した前記ボロンの濃度は5.0×1012cm-3未満である、SiCエピタキシャルウェハ。 - 前記エピタキシャル層の外周から5mm内側の点における二次イオン質量分析法で測定したボロン濃度は、1.0×1014cm-3未満である、請求項1に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層における導電型を決定する不純物濃度の面内均一性は、20%以下である、請求項1又は2に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層における導電型を決定する不純物濃度の面内均一性は、10%以下である、請求項1~3のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記導電型を決定する不純物濃度の面内均一性は、SiCエピタキシャルウェハの中心を通る径方向の10点以上の測定点の結果から求められ、前記10点以上の測定点のうちの不純物濃度の最大値と最小値との差を、前記10点以上の測定点の不純物濃度の平均値で割った値である、請求項3又は4に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層における導電型を決定する不純物濃度は、1.0×1014cm-3以上3.0×1016cm-3以下である、請求項1~5のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層における導電型を決定する不純物濃度は、1.0×1014cm-3以上3.0×1015cm-3以下である、請求項1~6のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記導電型を決定する不純物は、窒素である、請求項1~7のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 直径が150mm以上である、請求項1~8のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 直径が200mm以上である、請求項1~9のいずれか一項に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
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