JP2013021113A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】気相成長装置100は、基板7の温度を測定する放射温度計24a、24bと、基板7の周辺にガス噴出部19が設けられたガス流路18と、ガス流路18に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計24a、24bによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路18に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部26とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部28と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部29とを有する。
【選択図】図1
Description
反応室に載置される基板を加熱するヒータと、
基板の温度を測定する温度測定部と、
基板の周辺にガス噴出部が設けられたガス流路と、
ガス流路に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、
温度測定部での測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部とを有することを特徴とする気相成長装置に関する。
サセプタを上部で支持し、ヒータを内部に配置する回転筒と、
反応室の下部に配置されて回転筒を回転させる回転軸とを有し、
ガス流路は、回転筒の周囲に配置されており、
ガス噴出部は、ガスがサセプタの外周部から反応室の内壁へ向かう方向に噴出するよう設けられていることが好ましい。
基板を昇温する際には、基板の周辺部にアルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を供給し、
基板を降温する際には、基板の周辺部に水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を供給することを特徴とするものである。
インヒータ9aの温度:1680℃
アウトヒータ9bの温度:1750℃
1a 内壁
2 ライナ
2a 胴部
2b 頭部
3 流路
4 反応ガス
5、25 供給口
6 排気部
7 基板
8 サセプタ
9 ヒータ
9a インヒータ
9b アウトヒータ
10、13 フランジ
11、14 パッキン
12 配管
15 シャワープレート
15a 貫通孔
16 回転軸
17 回転筒
18 ガス流路
19 ガス噴出部
20 ブースバー
21 ヒータベース
22 連結部
23 電極棒
24a、24b 放射温度計
26 制御部
28、29 ガス貯蔵部
30 ガス供給管
31 バルブ
100 気相成長装置
Claims (5)
- 気相成長反応を行う反応室と、
前記反応室に載置される基板を加熱するヒータと、
前記基板の温度を測定する温度測定部と、
前記基板の周辺にガス噴出部が設けられたガス流路と、
前記ガス流路に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、
前記温度測定部での測定結果に応じて、前記ガス供給部から前記ガス流路に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部とを有することを特徴とする気相成長装置。 - 前記基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタを上部で支持し、前記ヒータを内部に配置する回転筒と、
前記反応室の下部に配置されて前記回転筒を回転させる回転軸とを有し、
前記ガス流路は、前記回転筒の周囲に配置されており、
前記ガス噴出部は、前記ガスが前記サセプタの外周部から前記反応室の内壁へ向かう方向に噴出するよう設けられていることを特徴とする請求項1に記載の気相成長装置。 - 前記ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の気相成長装置。
- 基板を加熱して前記基板の上に所定の膜を形成する気相成長方法において、
前記基板を昇温する際には、前記基板の周辺部にアルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を供給し、
前記基板を降温する際には、前記基板の周辺部に水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を供給することを特徴とする気相成長方法。 - 前記基板の温度を測定し、この測定結果に基づいて前記基板の周辺部に供給するガスの種類と供給の有無を制御することを特徴とする請求項4に記載の気相成長方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015073000A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20150133633A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치 |
JP7183358B1 (ja) | 2021-08-04 | 2022-12-05 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2023024445A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 昭和電工株式会社 | SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法 |
JP2023023081A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02240923A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
JPH11243086A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Sony Corp | 枚葉式cvd装置 |
US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
EP1067587A2 (en) * | 1999-07-08 | 2001-01-10 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
US6215106B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-04-10 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
JP2002327275A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP2004503108A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板の熱処理 |
JP2005123284A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置 |
JP2008060545A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2009021534A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
2011
- 2011-07-11 JP JP2011152846A patent/JP5719710B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02240923A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
US6215106B1 (en) * | 1997-06-30 | 2001-04-10 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
JPH11243086A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Sony Corp | 枚葉式cvd装置 |
EP1067587A2 (en) * | 1999-07-08 | 2001-01-10 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
JP2001196324A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-07-19 | Applied Materials Inc | 基板の熱処理 |
JP2004503108A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板の熱処理 |
JP2002327275A (ja) * | 2001-05-02 | 2002-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP2005123284A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置 |
JP2008060545A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2009021534A (ja) * | 2007-06-15 | 2009-01-29 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015073000A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置及び成膜方法 |
US9518322B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-12-13 | Nuflare Technology, Inc. | Film formation apparatus and film formation method |
KR101758433B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2017-07-14 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 성막 장치 및 성막 방법 |
KR20150133633A (ko) * | 2014-05-12 | 2015-11-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치 |
KR101718209B1 (ko) | 2014-05-12 | 2017-03-20 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치 |
JP7183358B1 (ja) | 2021-08-04 | 2022-12-05 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2023024445A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 昭和電工株式会社 | SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法 |
JP2023023084A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2023023081A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP7285890B2 (ja) | 2021-08-04 | 2023-06-02 | 株式会社レゾナック | SiCエピタキシャルウェハ及びSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP7311009B2 (ja) | 2021-08-04 | 2023-07-19 | 株式会社レゾナック | SiCデバイス及びSiCデバイスの製造方法 |
US11795577B2 (en) | 2021-08-04 | 2023-10-24 | Resonac Corporation | SiC epitaxial wafer and method of manufacturing SiC epitaxial wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5719710B2 (ja) | 2015-05-20 |
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