JP2005109408A - 縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置、SiCエピタキシャル成長方法及びSiCエピタキシャル成長膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置1は、エピタキシャル成長室2と、エピタキシャル成長室2内へガス供給制御するガス供給制御弁3と、エピタキシャル成長室2内をガス供給制御弁3と共に圧力制御する弁4と、エピタキシャル成長室2外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイル5と、エピタキシャル成長室2の中心に配置される角筒形状の黒鉛からなる第1サセプタ8と、第1サセプタ8内部に設けられる角筒形状の黒鉛からなる第2サセプタ9とを備えてなる。高速成長、高精度のエピ膜を得るには、装置1を用いた所定のエピ成長方法を用いる。
【選択図】図1
Description
例えば、下記非特許文献1、2に開示されるものがある。非特許文献1のものは、角筒形状のサセプタを使用したSiCエピ成長である。非特許文献2のものは、分割型の角筒状の本体に設けられた角筒状の断熱材の内壁において、対向するように配置された短冊形サセプタを使用したSiCエピ成長である。
A.Ellison、J.Zhang、A.Henry、E.janzen 「Epitaxial growth of SiC in a chimney CVD reactor」 Journal of Crystal Growth 236 2002年 p225−238 荒井和雄、吉田貞史 著「SiC素子の基礎と応用」、2003年、p62
上記構成により、第2サセプタが一体成形されてなる角筒形状であるため熱伝導の均一性が良く、均一なエピ膜厚の分布を得ることができる。また、第1サセプタも一体成形されてなる角筒形状であるためにほとんどの過電流が流れて発熱し、第2サセプタは第1サセプタからの熱伝導及び輻射によって間接的に加熱されるため、急激な発熱や急峻な温度変化を防止できる。その結果、ガスの流路となる第2サセプタ内壁の多結晶SiC被覆材の剥離やクラックの発生を抑制できる。
上記構成により、主に発熱は前記第2サセプタのSiCウェハを設置する面方向の第1サセプタの対向する2つの面で起こり、これらの面と垂直な方向で対向する2つの面の発熱は抑制される。その結果、ガス流路となる第2サセプタ内壁、特に、ガス流路の側面とコーナー部での多結晶SiC被覆材の剥離やクラックの発生を抑制できる。また、厚みの薄い壁面部では電流密度が増加するため、昇温時の加熱効率も良くできる。
上記構成により、黒鉛からなる第1サセプタに含まれる不純物の放出を防止する。特に、多結晶TaCで被覆されている場合には、TaCが高温特性に優れた材料であり、H2に対する耐食性にも優れているので、被覆材の昇華や黒鉛の露出を防止でき、不純物の放出を防止することができる。
上記構成により、ガスを効率よく加熱することができ、十分なガスの分解と供給を行うことができる。また、SiCエピ膜厚の均一性をよくすることができる。
上記構成により、黒鉛からなる第2サセプタに含まれる不純物の放出を防止する。特に、多結晶TaCで被覆されている場合には、TaCが高温特性に優れた材料であり、H2に対する耐食性にも優れているので、被覆材の昇華や黒鉛の露出を防止でき、不純物の放出を防止することができる。
上記構成により、第2サセプタの内壁の多結晶SiC又は多結晶TaCからなる被覆材が破損したとしても、SiCエピ膜への不純物の混入を防ぐことができる。また、単一材料からなるため第3サセプタ自体を厚くできるので、各サセプタの寿命を大幅に延ばすことができる。これらの結果から、各サセプタを長期間にわたり使用でき、安定して高純度のSiCエピ膜を得ることができる。
また、第3サセプタが上記構成のように設けられることで、第1サセプタと第2サセプタは半永久的に使用できるようになるので、定期的なメンテナンスは第3サセプタの交換のみでよいこととなる。その結果、メンテナンスが簡便であるだけでなく、コストを抑えることができ、さらに黒鉛からなる第1サセプタ及び第2サセプタから放出されるサセプタ交換時の不純物濃度の変動や汚染も抑制できる。
上記構成により、SiCウェハが設置されるサセプタの内壁の温度を設定した温度に変化させたり、保持したりすることができるので、より確実な温度制御が可能となる。その結果、高純度及び高平坦度でありながら高速成長するSiCエピ膜を確実に得ることが可能な縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を提供できる。
上記構成により、SiCウェハが設置されるサセプタの内壁の温度を設定した温度に変化させたり、保持したりすることができるので、より確実な温度制御が可能となる。その結果、高純度及び高平坦度でありながら高速成長するSiCエピ膜を確実に得ることが可能な縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を提供できる。
上記方法により、SiH4の流量を増加しても、効率よくガスが分解されSiCウェハ表面に輸送されるため、高速のSiCエピ成長を容易に得ることができる。
上記方法により、昇温中におけるSiCウェハ表面の表面荒れや異物の付着・形成を抑制し、SiCエピ成長膜のステップ状表面荒れの発生を防止するので、平坦性に優れるSiCエピ成長膜を提供できる。
上記方法により、微量なC3H8を供給することで、H2によるSiCウェハのエッチングやSiの蒸発・脱離を抑制することができ、平坦性に優れるSiCエピ成長膜を提供できる。
上記方法により、微量なSiH4を供給することで、H2によるSiCウェハのエッチングやSiの蒸発・脱離を抑制することができ、平坦性に優れるSiCエピ成長膜を提供できる。
上記構成により、平坦性に優れているSiCエピタキシャル成長膜を容易に得ることができる。
上記構成により、平坦性に優れているSiCエピタキシャル成長膜を容易に得ることができる。
上記構成により、低オン抵抗及び高耐圧のデバイスを作製できるSiCエピタキシャル成長膜を提供できる。
上記構成により、高純度で平坦性に優れている生産効率のよいSiCエピ膜を提供できる。
上記構成により、高純度で平坦性に優れている生産効率のよいSiCエピ膜を提供できる。
断熱材6は、RFコイル5で加熱された第1サセプタ8から放出される熱が、外部へ漏れないように遮断するものである。
出力制御装置11は、温度計10で計測された温度を基に、RFコイル5の出力を制御するものである。
また、圧力調整装置15により、エピタキシャル成長室2内の圧力の調整もできる。具体的には、エピタキシャル成長室2内の圧力を図示しない圧力計で測定し、その圧力値が圧力調整装置15で設定した値となるように、ガス供給制御弁3と弁4とを制御するものである。
この別の実施の形態の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置は、上記縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置1と同様の動作を行うことができる。
まず、第1の方法について説明する。上記各実施の形態の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置の第2サセプタ9又は第3サセプタ13の所定の位置にSiCウェハ12を設置する。このとき、エピ膜がSiCウェハの4H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、4H−SiCの(11−20)面、6H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、6H−SiCの(11−20)面のいずれかの上に形成されるようにしておくことが好ましい。そして、温度計10と出力制御装置11とによりRFコイル5の出力を調整しながら、成長温度が1500〜2200℃、好ましくは1700〜1900℃とする。また、ガス供給制御弁3及び圧力制御弁4によって、成長圧力を53.3kPa以下、好ましくは4.0〜13.3kPa、原料ガスであるSiH4ガスとキャリアガスであるH2ガスとの混合ガスの比SiH4/H2を0.10〜0.95mol%、好ましくは0.30〜0.50mol%となるように調整する。なお、このときC3H8も原料ガスとして供給される。
また、昇温中又はエピ成長中に窒素、ボロン、アルミニウム、リンの少なくとも1つによって5×1012〜3×1019cm-3の範囲でドーピング制御される。
また、上記第2の方法において、例えば、原料ガスにC3H8ガス及びSiH4ガスからなる混合ガス、キャリアガスにH2ガスを用いた場合には、1250〜2200℃までの範囲、好ましくは1350℃から、ガス供給制御弁3によって、C3H8ガスとH2ガスとの混合ガスの比C3H8/H2が0.0005mol%以上、好ましくは0.005〜0.3mol%のC3H8を供給するものであること、若しくは、1300〜2200℃までの範囲、好ましくは1450℃から、SiH4ガスとH2ガスとの混合ガスの比SiH4/H2が0.0005mol%以上、好ましくは0.005〜0.95mol%のSiH4を供給するものであることが好ましい。
上記構成により、成長速度が28〜30μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が3.2〜8.4×1012cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さ(10×10μm2当たりの表面粗さ。以下同様)が0.13〜0.25nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28〜30μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が5.5〜7.2×1012cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが0.13〜0.25nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.6〜5.0×1013cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが0.15nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28〜30μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.3〜2.4×1015cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが0.13〜0.25nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.8〜3.6×1015cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが0.13〜0.25nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.6〜5.0×1013cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが5.4nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.6〜5.0×1013cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが1.6nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
上記構成により、成長速度が28μm/hであって、アンドープ時の実効ドナー密度及びアクセプタ密度が0.6〜5.0×1013cm-3の純度で、10μm以上の厚膜での平均二乗粗さが3.1nmのSiCエピ膜(膜厚56〜60μm)を得た。
なお、SiCエピ膜中の不純物密度(実効ドナー密度及び実効アクセプタ密度)は、C−V(Capacitance−Voltage、容量−電圧)法によって評価したものである。
このように、比較例1、2において、n型のSiCエピ膜が得られたことは、ドナー型の不純物であるN(窒素)の取り込みが増加したことを示唆している。黒鉛サセプタ中のN(窒素)が、剥離やクラックを通して流路内に混入したと考えられる。
なお、実施例のサセプタをそれぞれ500回(1500時間)使用したが、不純物密度の増加は見られず、大幅なサセプタの寿命の向上を達成することができた。(表1、図4)
次に、AFMで表面粗さを評価したところ、実施例3は0.15nm、比較例3は5.4nm、比較例4は1.6nmならびに比較例5は3.1nmであった。AFMによる表面観察で実施例3は平坦な表面であったが、比較例4ではステップバンチングが観察された。
2 エピタキシャル成長室
2a 給気口
2b 排気口
3 ガス供給制御弁
4 圧力制御弁
5 RFコイル
6 断熱材
7 石英チューブ
8 第1サセプタ
9 第2サセプタ
10 温度計
11 出力制御装置
12 SiCウェハ
13 第3サセプタ
14 短冊型サセプタ
15 圧力調整装置
Claims (17)
- ガスが下から上の方向に流れるように給気口と排気口とが設けられている結晶成長を行うエピタキシャル成長室と、
前記エピタキシャル成長室の内部中心に中心軸が上下方向となるように配置され、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第1サセプタと、
前記第1サセプタの内部に設けられ、内壁にSiCウェハが対面して設置可能であって、黒鉛で一体成形されてなる角筒形状の第2サセプタと、
前記給気口側に設けられている前記エピタキシャル成長室内へのガスの供給を制御する手段と、
前記排気口側に設けられ、前記ガスの供給を制御する手段と共に、前記エピタキシャル成長室内の圧力を制御する弁と、
前記エピタキシャル成長室の外壁周辺部に螺旋状に配置されるRFコイルと
を備えてなる縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。 - 前記第1サセプタは、前記第2サセプタのSiCウェハを設置する面方向の前記第1サセプタの壁の厚さtと、前記厚さtの壁と垂直な方向の前記第1サセプタの壁の厚さWとの比t/Wが0.8以下である請求項1記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 前記第1サセプタが、多結晶SiC又は多結晶TaCで被覆されている請求項1又は2に記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 前記第2サセプタは、SiCウェハを設置する壁面同士の幅が3〜30mmである請求項1〜3のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 前記第2サセプタが、多結晶SiC又は多結晶TaCで被覆されている請求項1〜4のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 多結晶SiC単体からなり、前記第2サセプタの内壁の全体又は一部を覆い、かつ、内壁にSiCウェハが対面して設置可能な第3サセプタをさらに備えてなる請求項1〜5のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 前記第2サセプタの内壁の温度を計測する温度計をさらに備え、前記RFコイルの出力を制御する手段が、前記温度計により計測された温度を基に前記RFコイルの出力を制御する請求項1〜5のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 前記第3サセプタの内壁の温度を計測する温度計をさらに備え、前記RFコイルの出力を制御する手段が、前記温度計により計測された温度を基に前記RFコイルの出力を制御する請求項6記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を用い、かつ、原料ガスとしてSiH4ガスと、C2H2ガス、C2H4ガス又はC3H8ガス、キャリアガスとしてH2ガスをエピ成長中に用いるSiCエピタキシャル成長方法であって、成長温度が1500〜2200℃、成長圧力が53.3kPa以下、前記SiH4ガスと前記H2ガスとの混合ガスの比SiH4/H2が0.10〜0.95mol%であるSiCエピタキシャル成長方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を用いたSiCエピタキシャル成長方法であって、昇温速度が100℃/min以上、昇温時の圧力が6.7〜101.3kPaとして、キャリアガスにはH2、Ar又はHeを用いて、原料ガスにはC2H2ガス、C2H4ガス、C3H8ガス、SiH4ガス、又は、C2H2ガス、C2H4ガス、C3H8ガスのうち何れか一つの炭化水素ガスとSiH4ガスとからなる混合ガスを用いて昇温中に供給するSiCエピタキシャル成長方法。
- 昇温中の1250〜2200℃までの範囲において、前記C3H8ガスと前記H2ガスとの混合ガスの比C3H8/H2が0.0005mol%以上の前記C3H8を供給する請求項10記載のSiCエピタキシャル成長方法。
- 昇温中の1350〜2200℃までの範囲において、前記SiH4ガスと前記H2ガスとの混合ガスの比SiH4/H2が0.0005mol%以上の前記SiH4を供給する請求項10記載のSiCエピタキシャル成長方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を用いて、SiCウェハの4H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、4H−SiCの(11−20)面、6H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、6H−SiCの(11−20)面のいずれかの上に形成されてなるSiCエピタキシャル成長膜。
- 請求項9〜12のいずれかに記載のSiCエピタキシャル成長方法を用いて、SiCウェハの4H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、4H−SiCの(11−20)面、6H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、6H−SiCの(11−20)面のいずれかの上に形成されてなるSiCエピタキシャル成長膜。
- 窒素、ボロン、アルミニウム、リンの少なくとも1つによって5×1012〜3×1019cm-3の範囲でドーピング制御される請求項13又は14に記載のSiCエピタキシャル成長膜。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の縦型ホットウォールCVDエピタキシャル装置を用いて、SiCウェハの4H−SiC(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、4H−SiCの(11−20)面、6H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、6H−SiCの(11−20)面のいずれかの上に、26μm/h以上の高速成長において形成した、窒素、ボロン、アルミニウム、リンによって5×1012〜3×1019cm-3の範囲でドーピング制御され、かつ、10μm以上の厚膜における二乗平均粗さが0.5nm以下の平坦性に優れたSiCエピタキシャル成長膜。
- 請求項9〜12のいずれかに記載のSiCエピタキシャル成長方法を用いて、SiCウェハの4H−SiC(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、4H−SiCの(11−20)面、6H−SiCの(0001)面で0.1〜10°のオフ角を設けたもの、6H−SiCの(11−20)面のいずれかの上に、26μm/h以上の高速成長において形成した、窒素、ボロン、アルミニウム、リンによって5×1012〜3×1019cm-3の範囲でドーピング制御され、かつ、10μm以上の厚膜における二乗平均粗さが0.5nm以下の平坦性に優れたSiCエピタキシャル成長膜。
Priority Applications (1)
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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