CN115613131B - 一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室 - Google Patents
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 91
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 19
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 11
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 101000623895 Bos taurus Mucin-15 Proteins 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，涉及碳化硅外延片加工领域，解决了现有真空腔室不能对外延片多个尺寸通用加工的问题，包括包括安装于外延炉内部的外延炉内部密封板，外延炉内部密封板的下方安装有底托，且底托的下端安装有可使底托轴向位移的移动装置，本发明通过电动推杆对滑槽板的推动，可使四组立柱带着封闭板进行收缩，从而降低真空腔室的底面积，在收缩的过程中通过双向调节组件和传动组件的作用，可带动异向螺纹杆进行转动，其在转动过程中可触动推动组件一或推动组件二，将封闭框体一或封闭框体二下沉，对真空腔室的空间高度缩短，从而实现对真空腔室内部的空间缩放调节。
Description
技术领域
本发明涉及碳化硅外延片加工领域，具体为一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室。
背景技术
热壁式水平外延炉便是基于碳化硅外延化学气相沉积系统，在密封状态使内部的真空腔室升温加热，同时通入反应气体硅烷、甲烷、乙烯等，使碳化硅使衬底材料表面发生化学反应，并在其上沉积生长一层有一定要求的，或与衬底晶相同的单晶薄膜碳化硅晶体，形成外延层；碳化硅外延层生长参数要求较高，受设备密闭性、反应室(真空腔室)气压、气体通入时间、气体配比情况、沉积温度控制的影响。
通常现有的热壁式水平外延炉根据生长外延层的厚度不同，其功率和真空腔室的大小也不同，碳化硅衬底片越大，则所需使用的真空腔室就越大，同时加工功率便要增大，通常情况下，为制备不同的厚度的碳化硅外延层晶体，是使用不同的功率大小的外延炉进行加工；
正常来说大功率的外延炉其工作功率的大小是可调节的，意味着大功率外延炉也能对小尺寸的外延片进行生产加工使外延晶体生长，但是小尺寸的外延片在大功率的外延炉中进行加工时，由于真空腔室的大小是固定的，为了使小尺寸外延片在额定的工作气压和温度下进行生长反应，则往真空腔室充入的反应气体和燃料使用量，远大于小尺寸外延炉真空腔室中所需使用的反应气体和燃料量，所以现有对小规格外延片的加工生产不会使用大型的外延炉进行作业，避免造成大量能源物质的损耗，为此，我们提出了一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可对真空腔室的大小进行调节的碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，包括安装于外延炉内部的外延炉内部密封板，所述外延炉内部密封板的下方安装有底托，且所述底托的下端安装有可使所述底托轴向位移的移动装置，所述底托的上端中部设有用于承载碳化硅片的托盘，所述底托的上端安装有四个呈矩形阵列分布的立柱，且相邻两个所述立柱的相向面均固定安装有封闭板和稳固杆，相邻的两组所述封闭板和所述稳固杆呈交错分布，相邻两个所述封闭板滑动贴合，且呈对立分布的所述稳固杆滑动嵌于所述封闭板的内部，所述底托的上端面、所述外延炉内部密封板的下端面和若干个所述封闭板围绕的内部空间形成真空腔室；缩放机构，可对真空腔室的底面积进行缩放的所述缩放机构安装于所述底托的外侧；顶部下沉机构，可根据所述缩放机构的运动对真空腔室的高度进行调整，所述顶部下沉机构安装于所述外延炉内部密封板的上端，其中外延炉内部密封板为外延炉内部的隔板。
优选的，所述缩放机构包括呈对角线开设于所述底托上端的四个弧槽，所述底托的上端活动嵌有四个呈圆周等距分布的金属缠绕石墨垫板，且所述金属缠绕石墨垫板的上端面与所述底托的上端面平齐，相邻的两个所述金属缠绕石墨垫板的直边与所述弧槽形成限位槽，每个所述立柱的底部均固定安装有滑块，且所述滑块与所述限位槽滑动嵌合，所述金属缠绕石墨垫板的下端通过插销与所述底托滑动连接，且所述金属缠绕石墨垫板和所述底托之间安装有若干个双金属条，所述双金属条的中部通过铆钉固定于所述底托的上端，所述双金属条下部金属片的线膨胀系数大于上部金属片的线膨胀系数，所述底托的外部设有双向调节组件，在移动装置的作用下底托向上移动，使外延炉内部密封板将真空腔室封闭后，在加热升温过程中，双金属条受热形变，可将金属缠绕石墨垫板向上顶，以保证真空腔室底部的密封性。
优选的，所述双向调节组件包括固定安装于所述底托其中一个直角部的电动推杆，且所述电动推杆的上方安装有滑槽板，且所述滑槽板与所述立柱为固定连接，所述电动推杆伸缩端与所述滑槽板的底部为固定连接，所述滑槽板的内部滑动安装有内齿框架，且所述内齿框架的宽度小于所述滑槽板的内腔宽度，所述内齿框架的左右两端均啮合嵌有螺杆，且所述螺杆的两端均活动贯穿于所述滑槽板，两个所述螺杆的端部通过传动轮安装有传动带，且其中一个所述螺杆的端部固定安装有旋钮，所述滑槽板的内部滑动嵌有转轴，且所述转轴的下端固定安装有齿轮一，所述齿轮一与所述内齿框架内齿活动啮合，且两个内齿壁之间的间距大于所述齿轮一的外径，初始状态下，齿轮一位于内齿框架的内部靠近立柱的一端。
优选的，所述顶部下沉机构包括活动嵌于所述外延炉内部密封板内部的封闭框体一和封闭框体二，且所述封闭框体二分布于所述封闭框体一的内侧，所述封闭框体一和所述封闭框体二的下端面与所述外延炉内部密封板的下端面平齐，所述封闭框体一和所述封闭框体二的外侧均滑动嵌有四个呈圆周等距分布的限位柱，所述封闭框体一和所述封闭框体二与所述外延炉内部密封板之间均安装有四个复位弹簧，且所述复位弹簧分布于所述限位柱的外侧，所述外延炉内部密封板与所述转轴之间安装有传动组件，且所述传动组件的外侧设有推动组件一和推动组件二，当封闭框体一和封闭框体二下沉时，外部的封闭板将其包裹，便可降低真空腔室的空间高度。
优选的，所述传动组件包括固定安装于所述外延炉内部密封板上端的差速器，所述差速器输入端活动贯穿于所述外延炉内部密封板，且所述差速器输入管固定安装有三角套，所述转轴的上端固定安装有三角块，且所述三角块与所述三角套活动嵌合，所述外延炉内部密封板的上端通过支撑杆转动安装有异向螺纹杆，且所述异向螺纹杆与所述封闭框体一的对角线重合，所述差速器输出端与所述异向螺纹杆端部之间安装有两个相互啮合的锥齿轮，其中一个所述锥齿轮与所述差速器输出端为固定连接，另一个所述锥齿轮与所述异向螺纹杆之间安装有防卡顿组件，转轴带动三角块向上移动过程中，可与三角套嵌合。
优选的，所述防卡顿组件包括固定安装于所述异向螺纹杆靠近所述锥齿轮一端的稳定球，所述锥齿轮转动包套与所述异向螺纹杆和所述稳定球的外部，所述锥齿轮的内侧壁开设有若干个呈圆周等距分布的半球槽，所述异向螺纹杆的端部通过弹簧一弹性安装有圆顶柱，且所述圆顶柱的圆顶部与所述半球槽活动嵌合，套接在异向螺纹杆外部的锥齿轮受到巨大的扭转力作用下，可使圆顶柱回缩至锥齿轮的内部，进行空转。
优选的，所述推动组件一包括啮合套接于所述异向螺纹杆外表面的两个螺纹套，且两个所述螺纹套呈对称分布，两个所述螺纹套与所述封闭框体二的上端面中部之间铰接安装连杆，所述连杆为两段式，且两段滑动套接。
优选的，所述推动组件二包括固定套接于所述异向螺纹杆外表面的两个齿轮二，所述封闭框体一的上端固定安装有两个限位架，且所述限位架靠近所述齿轮二的一端面通过弹簧二弹性安装有若干个斜边直板，且所述斜边直板裸露端的斜面与所述齿轮二啮齿相切，所述异向螺纹杆与所述限位架之间活动套接有套架，在齿轮二逆时针转动时，其齿面可对斜边直板的斜面推挤，使其回缩至限位架的内部，即齿轮二逆时针转动无法带动限位架移动。
优选的，所述三角块下端部呈直柱状，且上端部呈锥形状，三角块的上端部为锥形状，是为了保证三角块在上移的过程中更容易与三角套的底部对位配合。
优选的，呈对角线分布的两个所述滑块的内部分别固定安装有出气管和进气管，所述出气管和所述进气管与所述限位滑槽相通，且所述出气管和所述进气管远离所述滑块的一端滑动贯穿于所述底托，通过出气管和进气管可往真空腔室的内部注入或排出反应气体。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过电动推杆对滑槽板的推动，可使四组立柱带着封闭板进行收缩，从而降低真空腔室的底面积，在收缩的过程中通过双向调节组件和传动组件的作用，可带动异向螺纹杆进行转动，其在转动过程中可触动推动组件一或推动组件二，将封闭框体一或封闭框体二下沉，对真空腔室的空间高度缩短，从而实现对真空腔室内部的空间缩放调节，同时在真空腔室内部进行加热升温过程中，双金属条受热可对金属缠绕石墨垫板推挤，以保证真空腔室在作业中的密封性。
附图说明
图1为本发明整体结构示意图；
图2为本发明整体结构侧视图；
图3为本发明外延炉内部密封板、底托、封闭板分离结构示意图；
图4为本发明金属缠绕石墨垫板结构示意图；
图5为本发明三角块和三角套结构示意图；
图6为本发明内齿框架结构示意图；
图7为本发明斜边直板和半球槽结构示意图。
图中：1-外延炉内部密封板；2-底托；3-立柱；4-封闭板；5-稳固杆；6-出气管；7-进气管；8-缩放机构；9-双向调节组件；10-顶部下沉机构；11-推动组件一；12-推动组件二；13-电动推杆；14-滑槽板；15-转轴；16-三角套；17-差速器；18-锥齿轮；19-封闭框体一；20-封闭框体二；21-异向螺纹杆；22-螺纹套；23-连杆；24-限位架；25-限位柱；26-复位弹簧；27-滑块；28-金属缠绕石墨垫板；29-弧槽；30-双金属条；31-三角块；32-旋钮；33-内齿框架；34-齿轮一；35-螺杆；36-传动带；37-半球槽；38-齿轮二；39-套架；40-斜边直板；41-稳定球；42-圆顶柱。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1，图示中的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，包括安装于外延炉内部的外延炉内部密封板1，外延炉内部密封板1的下方安装有底托2，且底托2的下端安装有可使底托2轴向位移的移动装置，底托2的上端中部设有用于承载碳化硅片的托盘，底托2的上端安装有四个呈矩形阵列分布的立柱3，且相邻两个立柱3的相向面均固定安装有封闭板4和稳固杆5，相邻的两组封闭板4和稳固杆5呈交错分布，相邻两个封闭板4滑动贴合，且呈对立分布的稳固杆5滑动嵌于封闭板4的内部，底托2的上端面、外延炉内部密封板1的下端面和若干个封闭板4围绕的内部空间形成真空腔室；缩放机构8，可对真空腔室的底面积进行缩放的缩放机构8安装于底托2的外侧；顶部下沉机构10，可根据缩放机构8的运动对真空腔室的高度进行调整，顶部下沉机构10安装于外延炉内部密封板1的上端，其中外延炉内部密封板1为外延炉内部的隔板。
请参阅图2和图3，图示中的缩放机构8包括呈对角线开设于底托2上端的四个弧槽29，底托2的上端活动嵌有四个呈圆周等距分布的金属缠绕石墨垫板28，且金属缠绕石墨垫板28的上端面与底托2的上端面平齐，相邻的两个金属缠绕石墨垫板28的直边与弧槽29形成限位槽，每个立柱3的底部均固定安装有滑块27，且滑块27与限位槽滑动嵌合，金属缠绕石墨垫板28的下端通过插销与底托2滑动连接，且金属缠绕石墨垫板28和底托2之间安装有若干个双金属条30，双金属条30的中部通过铆钉固定于底托2的上端，双金属条30下部金属片的线膨胀系数大于上部金属片的线膨胀系数，底托2的外部设有双向调节组件9，在移动装置的作用下底托2向上移动，使外延炉内部密封板1将真空腔室封闭后，在加热升温过程中，双金属条30受热形变，可将金属缠绕石墨垫板28向上顶，以保证真空腔室底部的密封性。
请参阅图5和图6，图示中的双向调节组件9包括固定安装于底托2其中一个直角部的电动推杆13，且电动推杆13的上方安装有滑槽板14，且滑槽板14与立柱3为固定连接，电动推杆13伸缩端与滑槽板14的底部为固定连接，滑槽板14的内部滑动安装有内齿框架33，且内齿框架33的宽度小于滑槽板14的内腔宽度，内齿框架33的左右两端均啮合嵌有螺杆35，且螺杆35的两端均活动贯穿于滑槽板14，两个螺杆35的端部通过传动轮安装有传动带36，且其中一个螺杆35的端部固定安装有旋钮32，滑槽板14的内部滑动嵌有转轴15，且转轴15的下端固定安装有齿轮一34，齿轮一34与内齿框架33内齿活动啮合，且两个内齿壁之间的间距大于齿轮一34的外径，初始状态下，齿轮一34位于内齿框架33的内部靠近立柱3的一端。
请参阅图3和图5，图示中的顶部下沉机构10包括活动嵌于外延炉内部密封板1内部的封闭框体一19和封闭框体二20，且封闭框体二20分布于封闭框体一19的内侧，封闭框体一19和封闭框体二20的下端面与外延炉内部密封板1的下端面平齐，封闭框体一19和封闭框体二20的外侧均滑动嵌有四个呈圆周等距分布的限位柱25，封闭框体一19和封闭框体二20与外延炉内部密封板1之间均安装有四个复位弹簧26，且复位弹簧26分布于限位柱25的外侧，外延炉内部密封板1与转轴15之间安装有传动组件，且传动组件的外侧设有推动组件一11和推动组件二12，当封闭框体一19和封闭框体二20下沉时，外部的封闭板4将其包裹，便可降低真空腔室的空间高度。
请参阅图5和图7，图示中的传动组件包括固定安装于外延炉内部密封板1上端的差速器17，差速器17输入端活动贯穿于外延炉内部密封板1，且差速器17输入管固定安装有三角套16，转轴15的上端固定安装有三角块31，且三角块31与三角套16活动嵌合，外延炉内部密封板1的上端通过支撑杆转动安装有异向螺纹杆21，且异向螺纹杆21与封闭框体一19的对角线重合，差速器17输出端与异向螺纹杆21端部之间安装有两个相互啮合的锥齿轮18，其中一个锥齿轮18与差速器17输出端为固定连接，另一个锥齿轮18与异向螺纹杆21之间安装有防卡顿组件，转轴15带动三角块31向上移动过程中，可与三角套16嵌合。
请参阅图7，图示中的推动组件一11包括啮合套接于异向螺纹杆21外表面的两个螺纹套22，且两个螺纹套22呈对称分布，两个螺纹套22与封闭框体二20的上端面中部之间铰接安装连杆23，连杆23为两段式，且两段滑动套接。
请参阅图7，图示中的推动组件二12包括固定套接于异向螺纹杆21外表面的两个齿轮二38，封闭框体一19的上端固定安装有两个限位架24，且限位架24靠近齿轮二38的一端面通过弹簧二弹性安装有若干个斜边直板40，且斜边直板40裸露端的斜面与齿轮二38啮齿相切，异向螺纹杆21与限位架24之间活动套接有套架39，在齿轮二38逆时针转动时，其齿面可对斜边直板40的斜面推挤，使其回缩至限位架24的内部，即齿轮二38逆时针转动无法带动限位架24移动。
请参阅图3，图示中的呈对角线分布的两个滑块27的内部分别固定安装有出气管6和进气管7，出气管6和进气管7与限位滑槽相通，且出气管6和进气管7远离滑块27的一端滑动贯穿于底托2，通过出气管6和进气管7可往真空腔室的内部注入或排出反应气体。
可对真空腔室的大小进行调节的工作原理：首先使用者将需要进行气相沉积处理的碳化硅片放置在托盘上，然后使用者通过外延炉内部的移动装置，使底托2上部的整体结构向上移动，并使封闭板4的上端面与外延炉内部密封板1的下端面贴合形成真空腔室，在滑槽板14向上移动的过程中，其三角块31可嵌入至三角套16的内部，使用者可根据碳化硅片的大小，对真空腔室的空间进行调整，有如下两种尺寸调节方式：
第一种尺寸调节，其齿轮一34初始状态下与内齿框架33其中的一边啮合，此时通过电动推杆13将滑槽板14推动，使四个立柱3朝着底托2的中部位置移动，此时四组封闭板4之间形成的空间其底面积便会减小，而滑槽板14在移动的过程中，通过齿轮一34与内齿框架33的啮合，可使三角套16进行转动，三角套16在转动的过程中通过差速器17的增速处理，可使锥齿轮18旋转多圈，带动异向螺纹杆21逆时针转动，异向螺纹杆21逆时针转动时，两个螺纹套22相互靠近，便能对封闭框体二20向下推挤，由于锥齿轮18的转动使通过增速处理的，即封闭框体二20的下降速度大于立柱3的移动速度，在封闭框体二20移动至最下端后，此时在防卡顿组件的作用下，套接在异向螺纹杆21表面的锥齿轮18出现空转现象，直至多个封闭板4对向下伸出的封闭框体二20进行包覆贴紧，此时封闭框体二20便能占用真空腔室顶部的空间，降低真空腔室的高度；
第二种尺寸调节，在电动推杆13对滑槽板14移动前，通过旋钮32对螺杆35进行转动，使内齿框架33发生偏移，让内齿框架33的另一面与齿轮一34啮合，此时内齿框架33跟随滑槽板14的移动，便能使三角套16反向转动，使得锥齿轮18带着异向螺纹杆21顺时针转动，异向螺纹杆21顺时针转动过程中，其两个螺纹套22展开，对两段式的连杆23拉扯，同时齿轮二38顺时针转动与若干个斜边直板40的啮合，可使封闭框体一19向下移动，从而缩小真空腔室的空间大小；
上述两种调节方式，第一种真空腔室尺寸小于第二种真空腔室尺寸，便可通过上述方式，使同一种外延炉在不同的调节方式下对真空腔室的大小进行改变，从而能对不同尺寸的外延片加工时，无需产生大量的能量或反应气体的损耗。
实施例2
请参阅图7，本实施方式对于实施例1进一步说明，防卡顿组件包括固定安装于异向螺纹杆21靠近锥齿轮18一端的稳定球41，锥齿轮18转动包套与异向螺纹杆21和稳定球41的外部，锥齿轮18的内侧壁开设有若干个呈圆周等距分布的半球槽37，异向螺纹杆21的端部通过弹簧一弹性安装有圆顶柱42，且圆顶柱42的圆顶部与半球槽37活动嵌合。
本实施例中：套接在异向螺纹杆21外部的锥齿轮18受到巨大的扭转力作用下，其半球槽37的边缘可对圆顶柱42施压，并使其回缩至锥齿轮18的内部，实现锥齿轮18的空转。
实施例3
请参阅图5，本实施方式对于其它实施例进一步说明三角块31下端部呈直柱状，且上端部呈锥形状。
本实施例中：三角块31的上端部为锥形状，是为了保证三角块31在上移的过程中更容易与三角套16的底部对位配合。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，包括安装于外延炉内部的外延炉内部密封板(1)，所述外延炉内部密封板(1)的下方安装有底托(2)，且所述底托(2)的下端安装有可使所述底托(2)轴向位移的移动装置，所述底托(2)的上端中部设有用于承载碳化硅片的托盘，其特征在于：所述底托(2)的上端安装有四个呈矩形阵列分布的立柱(3)，且相邻两个所述立柱(3)的相向面均固定安装有封闭板(4)和稳固杆(5)，相邻的两组所述封闭板(4)和所述稳固杆(5)呈交错分布，相邻两个所述封闭板(4)滑动贴合，且呈对立分布的所述稳固杆(5)滑动嵌于所述封闭板(4)的内部，所述底托(2)的上端面、所述外延炉内部密封板(1)的下端面和若干个所述封闭板(4)围绕的内部空间形成真空腔室；
缩放机构(8)，可对真空腔室的底面积进行缩放的所述缩放机构(8)安装于所述底托(2)的外侧；
顶部下沉机构(10)，可根据所述缩放机构(8)的运动对真空腔室的高度进行调整，所述顶部下沉机构(10)安装于所述外延炉内部密封板(1)的上端；
所述缩放机构(8)包括呈对角线开设于所述底托(2)上端的四个弧槽(29)，所述底托(2)的上端活动嵌有四个呈圆周等距分布的金属缠绕石墨垫板(28)，且所述金属缠绕石墨垫板(28)的上端面与所述底托(2)的上端面平齐，相邻的两个所述金属缠绕石墨垫板(28)的直边与所述弧槽(29)形成限位槽，每个所述立柱(3)的底部均固定安装有滑块(27)，且所述滑块(27)与所述限位槽滑动嵌合，所述金属缠绕石墨垫板(28)的下端通过插销与所述底托(2)滑动连接，且所述金属缠绕石墨垫板(28)和所述底托(2)之间安装有若干个双金属条(30)，所述双金属条(30)的中部通过铆钉固定于所述底托(2)的上端，所述双金属条(30)下部金属片的线膨胀系数大于上部金属片的线膨胀系数，所述底托(2)的外部设有双向调节组件(9)；
所述双向调节组件(9)包括固定安装于所述底托(2)其中一个直角部的电动推杆(13)，且所述电动推杆(13)的上方安装有滑槽板(14)，且所述滑槽板(14)与所述立柱(3)为固定连接，所述电动推杆(13)伸缩端与所述滑槽板(14)的底部为固定连接，所述滑槽板(14)的内部滑动安装有内齿框架(33)，且所述内齿框架(33)的宽度小于所述滑槽板(14)的内腔宽度，所述内齿框架(33)的左右两端均啮合嵌有螺杆(35)，且所述螺杆(35)的两端均活动贯穿于所述滑槽板(14)，两个所述螺杆(35)的端部通过传动轮安装有传动带(36)，且其中一个所述螺杆(35)的端部固定安装有旋钮(32)，所述滑槽板(14)的内部滑动嵌有转轴(15)，且所述转轴(15)的下端固定安装有齿轮一(34)，所述齿轮一(34)与所述内齿框架(33)内齿活动啮合，且两个内齿壁之间的间距大于所述齿轮一(34)的外径；
呈对角线分布的两个所述滑块(27)的内部分别固定安装有出气管(6)和进气管(7)，所述出气管(6)和所述进气管(7)与所述弧槽(29)相通，且所述出气管(6)和所述进气管(7)远离所述滑块(27)的一端滑动贯穿于所述底托(2)。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述顶部下沉机构(10)包括活动嵌于所述外延炉内部密封板(1)内部的封闭框体一(19)和封闭框体二(20)，且所述封闭框体二(20)分布于所述封闭框体一(19)的内侧，所述封闭框体一(19)和所述封闭框体二(20)的下端面与所述外延炉内部密封板(1)的下端面平齐，所述封闭框体一(19)和所述封闭框体二(20)的外侧均滑动嵌有四个呈圆周等距分布的限位柱(25)，所述封闭框体一(19)和所述封闭框体二(20)与所述外延炉内部密封板(1)之间均安装有四个复位弹簧(26)，且所述复位弹簧(26)分布于所述限位柱(25)的外侧，所述外延炉内部密封板(1)与所述转轴(15)之间安装有传动组件，且所述传动组件的外侧设有推动组件一(11)和推动组件二(12)。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述传动组件包括固定安装于所述外延炉内部密封板(1)上端的差速器(17)，所述差速器(17)输入端活动贯穿于所述外延炉内部密封板(1)，且所述差速器(17)输入管固定安装有三角套(16)，所述转轴(15)的上端固定安装有三角块(31)，且所述三角块(31)与所述三角套(16)活动嵌合，所述外延炉内部密封板(1)的上端通过支撑杆转动安装有异向螺纹杆(21)，且所述异向螺纹杆(21)与所述封闭框体一(19)的对角线重合，所述差速器(17)输出端与所述异向螺纹杆(21)端部之间安装有两个相互啮合的锥齿轮(18)，其中一个所述锥齿轮(18)与所述差速器(17)输出端为固定连接，另一个所述锥齿轮(18)与所述异向螺纹杆(21)之间安装有防卡顿组件。
4.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述防卡顿组件包括固定安装于所述异向螺纹杆(21)靠近所述锥齿轮(18)一端的稳定球(41)，所述锥齿轮(18)转动包套与所述异向螺纹杆(21)和所述稳定球(41)的外部，所述锥齿轮(18)的内侧壁开设有若干个呈圆周等距分布的半球槽(37)，所述异向螺纹杆(21)的端部通过弹簧一弹性安装有圆顶柱(42)，且所述圆顶柱(42)的圆顶部与所述半球槽(37)活动嵌合。
5.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述推动组件一(11)包括啮合套接于所述异向螺纹杆(21)外表面的两个螺纹套(22)，且两个所述螺纹套(22)呈对称分布，两个所述螺纹套(22)与所述封闭框体二(20)的上端面中部之间铰接安装连杆(23)，所述连杆(23)为两段式，且两段滑动套接。
6.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述推动组件二(12)包括固定套接于所述异向螺纹杆(21)外表面的两个齿轮二(38)，所述封闭框体一(19)的上端固定安装有两个限位架(24)，且所述限位架(24)靠近所述齿轮二(38)的一端面通过弹簧二弹性安装有若干个斜边直板(40)，且所述斜边直板(40)裸露端的斜面与所述齿轮二(38)啮齿相切，所述异向螺纹杆(21)与所述限位架(24)之间活动套接有套架(39)。
7.根据权利要求3所述的一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室，其特征在于：所述三角块(31)下端部呈直柱状，且上端部呈锥形状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211265450.4A CN115613131B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211265450.4A CN115613131B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115613131A CN115613131A (zh) | 2023-01-17 |
| CN115613131B true CN115613131B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=84863656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211265450.4A Active CN115613131B (zh) | 2022-10-17 | 2022-10-17 | 一种碳化硅外延化学气相沉积系统的真空腔室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115613131B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2022
- 2022-10-17 CN CN202211265450.4A patent/CN115613131B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115613131A (zh) | 2023-01-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |